Home [21–30] << 31 32 >>
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   web
Author Title Year Publication Volume Pages
Масленникова, А. В.; Рябчун, С. А.; Финкель, М. И.; Каурова, Н. С.; Исупова, А. А.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. Широкополосные смесители на горячих электронах на основе NbN наноструктур 2011 Труды Московского физико-технического института 3 31-34
Флоря, И.Н.; Корнеева, Ю.П.; Корнеев, А.А.; Гольцман, Г.Н. Сверхпроводниковый однофотонный детектор для среднего инфракрасного диапазона на основе узких параллельных полосок 2011 Труды Московского физико-технического института 3 14-17
Пентин, И. В.; Смирнов, К. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, А. В.; Ожегов, Р. В.; Дивочий, А. В.; Гольцман, Г. Н. Быстродействующий терагерцевый приемник и инфракрасный счетчик одиночных фотонов на эффекте разогрева электронов в сверхпроводниковых тонкопленочных наноструктурах 2011 Труды МФТИ 3 38-42
Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.; Ригер, Е. Р. Оже-рекомбинация свободных носителей на мелких донорах в германии 1984 Физика и техника полупроводников 18 1684-1686
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge 1989 Физика и техника полупроводников 23 1356-1361
Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Кагане, М. Л.; Мултановский, В. В.; Птицина, Н. Г. Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках 1983 Физика и техника полупроводников 17 1430-1437
Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе 1991 Физика и техника полупроводников 25 1986-1998
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б. Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла 1990 Физика и техника полупроводников 24 2145-2150
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge 1990 Физика и техника полупроводников 24 1881-1883
Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах 1990 Физика и техника полупроводников 24 3-24
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках 1989 Физика и техника полупроводников 23 338-345
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ 1986 Физика и техника полупроводников 20 99-103
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. Спин-решеточная релаксация доноров фосфора в кремнии при одноосной деформации образца 1985 Физика и техника полупроводников 19 1696-1698
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии 1984 Физика и техника полупроводников 18 421-425
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии 1983 Физика и техника полупроводников 17 1896-1898