Author |
Title |
Year |
Publication |
Volume |
Pages |
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. |
О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии |
1984 |
Физика и техника полупроводников |
18 |
421-425 |
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
17 |
1896-1898 |
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И. |
Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
17 |
1873-1876 |
Гершензон, Е. М.; Мельников, А. П.; Рабинович, Р. И.; Смирнова, В. Б. |
О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
17 |
499-501 |
Мошкова, М. А.; Дивочий, А. В.; Морозов, П. В.; Золотов, Ф. И.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, К. В. |
Высокоэффективные NBN однофотонные детекторы с разрешением числа фотонов |
2018 |
Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт. |
|
400-401 |