Home | << 1 2 3 >> |
Records | |||||
---|---|---|---|---|---|
Author | Uchiki, Hisao; Kobayashi, Takayoshi; Sakaki, Hiroyuki | ||||
Title | Photoluminescence and energyâ€loss rates in GaAs quantum wells under highâ€density excitation | Type | Journal Article | ||
Year | 1987 | Publication | J. Appl. Phys. | Abbreviated Journal | |
Volume | 62 | Issue | 3 | Pages | 1010-1016 |
Keywords | 2DEG, GaAs/AlGaAs, heat flow, electron-phonon, hole-phonon, carrier-phonon, interactions | ||||
Abstract | The timeâ€resolved luminescence spectra from excited conduction subbands in three samples of multiâ€quantumâ€well GaAs/AlxGa1-xAs (x=0.3 and 1) semiconductors with several well widths and barrier heights were obtained under highâ€density excitations by a 30â€ps pulsed laser at 532 nm, which generated electron–hole pairs to the concentration of 1010–1013/cm2 per well per pulse at 77 K. The temperature and the Fermi energy of electron were determined by fitting best the constructed timeâ€resolved spectrum to the observed, and the timeâ€dependent electron energy was obtained by using these parameters. The energyâ€loss rates of hot electrons are at least twice smaller than the calculated ones induced by the electronâ€polar phonon scattering, including the screening effect due to the high carrier density. | ||||
Address | |||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | Medium | |||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | Approved | no | |||
Call Number | Serial | 635 | |||
Permanent link to this record | |||||
Author | Смирнов, Константин Владимирович; Чулкова, Галина Меркурьевна; Вахтомин, Юрий Борисович; Корнеев, Александр Александрович; Окунев, Олег Валерьевич; Дивочий, Александр Валерьевич; Семенов, Александр Владимирович; Гольцман, Григорий Наумович | ||||
Title | Особенности разогрева и релаксации горячих электронов О-754 в тонкопленочных cверхпроводниковых наноструктурах и 2D полупроводниковых гетероструктурах при поглощении излучения инфракрасного и терагерцового диапазонов | Type | Book Whole | ||
Year | 2014 | Publication | Abbreviated Journal | ||
Volume | Issue | Pages | |||
Keywords | 2DEG | ||||
Abstract | В монографии рассмотрены основные особенности эффекта электронного разогрева в тонких сверхпроводниковых пленках и полупроводниковых гетеропереходах, возникающего при поглощении носителями заряда излучений терагерцового и инфракрасного диапазонов. Значительная часть монографии посвящена представлению современных достижений при использовании указанного эффекта для создания приемных устройств с рекордными характеристиками: терагерцовых гетеродинных и болометрических приемников на основе сверхпроводниковых и полупроводниковых структур; сверхпроводниковых приемников одиночных ИК фотонов. В работе также подробно рассмотрены основы современной сверхпроводниковой тонкопленочной технологии. Монография может быть полезна студентам старших курсов, аспирантам и начинающим исследователям, работающим в области физики твердого тела, оптики, радиофизики. |
||||
Address | Москва | ||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | МПГУ | Place of Publication | Editor | ||
Language | Russian | Summary Language | Original Title | ||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | 978-5-4263-0145-0 | Medium | ||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | 240 страниц | Approved | no | ||
Call Number | Serial | 1814 | |||
Permanent link to this record | |||||
Author | Чулкова, Г. М.; Корнеев, А. А.; Смирнов, К. В.; Окунев, О. В. | ||||
Title | Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ик излучения на их основе | Type | Book Whole | ||
Year | 2012 | Publication | Abbreviated Journal | ||
Volume | Issue | Pages | |||
Keywords | 2DEG, AlGaAs/GaAs, NbN detectors | ||||
Abstract | Монография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электронное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интенсивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фонолами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники. | ||||
Address | Москва | ||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Прометей, МПГУ | Place of Publication | Editor | ||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | 978-5-4263-0118-4 | Medium | ||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | УДК: 537.311 | Approved | no | ||
Call Number | Serial | 1818 | |||
Permanent link to this record | |||||
Author | Смирнов, Константин Владимирович | ||||
Title | Энергетическая релаксация электронов в 2D-канале гетеропереходов GAAS/ALGAAS и транспортные процессы в структурах полупроводник-сверхпроводник на их основе | Type | Manuscript | ||
Year | 2000 | Publication | М. МПГУ | Abbreviated Journal | |
Volume | Issue | Pages | |||
Keywords | 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures, NbN films | ||||
Abstract | Диссертация посвящена изучению электрон-фононного взаимодействия в двумерном электронном газе, образующемся на границе раздела полупроводников AlGaAs и GaAs, а также созданию на основе гетероперехода GaAs/AlGaAs и сверхпроводника NbN гибридных структур сверхпроводник-полупроводник-сверхпроводник и изучению их электрофизических свойств. | ||||
Address | Москва, МПГУ | ||||
Corporate Author | Thesis | Ph.D. thesis | |||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | Medium | |||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | Approved | no | |||
Call Number | Serial | 1830 | |||
Permanent link to this record | |||||
Author | Смирнов, К. В. | ||||
Title | AlGaAs/GaAs смеситель на эффекте разогрева двумерных электронов для тепловизора субмиллиметрового диапазона | Type | Abstract | ||
Year | 2003 | Publication | Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников | Abbreviated Journal | |
Volume | Issue | Pages | 181 | ||
Keywords | 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures, mixer | ||||
Abstract | |||||
Address | ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санк-Петербург | ||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | Medium | |||
Area | Expedition | Conference | VI Российской конференции по физике полупроводников (27-31 октября) | ||
Notes | Unconfirmed; Сама конференция, однако, была -- её упоминают: [http://www.nsc.ru/HBC/article.phtml?nid=271&id=17], [https://www.isp.nsc.ru/institut/nauchnye-podrazdeleniya/lab-20/publikatsii/2003], [http://www.ioffe.ru/sem_tech/sem%5Fteh%5Fmovpe%5Fpublications%5Fru.htm#R2003], [https://istina.ips.ac.ru/collections/828771/] | Approved | no | ||
Call Number | Serial | 1837 | |||
Permanent link to this record |