toggle visibility Search & Display Options

Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print
  Records Links
Author Гершензон, Е. М.; Мельников, А. П.; Рабинович, Р. И.; Смирнова, В. Б. url  openurl
  Title О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси Type Journal Article
  Year 1983 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 17 Issue 3 Pages 499-501  
  Keywords shallow neutral impurities, capture, inverse distribution function, Si  
  Abstract (up)  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1764  
Permanent link to this record
 

 
Author Gershenzon, E. M.; Gurvich, Y. A.; Orlova, S. L.; Ptitsina, N. G. url  openurl
  Title Scattering of electrons by charged impurities in Ge under cyclotron resonance conditions Type Journal Article
  Year 1976 Publication Presumably: Sov. Phys. Semicond. | Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Presumably: Sov. Phys. Semicond. | Физика и техника полупроводников  
  Volume 10 Issue Pages 1379-1383  
  Keywords Ge, cyclotron resonance, charged impurities,  
  Abstract (up)  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1772  
Permanent link to this record
 

 
Author Bondarenko, O. I.; Gershenzon, E. M.; Gurvich, Y. A.; Orlova, S. L.; Ptitsina, N. G. url  openurl
  Title Measurement of the width of the cyclotron resonance line of n-type Ge in quantizing magnetic fields Type Journal Article
  Year 1972 Publication Presumably: Sov. Phys. Semicond. | Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Presumably: Sov. Phys. Semicond. | Физика и техника полупроводников  
  Volume 6 Issue Pages 362-363  
  Keywords Ge, cyclotron resonance, quantizing magnetic fields  
  Abstract (up)  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1774  
Permanent link to this record
 

 
Author Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. url  openurl
  Title Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ Type Journal Article
  Year 1986 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 20 Issue 1 Pages 99-103  
  Keywords n-Ge, Hubbard upper zone conductivity, negative magnetoresistance  
  Abstract (up) В рамках теории квантовых поправок к проводимости объяснено отрицательное магнитосопротивление в n-Ge с концентрацией доноров Nd≃2.8⋅1016÷1.1⋅1017см−3, наблюдаемое в диапазоне температур 4.2−10 K, когда основной вклад в проводимость дают электроны верхней зоны Хаббарда. Показано, что время релаксации фазы волновой функции τφ определяется временем электрон-фононного взаимодействия τeph.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1759  
Permanent link to this record
 

 
Author Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б. url  openurl
  Title Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла Type Journal Article
  Year 1990 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 24 Issue 12 Pages 2145-2150  
  Keywords Hall constant, concentration of impurities, p-Si  
  Abstract (up) На примере p-Si⟨B,\,Ga⟩ с различной степенью компенсации проведена сравнительная оценка точности определения раздельной концентрации примесей по температурной зависимости концентрации дырок p(T) в случае одной и двух легирующих примесей с энергиями ионизации, различающимися менее чем в 2 раза. Исследована функция среднеквадратичного отклонения в пространстве параметров D(Nк, N2) (Nк, N1 и N2 — концентрации компенсирующих примесей бора и галлия соответственно, N2≫N1) в предположении, что N2, энергии B и Ga известны. Показано, что в случае двух легирующих примесей D(Nк, N1) в окрестностях минимума имеет «овражный» рельеф и при некоторых соотношениях между Nк и N1 разброс искомых величин превышает порядок, причем увеличение точности измерений p(T) существенного улучшения в вычислении параметров не дает. При одной легирующей примеси точность вычисления параметров высокая.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1754  
Permanent link to this record
Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print

Save Citations:
Export Records: