| |
Records |
Links |
|
Author |
Pentin, I.; Vakhtomin, Y.; Seleznev, V.; Smirnov, K. |
|
| |
Title |
Hot electron energy relaxation time in vanadium nitride superconducting film structures under THz and IR radiation |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
2020 |
Publication |
Sci. Rep. |
Abbreviated Journal |
Sci. Rep. |
|
| |
Volume |
10 |
Issue |
1 |
Pages |
16819 |
|
| |
Keywords |
VN HEB |
|
| |
Abstract |
The paper presents the experimental results of studying the dynamics of electron energy relaxation in structures made of thin (d approximately 6 nm) disordered superconducting vanadium nitride (VN) films converted to a resistive state by high-frequency radiation and transport current. Under conditions of quasi-equilibrium superconductivity and temperature range close to critical (~ Tc), a direct measurement of the energy relaxation time of electrons by the beats method arising from two monochromatic sources with close frequencies radiation in sub-THz region (omega approximately 0.140 THz) and sources in the IR region (omega approximately 193 THz) was conducted. The measured time of energy relaxation of electrons in the studied VN structures upon heating of THz and IR radiation completely coincided and amounted to (2.6-2.7) ns. The studied response of VN structures to IR (omega approximately 193 THz) picosecond laser pulses also allowed us to estimate the energy relaxation time in VN structures, which was ~ 2.8 ns and is in good agreement with the result obtained by the mixing method. Also, we present the experimentally measured volt-watt responsivity (S~) within the frequency range omega approximately (0.3-6) THz VN HEB detector. The estimated values of noise equivalent power (NEP) for VN HEB and its minimum energy level (deltaE) reached NEP@1MHz approximately 6.3 x 10(-14) W/ radicalHz and deltaE approximately 8.1 x 10(-18) J, respectively. |
|
| |
Address  |
National Research University Higher School of Economics, 20 Myasnitskaya Str., Moscow, 101000, Russia |
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
2045-2322 |
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
PMID:33033360; PMCID:PMC7546726 |
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1797 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Zolotov, P.; Vakhtomin, Yu.; Divochiy, A.; Morozov, P.; Seleznev, V.; Smirnov, K |
|
| |
Title |
Development of fast and high-effective single-photon detector for spectrum range up to 2.3 μm |
Type |
Conference Article |
| |
Year |
2017 |
Publication |
Proc. SPBOPEN |
Abbreviated Journal |
Proc. SPBOPEN |
|
| |
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
439-440 |
|
| |
Keywords |
SSPD, SNSPD |
|
| |
Abstract |
We present the results of development and testing of the single-photon-counting system operating in the wide spectrum rane up to 2.3 mcm. We managed to increase system detection efficiency up to 60% in the range of 1.7-2.3 mcm optimisation of the fabrication methods of superconducting single-photon detectors and application of the single-mode fiber with enlarged core diameter. |
|
| |
Address |
St. Petersburg, Russia |
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1255 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Мошкова, М. А.; Дивочий, А. В.; Морозов, П. В.; Антипов, А. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, К. В. |
|
| |
Title |
Оценка статистики распределения фотонов с использованием многоэлементного сверхпроводникового однофотонного детектора |
Type |
Conference Article |
| |
Year |
2019 |
Publication |
Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е. В. Арменского |
Abbreviated Journal |
|
|
| |
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
201-202 |
|
| |
Keywords |
SSPD |
|
| |
Abstract |
Проведен сравнительный анализ топологий сверхпроводниковых однофотонных детекторов с способностью к разрешению до четырёх фотонов в коротком импульсе ИК излучения. Получен детектор, с системной квантовой эффективностью ~85% на λ=1550 нм. Продемонстрирована возможность его использования для распределения числа фотонов импульсного источника излучения. |
|
| |
Address |
Москва |
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
МИЭМ НИУ ВШЭ |
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1804 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Золотов, Ф. И.; Смирнов, К. В. |
|
| |
Title |
Особенности осаждения разупорядоченных сверхтонких плёнок нитрида ванадия |
Type |
Conference Article |
| |
Year |
2019 |
Publication |
Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е. В. Арменского |
Abbreviated Journal |
|
|
| |
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
204-205 |
|
| |
Keywords |
VN films |
|
| |
Abstract |
В работе изучены особенности роста сверхтонких плёнок нитрида ванадия толщиной ~10 нм. Обнаружено, что при изменении температуры подложки и общего давления газов в процессе осаждения плёнок меняется значение их поверхностного сопротивления вблизи перехода к сверхпроводящему состоянию. |
|
| |
Address |
Москва |
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
МИЭМ НИУ ВШЭ |
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1805 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Чулкова, Г. М.; Корнеев, А. А.; Смирнов, К. В.; Окунев, О. В. |
|
| |
Title |
Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ик излучения на их основе |
Type |
Book Whole |
| |
Year |
2012 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
|
| |
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
|
| |
Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs, NbN detectors |
|
| |
Abstract |
Монография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электронное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интенсивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фонолами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники. |
|
| |
Address |
Москва |
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
Прометей, МПГУ |
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
978-5-4263-0118-4 |
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
УДК: 537.311 |
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1818 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Смирнов, Константин Владимирович |
|
| |
Title |
Энергетическая релаксация электронов в 2D-канале гетеропереходов GAAS/ALGAAS и транспортные процессы в структурах полупроводник-сверхпроводник на их основе |
Type |
Manuscript |
| |
Year |
2000 |
Publication |
М. МПГУ |
Abbreviated Journal |
|
|
| |
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
|
| |
Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures, NbN films |
|
| |
Abstract |
Диссертация посвящена изучению электрон-фононного взаимодействия в двумерном электронном газе, образующемся на границе раздела полупроводников AlGaAs и GaAs, а также созданию на основе гетероперехода GaAs/AlGaAs и сверхпроводника NbN гибридных структур сверхпроводник-полупроводник-сверхпроводник и изучению их электрофизических свойств. |
|
| |
Address |
Москва, МПГУ |
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
Ph.D. thesis |
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1830 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Бурмистрова, А. В.; Девятов, И. А. |
|
| |
Title |
Расчет электронного транспорта в гетероструктурах, содержащих многозонные сверхпроводники |
Type |
Conference Article |
| |
Year |
2014 |
Publication |
Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» |
Abbreviated Journal |
|
|
| |
Volume |
1 |
Issue |
|
Pages |
21-22 |
|
| |
Keywords |
N/I/Sp junctions |
|
| |
Abstract |
В рамках приближения сильной связи теоретически рассчитаны проводимости контактов вида нормальный металл/изолятор/одноорбитальный сверхпроводник с p-типом сверхпроводящего спаривания (N/I/Sp). Объяснено наблюдаемое экспериментально как появление пика при нулевом напряжении, так и его расщепление в зависимости от толщины слоя изолятора. В рамках этой же микроскопической теории развит вариант техники решеточной функции Грина в мацубаровом представлении. Используя разработанный подход, рассчитаны фазовые и температурные зависимости тока Джозефсона для контакта сверхпроводника s-типа и многозонного железосодержащего сверхпроводника (ферропниктида) для различных ориентаций границы по отношению к кристаллографическим осям пниктида. |
|
| |
Address |
Нижний Новгород, Россия |
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1834 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Райтович, А. А.; Пентин, И. В.; Золотов, Ф. И.; Селезнев, В. А.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, К. В. |
|
| |
Title |
Время энергетической релаксации электронов в сверхпроводниковых VN наноструктурах |
Type |
Conference Article |
| |
Year |
2018 |
Publication |
Сборник трудов 13 Всероссийской конференции молодых ученых |
Abbreviated Journal |
|
|
| |
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
236-238 |
|
| |
Keywords |
VN films |
|
| |
Abstract |
|
|
| |
Address |
Саратовский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН |
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
Техно-Декор |
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика |
|
| |
Notes |
http://nnnph.ru/data/documents/Sborni-trudov-NNNF-2018.pdf |
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1807 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Смирнов, К. В. |
|
| |
Title |
AlGaAs/GaAs смеситель на эффекте разогрева двумерных электронов для тепловизора субмиллиметрового диапазона |
Type |
Abstract |
| |
Year |
2003 |
Publication |
Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников |
Abbreviated Journal |
|
|
| |
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
181 |
|
| |
Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures, mixer |
|
| |
Abstract |
|
|
| |
Address |
ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санк-Петербург |
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
VI Российской конференции по физике полупроводников (27-31 октября) |
|
| |
Notes |
Unconfirmed; Сама конференция, однако, была -- её упоминают: [http://www.nsc.ru/HBC/article.phtml?nid=271&id=17], [https://www.isp.nsc.ru/institut/nauchnye-podrazdeleniya/lab-20/publikatsii/2003], [http://www.ioffe.ru/sem_tech/sem%5Fteh%5Fmovpe%5Fpublications%5Fru.htm#R2003], [https://istina.ips.ac.ru/collections/828771/] |
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1837 |
|
| Permanent link to this record |
