Records |
Author |
Shangina, E. L.; Smirnov, K. V.; Morozov, D. V.; Kovalyuk, V. V.; Goltsman, G. N.; Verevkin, A. A.; Toropov, A. I.; Mauskopf, P. |
Title |
Concentration dependence of energy relaxation time in AlGaAs/GaAs heterojunctions: direct measurements |
Type |
Journal Article |
Year |
2011 |
Publication |
Semicond. Sci. Technol. |
Abbreviated Journal |
Semicond. Sci. Technol. |
Volume |
26 |
Issue |
2 |
Pages |
025013 |
Keywords |
AlGaAs/GaAs heterojunctions |
Abstract |
We present measurements of the energy relaxation time, τε, of electrons in a single heterojunction in a quasi-equilibrium state using microwave time-resolved spectroscopy at 4.2 K. We find the relaxation time has a power-law dependence on the carrier density of the two-dimensional electron gas, τε∝nγs with γ = 0.40 ± 0.02 for values of the carrier density, ns, from 1.6 × 1011 to 6.6 × 1011cm−2. The results are in good agreement with predictions taking into account the scattering of the carriers by both piezoelectric and deformation potential acoustic phonons. We compare these results with indirect measurements of the energy relaxation time from energy loss measurements involving Joule heating of the electron gas. |
Address ![sorted by Address field, ascending order (up)](img/sort_asc.gif) |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
0268-1242 |
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1215 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Ожегов, Р. В.; Окунев, О. В.; Гольцман, Г. Н.; Филиппенко, Л. В.; Кошелец, В. П. |
Title |
Флуктуационная чувствительность сверхпроводящего интегрального приемника терагерцового диапазона частот |
Type |
Journal Article |
Year |
2009 |
Publication |
Радиотехника и электроника |
Abbreviated Journal |
Радиотех. электроник. |
Volume |
54 |
Issue |
6 |
Pages |
750-755 |
Keywords |
|
Abstract |
Исследована зависимость флуктуационной чувствительности сверхпроводящего интегрального приемника (СИП) от шумовой температуры приемника и величины входного сигнала. Измерена рекордная флуктуационная чувствительность приемника (13 ± 2 мК), полученная при шумовой температуре приемника 200 К, ширине полосы промежуточных частот 4 ГГц и постоянной времени 1 с. При уменьшении входного сигнала наблюдалось улучшение флуктуационной чувствительности; предложено обÑŠяснение полученного эффекта: причиной является уменьшение влияния нестабильностей источников питания приемника и усилительного тракта при снижении входного сигнала. |
Address ![sorted by Address field, ascending order (up)](img/sort_asc.gif) |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
710 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Расулова, Г.К.; Брунков, П.Н.; Пентин, И.В.; Ковалюк, В.В.; Горшков, К.Н.; Казаков, А.Ю.; Иванов, С.Ю.; Егоров, А.Ю.; Саксеев, Д.А.; Конников, С.Г. |
Title |
Взаимная синхронизация двух связанных генераторов автоколебаний на основе сверхрешеток GaAs/AlGaAs |
Type |
Journal Article |
Year |
2011 |
Publication |
Журнал технической физики |
Abbreviated Journal |
ЖТФ |
Volume |
81 |
Issue |
6 |
Pages |
80-86 |
Keywords |
|
Abstract |
Проведено исследование взаимодействия генераторов автоколебаний на основе 30-периодной слабосвязанной сверхрешетки GaAs/AlGaAs. Воздействие одного генератора автоколебаний на другой осуществлялось при заданном постоянном смещении в отсутствие в одном из них генерации автономных колебаний. Показано, что вынужденные колебания в захватывающем генераторе возникают из-за возбуждения колебаний в системе связанных осцилляторов, образующих границу электрополевого домена на частоте одной из высших гармоник вынуждающего колебания. |
Address ![sorted by Address field, ascending order (up)](img/sort_asc.gif) |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
711 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Mitin, Vladimir; Antipov, Andrei; Sergeev, Andrei; Vagidov, Nizami; Eason, David; Strasser, Gottfried |
Title |
Quantum Dot Infrared Photodetectors: Photoresponse Enhancement Due to Potential Barriers |
Type |
Journal Article |
Year |
2011 |
Publication |
Nanoscale Research Letters |
Abbreviated Journal |
Nanoscale res lett |
Volume |
6 |
Issue |
1 |
Pages |
6 |
Keywords |
Quantum dots; Infrared detectors; Photoresponse; Doping; Potential barriers; Capture processes |
Abstract |
Potential barriers around quantum dots (QDs) play a key role in kinetics of photoelectrons. These barriers are always created, when electrons from dopants outside QDs fill the dots. Potential barriers suppress the capture processes of photoelectrons and increase the photoresponse. To directly investigate the effect of potential barriers on photoelectron kinetics, we fabricated several QD structures with different positions of dopants and various levels of doping. The potential barriers as a function of doping and dopant positions have been determined using nextnano3 software. We experimentally investigated the photoresponse to IR radiation as a function of the radiation frequency and voltage bias. We also measured the dark current in these QD structures. Our investigations show that the photoresponse increases ~30 times as the height of potential barriers changes from 30 to 130 meV. |
Address ![sorted by Address field, ascending order (up)](img/sort_asc.gif) |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
712 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Семенов, А. В.; Девятов, И. А.; Рябчун, С. А.; Масленников, С. Н.; Масленникова, А. С.; Ларионов, П. А.; Воронов, Б. М.; Чулкова, Г. М. |
Title |
Поглощение терагерцового электромагнитного излучения в “грязной” сверхпроводниковой пленке при произвольном виде спектральных функций |
Type |
Journal Article |
Year |
2011 |
Publication |
Ж. Радиоэлектрон. |
Abbreviated Journal |
|
Volume |
10 |
Issue |
|
Pages |
7 |
Keywords |
terahertz electromagnetic radiation; superconductors; detectors of terahertz range |
Abstract |
A problem of absorption of high-frequency electromagnetic field in dirty superconductor is treated within Keldysh technic. Expression for the source term in the kinetic equation for quasiparticle distribution function is derived. The result is significant for deriving a consistent microscopic theory of superconducting detectors for terahertz frequency range, perspective detectors on kinetic inductance of current-biased superconducting strip and on Josephson inductance of tunnel.
В технике Келдыша рассмотрена задача о поглощении мощности высокочастотного электромагнитного поля в сверхпроводнике, удовлетворяющем условию грязного предела. Получено выражение для члена источника в кинетическом уравнении для функции распределения квазичастиц, справедливое при произвольном виде спектральных функций. Этот результат имеет значение для развития последовательной микроскопической теории сверхпроводниковых детекторов излучения терагерцового диапазона, в частности, перспективных детекторов на кинетической индуктивности смещённой током сверхпроводниковой полоски и джозефсоновской индуктивности туннельного контакта. |
Address ![sorted by Address field, ascending order (up)](img/sort_asc.gif) |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
Duplicated as 1117 |
Approved |
no |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
713 |
Permanent link to this record |