|
Records |
Links |
|
Author |
Корнеева, Ю. П.; Михайлов, М. М.; Манова, Н. Н.; Дивочий, А. А.; Корнеев, А. А.; Вахтомин, Ю. Б.; Першин, Ю. П.; Гольцман, Г. Н. |
|
|
Title |
Сверхпроводниковый однофотонный детектор на основе аморфных пленок MoSi |
Type |
Conference Article |
|
Year |
2014 |
Publication |
Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» |
Abbreviated Journal |
|
|
|
Volume |
1 |
Issue |
|
Pages |
53-54 |
|
|
Keywords |
MoSi SSPD |
|
|
Abstract |
Нами были изготовлены и исследованы однофотонные детекторы на основе сверхпроводящих пленок Mo x Si 1-x двух различных стехиометрий: Mo 3 Si и Mo 4 Si. При температуре 1.7 К лучшие детекторы площадью 7 мкм*7 мкм на основе этих пленок продемонстрировали системную квантовую эффективность 18% при скорости темнового счета 10 с -1 на длине волны 1.2 мкм с использованием неполяризованного источника, длительность импульса – 6 нс, джиттер – 120 пс. |
|
|
Address |
Нижний Новгород, Россия |
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
|
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1836 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Смирнов, Константин Владимирович |
|
|
Title |
Энергетическая релаксация электронов в 2D-канале гетеропереходов GAAS/ALGAAS и транспортные процессы в структурах полупроводник-сверхпроводник на их основе |
Type |
Manuscript |
|
Year |
2000 |
Publication |
М. МПГУ |
Abbreviated Journal |
|
|
|
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
|
|
Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures, NbN films |
|
|
Abstract |
Диссертация посвящена изучению электрон-фононного взаимодействия в двумерном электронном газе, образующемся на границе раздела полупроводников AlGaAs и GaAs, а также созданию на основе гетероперехода GaAs/AlGaAs и сверхпроводника NbN гибридных структур сверхпроводник-полупроводник-сверхпроводник и изучению их электрофизических свойств. |
|
|
Address |
Москва, МПГУ |
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
Ph.D. thesis |
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
|
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1830 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Мошкова, М. А.; Дивочий, А. В.; Морозов, П. В.; Антипов, А. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, К. В. |
|
|
Title |
Оценка статистики распределения фотонов с использованием многоэлементного сверхпроводникового однофотонного детектора |
Type |
Conference Article |
|
Year |
2019 |
Publication |
Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е. В. Арменского |
Abbreviated Journal |
|
|
|
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
201-202 |
|
|
Keywords |
SSPD |
|
|
Abstract |
Проведен сравнительный анализ топологий сверхпроводниковых однофотонных детекторов с способностью к разрешению до четырёх фотонов в коротком импульсе ИК излучения. Получен детектор, с системной квантовой эффективностью ~85% на λ=1550 нм. Продемонстрирована возможность его использования для распределения числа фотонов импульсного источника излучения. |
|
|
Address |
Москва |
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
МИЭМ НИУ ВШЭ |
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
|
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1804 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Золотов, Ф. И.; Смирнов, К. В. |
|
|
Title |
Особенности осаждения разупорядоченных сверхтонких плёнок нитрида ванадия |
Type |
Conference Article |
|
Year |
2019 |
Publication |
Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е. В. Арменского |
Abbreviated Journal |
|
|
|
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
204-205 |
|
|
Keywords |
VN films |
|
|
Abstract |
В работе изучены особенности роста сверхтонких плёнок нитрида ванадия толщиной ~10 нм. Обнаружено, что при изменении температуры подложки и общего давления газов в процессе осаждения плёнок меняется значение их поверхностного сопротивления вблизи перехода к сверхпроводящему состоянию. |
|
|
Address |
Москва |
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
МИЭМ НИУ ВШЭ |
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
|
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1805 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Корнеев, А. А.; Окунев, О. В.; Чулкова, Г. М.; Смирнов, К. В.; Милостная, И. И.; Минаева, О. В.; Корнеева, Ю. П.; Каурова, Н. С.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. |
|
|
Title |
Спонтанные и фотоиндуцированные резистивные состояния в узких сверхпроводящих NbN полосках |
Type |
Book Whole |
|
Year |
2015 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
|
|
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
|
|
Keywords |
NbN films |
|
|
Abstract |
Монография посвящена актуальной проблеме современной фотоники: разработке высокочувствительных и быстродействующих сверхпроводниковых однофотонных детекторов на основе тонкой пленки NbN. В работе исследуются неравновесные процессы, протекающие в тонкой сверхпроводящей пленке после поглощения инфракрасного фотона и приводящие к возникновению резистивного состояния. На этих процессах основан механизм фотоотклика исследуемого в работе однофотонного детектора. В частности, исследуются зависимости квантовой эффективности и скорости темнового счета от геометрических параметров детектора: толщины пленки, ширины полоски, а также от величины транспортного тока детектора. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих исследователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники и радиофизики. |
|
|
Address |
Москва |
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
МПГУ |
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
978-5-4263-0269-3 |
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
УДК: 535; Число страниц: 108 |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1812 |
|
Permanent link to this record |