Home | << 1 2 3 >> |
![]() |
Records | |||||
---|---|---|---|---|---|
Author | Смирнов, К. В. | ||||
Title | AlGaAs/GaAs смеситель на эффекте разогрева двумерных электронов для тепловизора субмиллиметрового диапазона | Type | Abstract | ||
Year | 2003 | Publication | Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников | Abbreviated Journal | |
Volume | Issue | Pages | 181 | ||
Keywords | 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures, mixer | ||||
Abstract | |||||
Address ![]() |
ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санк-Петербург | ||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | Medium | |||
Area | Expedition | Conference | VI Российской конференции по физике полупроводников (27-31 октября) | ||
Notes | Unconfirmed; Сама конференция, однако, была -- её упоминают: [http://www.nsc.ru/HBC/article.phtml?nid=271&id=17], [https://www.isp.nsc.ru/institut/nauchnye-podrazdeleniya/lab-20/publikatsii/2003], [http://www.ioffe.ru/sem_tech/sem%5Fteh%5Fmovpe%5Fpublications%5Fru.htm#R2003], [https://istina.ips.ac.ru/collections/828771/] | Approved | no | ||
Call Number | Serial | 1837 | |||
Permanent link to this record | |||||
Author | Смирнов, Константин Владимирович | ||||
Title | Энергетическая релаксация электронов в 2D-канале гетеропереходов GAAS/ALGAAS и транспортные процессы в структурах полупроводник-сверхпроводник на их основе | Type | Manuscript | ||
Year | 2000 | Publication | М. МПГУ | Abbreviated Journal | |
Volume | Issue | Pages | |||
Keywords | 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures, NbN films | ||||
Abstract | Диссертация посвящена изучению электрон-фононного взаимодействия в двумерном электронном газе, образующемся на границе раздела полупроводников AlGaAs и GaAs, а также созданию на основе гетероперехода GaAs/AlGaAs и сверхпроводника NbN гибридных структур сверхпроводник-полупроводник-сверхпроводник и изучению их электрофизических свойств. | ||||
Address ![]() |
Москва, МПГУ | ||||
Corporate Author | Thesis | Ph.D. thesis | |||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | Medium | |||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | Approved | no | |||
Call Number | Serial | 1830 | |||
Permanent link to this record | |||||
Author | Смирнов, Константин Владимирович; Чулкова, Галина Меркурьевна; Вахтомин, Юрий Борисович; Корнеев, Александр Александрович; Окунев, Олег Валерьевич; Дивочий, Александр Валерьевич; Семенов, Александр Владимирович; Гольцман, Григорий Наумович | ||||
Title | Особенности разогрева и релаксации горячих электронов О-754 в тонкопленочных cверхпроводниковых наноструктурах и 2D полупроводниковых гетероструктурах при поглощении излучения инфракрасного и терагерцового диапазонов | Type | Book Whole | ||
Year | 2014 | Publication | Abbreviated Journal | ||
Volume | Issue | Pages | |||
Keywords | 2DEG | ||||
Abstract | В монографии рассмотрены основные особенности эффекта электронного разогрева в тонких сверхпроводниковых пленках и полупроводниковых гетеропереходах, возникающего при поглощении носителями заряда излучений терагерцового и инфракрасного диапазонов. Значительная часть монографии посвящена представлению современных достижений при использовании указанного эффекта для создания приемных устройств с рекордными характеристиками: терагерцовых гетеродинных и болометрических приемников на основе сверхпроводниковых и полупроводниковых структур; сверхпроводниковых приемников одиночных ИК фотонов. В работе также подробно рассмотрены основы современной сверхпроводниковой тонкопленочной технологии. Монография может быть полезна студентам старших курсов, аспирантам и начинающим исследователям, работающим в области физики твердого тела, оптики, радиофизики. |
||||
Address ![]() |
Москва | ||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | МПГУ | Place of Publication | Editor | ||
Language | Russian | Summary Language | Original Title | ||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | 978-5-4263-0145-0 | Medium | ||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | 240 страниц | Approved | no | ||
Call Number | Serial | 1814 | |||
Permanent link to this record | |||||
Author | Чулкова, Г. М.; Корнеев, А. А.; Смирнов, К. В.; Окунев, О. В. | ||||
Title | Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ик излучения на их основе | Type | Book Whole | ||
Year | 2012 | Publication | Abbreviated Journal | ||
Volume | Issue | Pages | |||
Keywords | 2DEG, AlGaAs/GaAs, NbN detectors | ||||
Abstract | Монография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электронное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интенсивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фонолами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники. | ||||
Address ![]() |
Москва | ||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Прометей, МПГУ | Place of Publication | Editor | ||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | 978-5-4263-0118-4 | Medium | ||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | УДК: 537.311 | Approved | no | ||
Call Number | Serial | 1818 | |||
Permanent link to this record | |||||
Author | Kawano, Yukio; Ishibashi, Koji | ||||
Title | An on-chip near-field terahertz probe and detector | Type | Journal Article | ||
Year | 2008 | Publication | Nature Photonics | Abbreviated Journal | Nature Photon |
Volume | 2 | Issue | 10 | Pages | 618-621 |
Keywords | single molecule, terahertz, THz, near-field, microscopy, imaging, 2DEG, GaAs/AlGaAs, detector, applications | ||||
Abstract | The advantageous properties of terahertz waves, such as their transmission through objects opaque to visible light, are attracting attention for imaging applications. A promising approach for achieving high spatial resolution is the use of near-field imaging. Although this method has been well established in the visible and microwave regions, it is challenging to perform in the terahertz region. In the terahertz techniques investigated to date, detectors have been located remotely from the probe, which degrades sensitivity, and the influence of far-field waves is unavoidable. Here we present a new integrated detection device for terahertz near-field imaging in which all the necessary detection components — an aperture, a probe and a terahertz detector — are integrated on one semiconductor chip, which is cryogenically cooled. This scheme allows highly sensitive, high-resolution detection of the evanescent field alone and promises new capabilities for high-resolution terahertz imaging. | ||||
Address ![]() |
|||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | 1749-4885 | ISBN | Medium | ||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | Approved | no | |||
Call Number | Serial | 570 | |||
Permanent link to this record | |||||
Author | Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. | ||||
Title | Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов | Type | Journal Article | ||
Year | 2010 | Publication | Физика и техника полупроводников | Abbreviated Journal | |
Volume | 44 | Issue | 11 | Pages | 1475-1478 |
Keywords | 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures mixers | ||||
Abstract | Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K. | ||||
Address ![]() |
|||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | Medium | |||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | Duplicated as 1216 | Approved | no | ||
Call Number | RPLAB @ gujma @ | Serial | 702 | ||
Permanent link to this record | |||||
Author | An, Zhenghua; Chen, Jeng-Chung; Ueda, T.; Komiyama, S.; Hirakawa, K. | ||||
Title | Infrared phototransistor using capacitively coupled two-dimensional electron gas layers | Type | Journal Article | ||
Year | 2005 | Publication | Applied Physics Letters | Abbreviated Journal | Appl. Phys. Lett. |
Volume | 86 | Issue | Pages | 172106 - 172106-3 | |
Keywords | 2DEG | ||||
Abstract | |||||
Address ![]() |
|||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | Medium | |||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | Approved | no | |||
Call Number | RPLAB @ akorneev @ | Serial | 603 | ||
Permanent link to this record | |||||
Author | Shah, Jagdeep; Pinczuk, A.; Gossard, A. C.; Wiegmann, W. | ||||
Title | Energy-loss rates for hot electrons and holes in GaAs quantum wells | Type | Journal Article | ||
Year | 1985 | Publication | Phys. Rev. Lett. | Abbreviated Journal | Phys. Rev. Lett. |
Volume | 54 | Issue | Pages | 2045-2048 | |
Keywords | 2DEG, GaAs/AlGaAs, heat flow, electron-phonon, hole-phonon, carrier-phonon, interactions | ||||
Abstract | We report the first direct determination of carrier-energy-loss rates in a semiconductor. These measurements provide fundamental insight into carrier-phonon interactions in semiconductors. Unexpectedly large differences are found in the energy-loss rates for electrons and holes in GaAs/AlGaAs quantum wells. This large difference results from an anomalously low electron-energy-loss rate, which we attribute to the presence of nonequilibrium optical phonons rather than the effects of reduced dimensionality or dynamic screening. | ||||
Address ![]() |
|||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | Medium | |||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | Approved | no | |||
Call Number | Serial | 633 | |||
Permanent link to this record | |||||
Author | Shaha, Jagdeep; Pinczukb, A.; Gossardb, A. C.; Wiegmannb, W. | ||||
Title | Hot carrier energy loss rates in GaAs quantum wells: large differences between electrons and holes | Type | Journal Article | ||
Year | 1985 | Publication | Phys. B+C | Abbreviated Journal | |
Volume | 134 | Issue | 1-3 | Pages | 174-178 |
Keywords | 2DEG, GaAs/AlGaAs, heat flow, electron-phonon, hole-phonon, carrier-phonon, interactions | ||||
Abstract | The first direct and separate determination of the hot electron and hot hole energy loss rates to the lattice shows unexpectedly large differences between electrons and holes in GaAs quantum wells. This large difference results from an anomalously low electron energy loss rate, which we attribute to the presence of non-equilibrium optical phonon rather than the effects of reduced dimensionality or dynamic screening. A model calculation of hot phonon effects is presented. | ||||
Address ![]() |
|||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | Medium | |||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | Approved | no | |||
Call Number | Serial | 634 | |||
Permanent link to this record | |||||
Author | Uchiki, Hisao; Kobayashi, Takayoshi; Sakaki, Hiroyuki | ||||
Title | Photoluminescence and energyâ€loss rates in GaAs quantum wells under highâ€density excitation | Type | Journal Article | ||
Year | 1987 | Publication | J. Appl. Phys. | Abbreviated Journal | |
Volume | 62 | Issue | 3 | Pages | 1010-1016 |
Keywords | 2DEG, GaAs/AlGaAs, heat flow, electron-phonon, hole-phonon, carrier-phonon, interactions | ||||
Abstract | The timeâ€resolved luminescence spectra from excited conduction subbands in three samples of multiâ€quantumâ€well GaAs/AlxGa1-xAs (x=0.3 and 1) semiconductors with several well widths and barrier heights were obtained under highâ€density excitations by a 30â€ps pulsed laser at 532 nm, which generated electron–hole pairs to the concentration of 1010–1013/cm2 per well per pulse at 77 K. The temperature and the Fermi energy of electron were determined by fitting best the constructed timeâ€resolved spectrum to the observed, and the timeâ€dependent electron energy was obtained by using these parameters. The energyâ€loss rates of hot electrons are at least twice smaller than the calculated ones induced by the electronâ€polar phonon scattering, including the screening effect due to the high carrier density. | ||||
Address ![]() |
|||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | Medium | |||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | Approved | no | |||
Call Number | Serial | 635 | |||
Permanent link to this record |