Author |
Title |
Year |
Publication |
Volume |
Pages |
Васильева, И. А.; Компанеец, В. В.; Красная, Ж. А.; Чижикова, З. А. |
Проявление внутримолекулярных вибронных взаимодействий в тонкоструктурных спектрах флуоресценции и возбуждения флуоресценции полиеновых δ-диметиламинокетонов |
2011 |
Оптический журнал |
78 |
3-8 |
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge |
1989 |
Физика и техника полупроводников |
23 |
1356-1361 |
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
24 |
1881-1883 |
Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
24 |
3-24 |
Гершензон, Е. М.; Гершензон, М. Е.; Гольцман, Г. Н.; Люлькин, А. М.; Семенов, А. Д.; Сергеев, А. В. |
О предельных характеристиках быстродействующих серхпроводниковых болометров |
1989 |
Журнал технической физики |
59 |
111-120 |
Гершензон, Е. М.; Гершензон, М. Е.; Гольцман, Г. Н.; Семенов, А. Д.; Сергеев, А. В. |
Неселективное воздействие электромагнитного излучения на сверхпроводящую пленку в резистивном состоянии |
1982 |
Письма в ЖЭТФ |
36 |
241-244 |
Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Кагане, М. Л.; Мултановский, В. В.; Птицина, Н. Г. |
Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
17 |
1430-1437 |
Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Карасик, Б. С.; Потоскуев, С. Э. |
Разогрев электронов в резистивном состоянии сверхпроводника электромагнитным излучением значительной интенсивности |
1988 |
Физика низких температур |
14 |
753-763 |
Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе |
1991 |
Физика и техника полупроводников |
25 |
1986-1998 |
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. |
Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ |
1986 |
Физика и техника полупроводников |
20 |
99-103 |
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И. |
Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
17 |
1873-1876 |
Гершензон, Е. М.; Мельников, А. П.; Рабинович, Р. И.; Смирнова, В. Б. |
О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
17 |
499-501 |
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. |
Спин-решеточная релаксация доноров фосфора в кремнии при одноосной деформации образца |
1985 |
Физика и техника полупроводников |
19 |
1696-1698 |
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. |
О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии |
1984 |
Физика и техника полупроводников |
18 |
421-425 |
Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.; Ригер, Е. Р. |
Оже-рекомбинация свободных носителей на мелких донорах в германии |
1984 |
Физика и техника полупроводников |
18 |
1684-1686 |