|   | 
Details
   web
Records
Author (down) Гершензон, Е. М.; Гершензон, М. Е.; Гольцман, Г. Н.; Семенов, А. Д.; Сергеев, А. В.
Title Неселективное воздействие электромагнитного излучения на сверхпроводящую пленку в резистивном состоянии Type Journal Article
Year 1982 Publication Письма в ЖЭТФ Abbreviated Journal Письма в ЖЭТФ
Volume 36 Issue 7 Pages 241-244
Keywords
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1717 Approved no
Call Number MSPU @ s @ Serial 225
Permanent link to this record
 

 
Author (down) Гершензон, Е. М.; Гершензон, М. Е.; Гольцман, Г. Н.; Люлькин, А. М.; Семенов, А. Д.; Сергеев, А. В.
Title О предельных характеристиках быстродействующих серхпроводниковых болометров Type Journal Article
Year 1989 Publication Журнал технической физики Abbreviated Journal Журнал технической физики
Volume 59 Issue 2 Pages 111-120
Keywords HEB
Abstract Теоретически и экспериментально исследовано физическое ограничение быстродействия сверхпроводящего болометра. Показано, что минимальная постоянная времени реализуется в условиях электронного разогрева и определяется процессом неупругого электрон-фонон- ного взаимодействия. Сформулированы требования кконструкции «электронного болометра» для достижения предельной чувствительности. Проведено сравнение характеристик электронного болометра и обычных болометров различных типов.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 237 Approved no
Call Number Serial 238
Permanent link to this record
 

 
Author (down) Гершензон, Е. М.
Title Воздействие электромагнитного излучения на сверхпроводящую плёнку ниобия в резистивном состоянии Type Conference Article
Year 1982 Publication Тезисы докладов 22 Всесоюзной конференции по физике низких температур Abbreviated Journal
Volume Issue Pages 79-80
Keywords
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 231
Permanent link to this record
 

 
Author (down) Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б.
Title Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах Type Journal Article
Year 1990 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 24 Issue 1 Pages 3-24
Keywords compensated n-InSb, impurities
Abstract Представлен обзор результатов цикла исследований природы электропроводности предельно очищенных образцов антимонида индия n-типа. Рассмотрены способы определения концентрации доноров и степени компенсации в этом материале, обсуждается роль свободных и локализованных на донорах электронов в электропроводности при гелиевых температурах. Обсуждение основано на анализе результатов исследования гальваномагнитных явлений, поглощения СВЧ излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов и ультразвука. Рассмотрены способы определения характеристик материала на основе комплекса результатов, полученных с помощью указанных методов. Обсуждается также фотопроводимость по примесям в n-InSb.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1756
Permanent link to this record
 

 
Author (down) Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.
Title Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge Type Journal Article
Year 1989 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 23 Issue 8 Pages 1356-1361
Keywords Ge, crystallography
Abstract Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1692 Approved no
Call Number Serial 1691
Permanent link to this record
 

 
Author (down) Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.
Title Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge Type Journal Article
Year 1990 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 24 Issue 10 Pages 1881-1883
Keywords impurities, photoconductivity, Ge, capture of free carriers, magnetic field
Abstract Цель настоящей работы — измерение кинетики примесной фотопроводи­мости в квантующих магнитных полях.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1755
Permanent link to this record
 

 
Author (down) Вахтомин, Ю. Б.; Антипов, С. В.; Масленников, С. Н.; Смирнов, К. В.; Поляков, С. Л.; Чжан, В.; Свечников, С. И.; Каурова, Н. С.; Гришина, Е. В.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н.
Title Квазиоптические смесители терагерцового диапазона на основе эффекта разогрева электронов в тонких пленках NbN Type Conference Article
Year 2006 Publication Proc. 16th Int. Crimean Microwave and Telecommunication Technology Abbreviated Journal
Volume 2 Issue Pages 688-689
Keywords NbN HEB mixers
Abstract Представлены результаты измерения рактеристик смесителей на эффекте разогрева электронов в тонких сверхпроводниковых пленках NbN. Смесители были изготовлены на основе пленок NbN толщиной 2-3.5 нм осажденных на кремниевую подложку с буферным подсло- ем MgO. Смесительный элемент согласовывался с планар- ной логопериодической спиральной антенной. Лучшее зна- чение шумовой температуры приемника на основе NbN смесителя составило 1300 К и 3100 К на частотах гетеро- дина 2.5 TГц и 3.8 ТГц, соответственно. Максимальное зна- чение полосы преобразования, измеренной на частоте 900 |Ц, достигло значения 5.2 ГГц для смесителя изготовлен- ного из NbN пленки толщиной 2 нм. Оптимальная мощность Представлены результаты измерения ха- гетеродинного источника составила 1-3 мкВт для смесите- лей с различным объемом смесительного элемента.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1445 Approved no
Call Number Serial 1446
Permanent link to this record
 

 
Author (down) Васильева, И. А.; Компанеец, В. В.; Красная, Ж. А.; Чижикова, З. А.
Title Проявление внутримолекулярных вибронных взаимодействий в тонкоструктурных спектрах флуоресценции и возбуждения флуоресценции полиеновых δ-диметиламинокетонов Type Journal Article
Year 2011 Publication Оптический журнал Abbreviated Journal Опт. ж.
Volume 78 Issue 5 Pages 3-8
Keywords спектры флуоресценции; вибрационный анализ; адиабатическое гармоническое приближение; бесфононная линия; фононное крыло
Abstract Проведен вибрационный анализ спектров флуоресценции и возбуждения флуоресценции, полученных методом Шпольского при 4,2 K. Рассчитаны параметры внутримолекулярных взаимодействий двух δ-диметиламинокетонов. Для определения интегральных интенсивностей вибронных полос в спектрах с тонкой структурой на интенсивном сплошном фоне выполнено моделирование спектров путем представления полосы каждого из вибронных переходов бесфононной линией и фононным крылом с определенными параметрами (полуширинами, фактором Дебая–Валлера). Показано, что нарушение зеркальной симметрии в сопряженных спектрах флуоресценции и возбуждения флуоресценции этих двух соединений может быть обÑŠяснено интерференцией франк-кондоновского и герцберг-теллеровского взаимодействий.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 721
Permanent link to this record
 

 
Author (down) Бурмистрова, А. В.; Девятов, И. А.
Title Расчет электронного транспорта в гетероструктурах, содержащих многозонные сверхпроводники Type Conference Article
Year 2014 Publication Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» Abbreviated Journal
Volume 1 Issue Pages 21-22
Keywords N/I/Sp junctions
Abstract В рамках приближения сильной связи теоретически рассчитаны проводимости контактов вида нормальный металл/изолятор/одноорбитальный сверхпроводник с p-типом сверхпроводящего спаривания (N/I/Sp). Объяснено наблюдаемое экспериментально как появление пика при нулевом напряжении, так и его расщепление в зависимости от толщины слоя изолятора. В рамках этой же микроскопической теории развит вариант техники решеточной функции Грина в мацубаровом представлении. Используя разработанный подход, рассчитаны фазовые и температурные зависимости тока Джозефсона для контакта сверхпроводника s-типа и многозонного железосодержащего сверхпроводника (ферропниктида) для различных ориентаций границы по отношению к кристаллографическим осям пниктида.
Address Нижний Новгород, Россия
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1834
Permanent link to this record
 

 
Author (down) Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б.
Title Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла Type Journal Article
Year 1990 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 24 Issue 12 Pages 2145-2150
Keywords Hall constant, concentration of impurities, p-Si
Abstract На примере p-Si⟨B,\,Ga⟩ с различной степенью компенсации проведена сравнительная оценка точности определения раздельной концентрации примесей по температурной зависимости концентрации дырок p(T) в случае одной и двух легирующих примесей с энергиями ионизации, различающимися менее чем в 2 раза. Исследована функция среднеквадратичного отклонения в пространстве параметров D(Nк, N2) (Nк, N1 и N2 — концентрации компенсирующих примесей бора и галлия соответственно, N2≫N1) в предположении, что N2, энергии B и Ga известны. Показано, что в случае двух легирующих примесей D(Nк, N1) в окрестностях минимума имеет «овражный» рельеф и при некоторых соотношениях между Nк и N1 разброс искомых величин превышает порядок, причем увеличение точности измерений p(T) существенного улучшения в вычислении параметров не дает. При одной легирующей примеси точность вычисления параметров высокая.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1754
Permanent link to this record