Home << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> [11–20]
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   web
Author (down) Title Year Publication Volume Pages
Гольцман, Г.Н.; Лудков, Д.Н. Сверхпроводниковые смесители на горячих электронах терагерцового диапазона и их применение в радиоастрономии 2003 Изв. высших учебных заведений. Радиофизика 46
Гольцман, Г. Н.; Смирнов, К. В. По итогам проектов российского фонда фундаментальных исследований. Проект РФФИ # 98-02-16897 Электрон-фононное взаимодействие в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах 2001 Письма в ЖЭТФ 74 532-538
Гольцман, Г. Н.; Разумовская, И. В.; Окунев, О. В; Чулкова, Г. М.; Корнеев, А. А.; Финкель, М. И.; Масленников, С. Н.; Семенов, А. В.; Александров, В. Н. Сборник программ учебных дисциплин профессионального цикла подготовки магистров и бакалавров по направлению «Физика» 2011 Прометей 67
Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.; Ригер, Е. Р. Оже-рекомбинация свободных носителей на мелких донорах в германии 1984 Физика и техника полупроводников 18 1684-1686
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. Спин-решеточная релаксация доноров фосфора в кремнии при одноосной деформации образца 1985 Физика и техника полупроводников 19 1696-1698
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии 1984 Физика и техника полупроводников 18 421-425
Гершензон, Е. М.; Мельников, А. П.; Рабинович, Р. И.; Смирнова, В. Б. О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси 1983 Физика и техника полупроводников 17 499-501
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И. Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда 1983 Физика и техника полупроводников 17 1873-1876
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ 1986 Физика и техника полупроводников 20 99-103
Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе 1991 Физика и техника полупроводников 25 1986-1998
Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Карасик, Б. С.; Потоскуев, С. Э. Разогрев электронов в резистивном состоянии сверхпроводника электромагнитным излучением значительной интенсивности 1988 Физика низких температур 14 753-763
Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Кагане, М. Л.; Мултановский, В. В.; Птицина, Н. Г. Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках 1983 Физика и техника полупроводников 17 1430-1437
Гершензон, Е. М.; Гершензон, М. Е.; Гольцман, Г. Н.; Семенов, А. Д.; Сергеев, А. В. Неселективное воздействие электромагнитного излучения на сверхпроводящую пленку в резистивном состоянии 1982 Письма в ЖЭТФ 36 241-244
Гершензон, Е. М.; Гершензон, М. Е.; Гольцман, Г. Н.; Люлькин, А. М.; Семенов, А. Д.; Сергеев, А. В. О предельных характеристиках быстродействующих серхпроводниковых болометров 1989 Журнал технической физики 59 111-120
Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах 1990 Физика и техника полупроводников 24 3-24