Author ![sorted by Author field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
Title |
Year |
Publication |
Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge |
1989 |
Физика и техника полупроводников |
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
Вахтомин, Ю. Б.; Антипов, С. В.; Масленников, С. Н.; Смирнов, К. В.; Поляков, С. Л.; Чжан, В.; Свечников, С. И.; Каурова, Н. С.; Гришина, Е. В.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. |
Квазиоптические смесители терагерцового диапазона на основе эффекта разогрева электронов в тонких пленках NbN |
2006 |
Proc. 16th Int. Crimean Microwave and Telecommunication Technology |
Бурмистрова, А. В.; Девятов, И. А. |
Расчет электронного транспорта в гетероструктурах, содержащих многозонные сверхпроводники |
2014 |
Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» |