Home | << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> [11–20] |
![]() |
Records | |||||
---|---|---|---|---|---|
Author | Korneeva, Yuliya; Florya, Irina; Vdovichev, Sergey; Moshkova, Mariya; Simonov, Nikita; Kaurova, Natalia; Korneev, Alexander; Goltsman, Gregory | ||||
Title | Comparison of hot-spot formation in NbN and MoN thin superconducting films after photon absorption | Type | Conference Article | ||
Year | 2017 | Publication | IEEE Transactions on Applied Superconductivity | Abbreviated Journal | IEEE Transactions on Applied Superconductiv |
Volume | 27 | Issue | 4 | Pages | 5 |
Keywords | Thin film devices, Superconducitng photoncounting devices, Nanowire single-photon detectors | ||||
Abstract | In superconducting single-photon detectors SSPD the efficiency of local suppression of superconductivity and hotspot formation is controlled by diffusivity and electron-phonon interaction time. Here we selected a material, 3.6-nm-thick MoNx film, which features diffusivity close to those of NbN traditionally used for SSPD fabrication, but with electron-phonon interaction time an order of magnitude larger. In MoNx detectors we study the dependence of detection efficiency on bias current, photon energy, and strip width and compare it with NbN SSPD. We observe non-linear current-energy dependence in MoNx SSPD and more pronounced plateaus in dependences of detection efficiency on bias current which we attribute to longer electronphonon interaction time. |
||||
Address | |||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | Medium | |||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | Approved | no | |||
Call Number ![]() |
RPLAB @ kovalyuk @ | Serial | 1114 | ||
Permanent link to this record | |||||
Author | Elezov, M. S.; Ozhegov, R. V.; Goltsman, G. N.; Makarov, V. | ||||
Title | Development of the experimental setup for investigation of latching of superconducting single-photon detector caused by blinding attack on the quantum key distribution system | Type | Conference Article | ||
Year | 2017 | Publication | EPJ Web of Conferences | Abbreviated Journal | EPJ Web of Conferences |
Volume | 132 | Issue | 2 | Pages | 2 |
Keywords | |||||
Abstract | Recently bright-light control of the SSPD has been demonstrated. This attack employed a “backdoor†in the detector biasing scheme. Under bright-light illumination, SSPD becomes resistive and remains “latched†in the resistive state even when the light is switched off. While the SSPD is latched, Eve can simulate SSPD single-photon response by sending strong light pulses, thus deceiving Bob. We developed the experimental setup for investigation of a dependence on latching threshold of SSPD on optical pulse length and peak power. By knowing latching threshold it is possible to understand essential requirements for development countermeasures against blinding attack on quantum key distribution system with SSPDs. |
||||
Address | |||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | Medium | |||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | Approved | no | |||
Call Number ![]() |
RPLAB @ kovalyuk @ | Serial | 1116 | ||
Permanent link to this record | |||||
Author | Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. | ||||
Title | Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов | Type | Journal Article | ||
Year | 2010 | Publication | Физика и техника полупроводников | Abbreviated Journal | |
Volume | 44 | Issue | 11 | Pages | 1475-1478 |
Keywords | 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures mixers | ||||
Abstract | Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K. | ||||
Address | |||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | Medium | |||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | Duplicated as 1216 | Approved | no | ||
Call Number ![]() |
RPLAB @ gujma @ | Serial | 702 | ||
Permanent link to this record | |||||
Author | Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. | ||||
Title | Концентрационная зависимость полосы преобразования смесителей субмиллиметрового диапазона на основе наноструктур AlGaAs/GaAs | Type | Journal Article | ||
Year | 2010 | Publication | Изв. РАН Сер. Физ. | Abbreviated Journal | Изв. РАН Сер. Физ. |
Volume | 74 | Issue | 1 | Pages | 110-112 |
Keywords | 2DEG AlGaAs/GaAs heterostructures, THz heterodyne detectors, IF bandwidth | ||||
Abstract | Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением при Т = 4.2 К измерена концентрационная зависимость полосы преобразования гетеродинного детектирования гетероструктур AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом. С увеличением концентрации двумерных электронов ns = (1.6–6.6) · 1011см-2 ширина полосы преобразования f3dB уменьшается от 245 до 145 МГц. В исследованной области концентраций наблюдается зависимость f3dB , обусловленная рассеянием электронов на деформационном потенциале акустических фононов и пьезоэлектрическим рассеянием. | ||||
Address | |||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Russian | Summary Language | Original Title | ||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | Medium | |||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | Duplicated as 1217 | Approved | no | ||
Call Number ![]() |
RPLAB @ gujma @ | Serial | 642 | ||
Permanent link to this record | |||||
Author | Пентин, И. В.; Смирнов, К. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, А. В.; Ожегов, Р. В.; Дивочий, А. В.; Гольцман, Г. Н. | ||||
Title | Быстродействующий терагерцевый приемник и инфракрасный счетчик одиночных фотонов на эффекте разогрева электронов в сверхпроводниковых тонкопленочных наноструктурах | Type | Journal Article | ||
Year | 2011 | Publication | Труды МФТИ | Abbreviated Journal | Труды МФТИ |
Volume | 3 | Issue | 2 | Pages | 38-42 |
Keywords | SSPD, SNSPD, HEB | ||||
Abstract | Представлены результаты создания приемных систем терагерцевого диапазона (0.3-70 ТГц), обладающих рекордным быстродействием (50 пс) и высокой чувствительностью (до 5x 10^(-14) Вт/Гц^(1/2)), а также однофотонных приемных систем ближнего инфракрасного диапазона с квантовой эффективностью 25 %, уровнем темнового счета 10-1c., максимальной скоростью счета ~ 100 МГц и временным разрешением до 50 пс. | ||||
Address | |||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | Medium | |||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | Approved | no | |||
Call Number ![]() |
RPLAB @ gujma @ | Serial | 707 | ||
Permanent link to this record |