Author |
Title |
Year |
Publication |
DOI ![sorted by DOI field, ascending order (up)](img/sort_asc.gif) |
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. |
Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ |
1986 |
Физика и техника полупроводников |
|
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И. |
Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
|
Emelianov, A. V.; Nekrasov, N. P.; Moskotin, M. V.; Fedorov, G. E.; Otero, N.; Romero, P. M.; Nevolin, V. K.; Afinogenov, B. I.; Nasibulin, A. G.; Bobrinetskiy, I. I. |
Individual SWCNT transistor with photosensitive planar junction induced by two‐photon oxidation |
2021 |
Adv. Electron. Mater. |
10.1002/aelm.202000872 |
Ozhegov, R. V.; Gorshkov, K. N.; Vachtomin, Y. B.; Smirnov, K. V.; Finkel, M. I.; Goltsman, G. N.; Kiselev, O. S.; Kinev, N. V.; Filippenko, L. V.; Koshelets, V. P. |
Terahertz imaging system based on superconducting heterodyne integrated receiver |
2014 |
Proc. THz and Security Applications |
10.1007/978-94-017-8828-1_6 |
Dube, I.; Jiménez, D.; Fedorov, G.; Boyd, A.; Gayduchenko, I.; Paranjape, M.; Barbara, P. |
Understanding the electrical response and sensing mechanism of carbon-nanotube-based gas sensors |
2015 |
Carbon |
10.1016/j.carbon.2015.01.060 |
Gayduchenko, I. A.; Moskotin, M. V.; Matyushkin, Y. E.; Rybin, M. G.; Obraztsova, E. D.; Ryzhii, V. I.; Goltsman, G. N.; Fedorov, G. E. |
The detection of sub-terahertz radiation using graphene-layer and graphene-nanoribbon FETs with asymmetric contacts |
2018 |
Materials Today: Proc. |
10.1016/j.matpr.2018.08.155 |
Gayduchenko, I.; Xu, S. G.; Alymov, G.; Moskotin, M.; Tretyakov, I.; Taniguchi, T.; Watanabe, K.; Goltsman, G.; Geim, A. K.; Fedorov, G.; Svintsov, D.; Bandurin, D. A. |
Tunnel field-effect transistors for sensitive terahertz detection |
2021 |
Nat. Commun. |
10.1038/s41467-020-20721-z |
Fedorov, G. E.; Gaiduchenko, I. A.; Golikov, A. D.; Rybin, M. G.; Obraztsova, E. D.; Voronov, B. M.; Coquillat, D.; Diakonova, N.; Knap, W.; Goltsman, G. N.; Samartsev, V. V.; Vinogradov, E. A.; Naumov, A. V.; Karimullin, K. R. |
Response of graphene based gated nanodevices exposed to THz radiation |
2015 |
EPJ Web of Conferences |
10.1051/epjconf/201510310003 |
Belosevich, V. V.; Gayduchenko, I. A.; Titova, N. A.; Zhukova, E. S.; Goltsman, G. N.; Fedorov, G. E.; Silaev, A. A. |
Response of carbon nanotube film transistor to the THz radiation |
2018 |
EPJ Web Conf. |
10.1051/epjconf/201819505012 |
Bandurin, D. A.; Gayduchenko, I.; Cao, Y.; Moskotin, M.; Principi, A.; Grigorieva, I. V.; Goltsman, G.; Fedorov, G.; Svintsov, D. |
Dual origin of room temperature sub-terahertz photoresponse in graphene field effect transistors |
2018 |
Appl. Phys. Lett. |
10.1063/1.5018151 |