Home [21–30] << 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 >> [41–50]
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   web
Author Title Year Publication Volume Pages
Gol’tsman, G.N. Overview of recent results for superconducting NbN terahertz and optical detectors and mixers 2014 SM2 – Seminar on Terahertz Photonics 0562
Pentin, Ivan; Finkel, Matvey; Maslennikov, Sergey; Vakhtomin, Yuri; Smirnov, Konstantin; Kaurova, Nataliya; Goltsman, Gregory Superconducting hot-electron-bolometer mixers for the mid-IR 2017 Rus. J. Radio Electron.
Averkin, A. S.; Shishkin, A. G.; Chichkov, V. I.; Voronov, B. M.; Goltsman, G. N.; Karpov, A.; Ustinov, A. V. Tunable frequency-selective surface based on superconducting split-ring resonators 2014 8th Metamaterials
Verevkin, A.; Zhang, J.; Pearlman, A.; Slysz, W.; Sobolewski, Roman; Korneev, A.; Kouminov, P.; Okunev, O.; Chulkova, G.; Gol'tsman, G. Ultimate sensitivity of superconducting single-photon detectors in the visible to infrared range 2004 ResearchGate
Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе 1991 Физика и техника полупроводников 25 1986-1998
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б. Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла 1990 Физика и техника полупроводников 24 2145-2150
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge 1990 Физика и техника полупроводников 24 1881-1883
Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах 1990 Физика и техника полупроводников 24 3-24
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках 1989 Физика и техника полупроводников 23 338-345
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ 1986 Физика и техника полупроводников 20 99-103