Ryabchun, S., Tong, C. - Y. E., Blundell, R., & Gol'tsman, G. (2009). Stabilization scheme for hot-electron bolometer receivers using microwave radiation. IEEE Trans. Appl. Supercond., 19(1), 14–19.
Abstract: We present the results of a stabilization scheme for terahertz receivers based on NbN hot-electron bolometer (HEB) mixers that uses microwave radiation with a frequency much lower than the gap frequency of NbN to compensate for mixer current fluctuations. A feedback control loop, which actively controls the power level of the injected microwave radiation, has successfully been implemented to stabilize the operating point of the HEB mixer. This allows us to increase the receiver Allan time to 10 s and also improve the temperature resolution of the receiver by about 30% in the total power mode of operation.
|
Флоря, И. Н., Корнеева, Ю. П., Корнеев, А. А., & Гольцман, Г. Н. (2011). Сверхпроводниковый однофотонный детектор для среднего инфракрасного диапазона на основе узких параллельных полосок. Труды МФТИ, 3(2), 14–17.
Abstract: Мы рассматриваем ультрабыстрый сверхпроводниковый однофотонный детектор (SSPD). SSPD представляет собой тонкопленочную наноструктуру — очень узкую и длинную полоску сверхпроводника, изогнутую в виде меандра, изготовленную из пленки NbN толщиной 4 нм, нанесенной на сапфировую подложку. SSPD хорошо сопрягается с оптоволокном и легко может быть интегрирован в полностью готовую для работы приемную систему. В стремлении продвинуться в средний ИК диапозон нам удалось разработать SSPD в виде параллельно соединенных полосок с шириной полоски всего 50 нм и сохранить при этом сверхпроводящие свойства. Эти детекторы показывают более чем на порядок большую чувствительность на длине волны 3;5 мкм, чем SSPD в виде меандра. Полученные результаты открывают путь к эффективным детекторам среднего ИК-диапазона, обладающим скоростью счета свыше 1 ГГц.
|
Moshkova, M., Divochiy, A., Morozov, P., Vakhtomin, Y., Antipov, A., Zolotov, P., et al. (2019). High-performance superconducting photon-number-resolving detectors with 86% system efficiency at telecom range. J. Opt. Soc. Am. B, 36(3), B20.
Abstract: The use of improved fabrication technology, highly disordered NbN thin films, and intertwined section topology makes it possible to create high-performance photon-number-resolving superconducting single-photon detectors (PNR SSPDs) that are comparable to conventional single-element SSPDs at the telecom range. The developed four-section PNR SSPD has simultaneously an 86±3% system detection efficiency, 35 cps dark count rate, ∼2 ns dead time, and maximum 90 ps jitter. An investigation of the PNR SSPD’s detection efficiency for multiphoton events shows good uniformity across sections. As a result, such a PNR SSPD is a good candidate for retrieving the photon statistics for light sources and quantum key distribution systems.
|
Shurakov, A., Mikhalev, P., Mikhailov, D., Mityashkin, V., Tretyakov, I., Kardakova, A., et al. (2018). Ti/Au/n-GaAs planar Schottky diode with a moderately Si-doped matching sublayer. Microelectronic Engineering, 195, 26–31.
Abstract: In this paper, we report on the results of the study of the Ti/Au/n-GaAs planar Schottky diodes (PSD) intended for the wideband detection of terahertz radiation. The two types of the PSD devices were compared having either the dual n/n+ silicon dopant profile or the triple one with a moderately doped matching sublayer inserted. All the diodes demonstrated no noticeable temperature dependence of ideality factors and barrier heights, whose values covered the ranges of 1.15–1.50 and 0.75–0.85 eV, respectively. We observed the lowering of the flat band barrier height of ∼80 meV after introducing the matching sublayer into the GaAs sandwich. For both the devices types, the series resistance value as low as 20 Ω was obtained. To extract the total parasitic capacitance, we performed the Y-parameters analysis within the electromagnetic modeling of the PSD's behavior via the finite-element method. The capacitance values of 12–12.2 fF were obtained and further verified by measuring the diodes' response voltages in the frequency range of 400–480 GHz. We also calculated the AC current density distribution within the layered structures similar to those being experimentally studied. It was demonstrated that insertion of the moderately Si-doped matching sublayer might be beneficial for implementation of a PSD intended for the operation within the ‘super-THz’ frequency range.
|
Ларионов, П. А., Рябчун, С. А., Финкель, М. И., & Гольцман, Г. Н. (2011). Вывешенный сверхпроводящий детектор терагерцового диапазона. Труды МФТИ, 3(2), 29–30.
Abstract: Рассматриваются технологические особенности создания чувствительного вывешен- ного детектора терагерцевого диапазона на основе плёнки MoRe. Предлагается воз- можный маршрут создания такого детектора и поясняется выбор материалов, ис- пользуемых для создания детектора.
|
