| Author |
Title |
Year |
Publication |
Volume |
Pages  |
| Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
24 |
1881-1883 |
| Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
17 |
1896-1898 |
| Danerud, M.; Winkler, D.; Lindgren, M.; Zorin, M.; Trifonov, V.; Karasik, B. S.; Gol’tsman, G. N.; Gershenzon, E. M. |
Nonequilibrium and bolometric photoresponse in patterned YBa2Cu3O7−δ thin films |
1994 |
J. Appl. Phys. |
76 |
1902-1909 |
| Budyanskij, M. Ya.; Sejdman, L. A.; Voronov, B. M.; Gubkina, T. O. |
Increase of reproducibility in production of superconducting thin films of niobium nitride |
1992 |
Sverkhprovodimost': Fizika, Khimiya, Tekhnika |
5 |
1950-1954 |
| Gol'tsman, G. N.; Kouminov, P.; Goghidze, I.; Gershenzon, E. M. |
Nonequilibrium kinetic inductive response of YBaCuO thin films to low-power laser pulses |
1994 |
Phys. C: Supercond. |
235-240 |
1979-1980 |
