Home << 1 2 >>
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   web
Author Title Year Publication Volume Pages (down)
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б. Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла 1990 Физика и техника полупроводников 24 2145-2150
Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе 1991 Физика и техника полупроводников 25 1986-1998
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии 1983 Физика и техника полупроводников 17 1896-1898
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge 1990 Физика и техника полупроводников 24 1881-1883
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И. Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда 1983 Физика и техника полупроводников 17 1873-1876
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. Спин-решеточная релаксация доноров фосфора в кремнии при одноосной деформации образца 1985 Физика и техника полупроводников 19 1696-1698
Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.; Ригер, Е. Р. Оже-рекомбинация свободных носителей на мелких донорах в германии 1984 Физика и техника полупроводников 18 1684-1686
Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов 2010 Физика и техника полупроводников 44 1475-1478
Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Кагане, М. Л.; Мултановский, В. В.; Птицина, Н. Г. Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках 1983 Физика и техника полупроводников 17 1430-1437
Gershenzon, E. M.; Gurvich, Y. A.; Orlova, S. L.; Ptitsina, N. G. Scattering of electrons by charged impurities in Ge under cyclotron resonance conditions 1976 Presumably: Sov. Phys. Semicond. | Физика и техника полупроводников 10 1379-1383