Home << 1 2 >>
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   web
Author Title Year Publication Volume Pages (down)
An, Zhenghua; Chen, Jeng-Chung; Ueda, T.; Komiyama, S.; Hirakawa, K. Infrared phototransistor using capacitively coupled two-dimensional electron gas layers 2005 Applied Physics Letters 86 172106 - 172106-3
Verevkin, A. A.; Ptitsina, N. G.; Chulcova, G. M.; Gol'Tsman, G. N.; Gershenzon, E. M.; Yngvesson, K. S. Determination of the limiting mobility of a two-dimensional electron gas in AlxGa1-xAs/GaAs heterostructures and direct measurement of the energy relaxation time 1996 Phys. Rev. B Condens. Matter. 53 R7592-R7595
Shah, Jagdeep; Pinczuk, A.; Gossard, A. C.; Wiegmann, W. Energy-loss rates for hot electrons and holes in GaAs quantum wells 1985 Phys. Rev. Lett. 54 2045-2048
Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов 2010 Физика и техника полупроводников 44 1475-1478
Shangina, E. L.; Smirnov, K. V.; Morozov, D. V.; Kovalyuk, V. V.; Gol’tsman, G. N.; Verevkin, A. A.; Toropov, A. I. Frequency bandwidth and conversion loss of a semiconductor heterodyne receiver with phonon cooling of two-dimensional electrons 2010 Semicond. 44 1427-1429
Uchiki, Hisao; Kobayashi, Takayoshi; Sakaki, Hiroyuki Photoluminescence and energy‐loss rates in GaAs quantum wells under high‐density excitation 1987 J. Appl. Phys. 62 1010-1016
Kawano, Yukio; Ishibashi, Koji An on-chip near-field terahertz probe and detector 2008 Nature Photonics 2 618-621
Verevkin, A. I.; Ptitsina, N. G.; Chulkova, G. M.; Gol'tsman, G. N.; Gershenzon, E. M.; Yngvesson, K. S. Electron energy relaxation in a 2D channel in AlGaAs-GaAs heterostructures under quasiequilibrium conditions at low temperatures 1995 JETP Lett. 61 591-595
Verevkin, A. A.; Ptitsina, N. G.; Chulcova, G. M.; Gol'tsman, G. N.; Gershenzon, E. M.; Yngvesson, K. S. Direct measurements of energy relaxation time of electrons in AlGaAs/GaAs heterostructures under quasi-equilibrium conditions 1996 Surface Science 361-362 569-573
Verevkin, A. A.; Ptitsina, N. G.; Smirnov, K. V.; Voronov, B. M.; Gol’tsman, G. N.; Gershenson, E. M.; Yngvesson, K. S. Multiple Andreev reflection in hybrid AlGaAs/GaAs structures with superconducting NbN contacts 1999 Semicond. 33 551-554
Гольцман, Г. Н.; Смирнов, К. В. По итогам проектов российского фонда фундаментальных исследований. Проект РФФИ # 98-02-16897 Электрон-фононное взаимодействие в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах 2001 Письма в ЖЭТФ 74 532-538
Gol’tsman, G. N.; Smirnov, K. V. Electron-phonon interaction in a two-dimensional electron gas of semiconductor heterostructures at low temperatures 2001 Jetp Lett. 74 474-479
Verevkin, A. A.; Ptitsina, N. G.; Smirnov, K. V.; Gol’tsman, G. N.; Gershenzon, E. M.; Ingvesson, K. S. Direct measurements of energy relaxation times on an AlGaAs/GaAs heterointerface in the range 4.2–50 K 1996 JETP Lett. 64 404-409
Смирнов, К. В. AlGaAs/GaAs смеситель на эффекте разогрева двумерных электронов для тепловизора субмиллиметрового диапазона 2003 Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников 181
Shaha, Jagdeep; Pinczukb, A.; Gossardb, A. C.; Wiegmannb, W. Hot carrier energy loss rates in GaAs quantum wells: large differences between electrons and holes 1985 Phys. B+C 134 174-178