| |
Records |
Links |
|
Author |
Смирнов, Константин Владимирович; Чулкова, Галина Меркурьевна; Вахтомин, Юрий Борисович; Корнеев, Александр Александрович; Окунев, Олег Валерьевич; Дивочий, Александр Валерьевич; Семенов, Александр Владимирович; Гольцман, Григорий Наумович |
|
| |
Title |
Особенности разогрева и релаксации горячих электронов О-754 в тонкопленочных cверхпроводниковых наноструктурах и 2D полупроводниковых гетероструктурах при поглощении излучения инфракрасного и терагерцового диапазонов |
Type |
Book Whole |
| |
Year |
2014 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
|
| |
Volume |
|
Issue |
|
Pages  |
|
|
| |
Keywords |
2DEG |
|
| |
Abstract |
В монографии рассмотрены основные особенности эффекта электронного разогрева в тонких сверхпроводниковых пленках и полупроводниковых гетеропереходах, возникающего при поглощении носителями заряда излучений терагерцового и инфракрасного диапазонов.
Значительная часть монографии посвящена представлению современных достижений при использовании указанного эффекта для создания приемных устройств с рекордными характеристиками: терагерцовых гетеродинных и болометрических приемников на основе сверхпроводниковых и полупроводниковых структур; сверхпроводниковых приемников одиночных ИК фотонов. В работе также подробно рассмотрены основы современной сверхпроводниковой тонкопленочной технологии.
Монография может быть полезна студентам старших курсов, аспирантам и начинающим исследователям, работающим в области физики твердого тела, оптики, радиофизики. |
|
| |
Address |
Москва |
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
МПГУ |
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
978-5-4263-0145-0 |
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
240 страниц |
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1814 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Чулкова, Г. М.; Корнеев, А. А.; Смирнов, К. В.; Окунев, О. В. |
|
| |
Title |
Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ик излучения на их основе |
Type |
Book Whole |
| |
Year |
2012 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
|
| |
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
|
| |
Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs, NbN detectors |
|
| |
Abstract |
Монография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электронное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интенсивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фонолами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники. |
|
| |
Address |
Москва |
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
Прометей, МПГУ |
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
978-5-4263-0118-4 |
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
УДК: 537.311 |
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1818 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Смирнов, Константин Владимирович |
|
| |
Title |
Энергетическая релаксация электронов в 2D-канале гетеропереходов GAAS/ALGAAS и транспортные процессы в структурах полупроводник-сверхпроводник на их основе |
Type |
Manuscript |
| |
Year |
2000 |
Publication |
М. МПГУ |
Abbreviated Journal |
|
|
| |
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
|
| |
Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures, NbN films |
|
| |
Abstract |
Диссертация посвящена изучению электрон-фононного взаимодействия в двумерном электронном газе, образующемся на границе раздела полупроводников AlGaAs и GaAs, а также созданию на основе гетероперехода GaAs/AlGaAs и сверхпроводника NbN гибридных структур сверхпроводник-полупроводник-сверхпроводник и изучению их электрофизических свойств. |
|
| |
Address |
Москва, МПГУ |
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
Ph.D. thesis |
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1830 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Cao, Q.; Yoon, S. F.; Tong, C. Z.; Ngo, C. Y.; Liu, C. Y.; Wang, R.; Zhao, H. X. |
|
| |
Title |
Two-state competition in 1.3 μm multilayer InAs/InGaAs quantum dot lasers |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
2009 |
Publication |
Applied Physics Letters |
Abbreviated Journal |
Appl. Phys. Lett. |
|
| |
Volume |
95 |
Issue |
19 |
Pages |
3 |
|
| |
Keywords |
2DEG |
|
| |
Abstract |
The competition of ground state (GS) and excited state (ES) is investigated from the as-grown and thermally annealed 1.3 μm ten-layer p-doped InAs/GaAs quantum dot (QD) lasers. The modal gain competition between GS and ES are measured and analyzed around the ES threshold characteristics. Our results show that two-state competition is more significant in devices with short cavity length operating at high temperature. By comparing the as-grown and annealed devices, we demonstrate enhanced GS and suppressed ES lasing from the QD laser annealed at 600 °C for 15 s. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
|
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
673 |
|
| Permanent link to this record |
| |
|
| |
|
Author |
Smirnov, K. V.; Ptitsina, N. G.; Vakhtomin, Y. B.; Verevkin, A. A.; Gol’tsman, G. N.; Gershenzon, E. M. |
|
| |
Title |
Energy relaxation of two-dimensional electrons in the quantum Hall effect regime |
Type |
Journal Article |
| |
Year |
2000 |
Publication |
JETP Lett. |
Abbreviated Journal |
JETP Lett. |
|
| |
Volume |
71 |
Issue |
1 |
Pages |
31-34 |
|
| |
Keywords |
2DEG, GaAs/AlGaAs heterostructures |
|
| |
Abstract |
The mm-wave spectroscopy with high temporal resolution is used to measure the energy relaxation times τe of 2D electrons in GaAs/AlGaAs heterostructures in magnetic fields B=0–4 T under quasi-equilibrium conditions at T=4.2 K. With increasing B, a considerable increase in τe from 0.9 to 25 ns is observed. For high B and low values of the filling factor ν, the energy relaxation rate τ −1e oscillates. The depth of these oscillations and the positions of maxima depend on the filling factor ν. For ν>5, the relaxation rate τ −1e is maximum when the Fermi level lies in the region of the localized states between the Landau levels. For lower values of ν, the relaxation rate is maximum at half-integer values of τ −1e when the Fermi level is coincident with the Landau level. The characteristic features of the dependence τ −1e (B) are explained by different contributions of the intralevel and interlevel electron-phonon transitions to the process of the energy relaxation of 2D electrons. |
|
| |
Address |
|
|
| |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
| |
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
| |
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
| |
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
| |
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
| |
ISSN |
0021-3640 |
ISBN |
|
Medium |
|
|
| |
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
| |
Notes |
http://jetpletters.ru/ps/899/article_13838.shtml (“Энергетическая релаксация двумерных электронов в области квантового эффекта Холла”) |
Approved |
no |
|
| |
Call Number |
|
Serial |
1559 |
|
| Permanent link to this record |
