| Author |
Title |
Year |
Publication |
Volume |
Pages  |
| Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
17 |
1896-1898 |
| Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
24 |
1881-1883 |
| Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И. |
Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
17 |
1873-1876 |
| Crowe, T. W.; Mattauch, R. J.; Roser, H. P.; Bishop, W. L.; Peatman, W. C. B.; Liu, X. |
GaAs Schottky diodes for THz mixing applications |
1992 |
Proc. IEEE |
80 |
1827-1841 |
| Андреев, А. Ф. |
|
1964 |
ЖЭТФ |
46 |
1823-1827 |
