toggle visibility Search & Display Options

Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print
  Records Links
Author Мошкова, М. А.; Дивочий, А. В.; Морозов, П. В.; Золотов, Ф. И.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, К. В. url  isbn
openurl 
  Title Высокоэффективные NBN однофотонные детекторы с разрешением числа фотонов Type Conference Article
  Year 2018 Publication Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт. Abbreviated Journal Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт.  
  Volume Issue Pages 400-401  
  Keywords SSPD, SNSPD  
  Abstract Разработаны и исследованы сверхпроводниковые однофотонные детекторы, способные к разрешению до 3-х фотонов в коротком импульсе излучения и имеющие квантовую эффективность детектирования одиночных фотонов ~60% на длине волны lambda=1.55 мкм. Проведенная модернизация технологии изготовления детекторов, позволила получить приемные устройства с мультифотонной квантовой эффективностью, приближающейся к расчетным значениям.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN (down) 978-5-7262-2445-9 Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes УДК 535(06)+004(06) Approved no  
  Call Number Serial 1250  
Permanent link to this record
 

 
Author Золотов, Ф. И.; Дивочий, А. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Пентин, И. В.; Морозов, П. В.; Селезнев, В. А.; Смирнов, К. В. url  isbn
openurl 
  Title Применение тонких сверхпроводниковых пленок нитрида ванадия для изготовления счетчиков одиночных ИК-фотонов Type Conference Article
  Year 2018 Publication Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт. Abbreviated Journal Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт.  
  Volume Issue Pages 60-61  
  Keywords VN SSPD, SNSPD  
  Abstract Получены первые результаты по применению сверхпроводниковых пленок нитрида ванадия (VN) для детекторов одиночных фотонов ИК-диапазона. Изучение сверхпроводниковых однофотонных детекторов (SSPD), изготовленных на основе ультратонких (~5 нм) пленок VN, показало возможность создания устройств с близкой к насыщению зависимостью квантовой эффективности от тока смещения детекторов в телекоммуникационном диапазоне длин волн. Также нами были исследованы кинетическая индуктивность изготовленных структур с различной длиной сверхпроводниковой полоски и времена релаксации электронов в тонких сверхпроводниковых пленках VN.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN (down) 978-5-7262-2445-9 Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes УДК 535(06)+004(06) Approved no  
  Call Number Serial 1252  
Permanent link to this record
 

 
Author Корнеев, А. А.; Окунев, О. В.; Чулкова, Г. М.; Смирнов, К. В.; Милостная, И. И.; Минаева, О. В.; Корнеева, Ю. П.; Каурова, Н. С.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. isbn  openurl
  Title Спонтанные и фотоиндуцированные резистивные состояния в узких сверхпроводящих NbN полосках Type Book Whole
  Year 2015 Publication Abbreviated Journal  
  Volume Issue Pages  
  Keywords NbN films  
  Abstract Монография посвящена актуальной проблеме современной фотоники: разработке высокочувствительных и быстродействующих сверхпроводниковых однофотонных детекторов на основе тонкой пленки NbN. В работе исследуются неравновесные процессы, протекающие в тонкой сверхпроводящей пленке после поглощения инфракрасного фотона и приводящие к возникновению резистивного состояния. На этих процессах основан механизм фотоотклика исследуемого в работе однофотонного детектора. В частности, исследуются зависимости квантовой эффективности и скорости темнового счета от геометрических параметров детектора: толщины пленки, ширины полоски, а также от величины транспортного тока детектора. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих исследователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники и радиофизики.  
  Address Москва  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher МПГУ Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN (down) 978-5-4263-0269-3 Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes УДК: 535; Число страниц: 108 Approved no  
  Call Number Serial 1812  
Permanent link to this record
 

 
Author Чулкова, Г. М.; Корнеев, А. А.; Смирнов, К. В.; Окунев, О. В. url  isbn
openurl 
  Title Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ик излучения на их основе Type Book Whole
  Year 2012 Publication Abbreviated Journal  
  Volume Issue Pages  
  Keywords 2DEG, AlGaAs/GaAs, NbN detectors  
  Abstract Монография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электронное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интенсивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фонолами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники.  
  Address Москва  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Прометей, МПГУ Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN (down) 978-5-4263-0118-4 Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes УДК: 537.311 Approved no  
  Call Number Serial 1818  
Permanent link to this record
 

 
Author Ожегов, Р. В.; Морозов, Д. В.; Масленников, С. Н.; Смирнов, К. В.; Окунев, О. В.; Гольцман, Г. Н. openurl 
  Title Тепловизор субмиллиметрового диапазона волн для регистрации теплового излучения тела человека и обнаружения скрытых под одеждой предметов Type Conference Article
  Year 2004 Publication 3-я Международная выставка и конференция Неразрушающий контроль и техническая диагностика в промышленности Abbreviated Journal  
  Volume Issue Pages  
  Keywords  
  Abstract  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Москва Editor  
  Language russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN (down) Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 345 Approved no  
  Call Number Serial 346  
Permanent link to this record
 

 
Author Ожегов, Р. В.; Масленников, С. Н.; Морозов, Д. В.; Окунев, О. В.; Смирнов, К. В.; Гольцман, Г. Н. openurl 
  Title Тепловизор субмиллиметрового диапазона длин волн Type Conference Article
  Year 2004 Publication Десятая всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-10) Abbreviated Journal  
  Volume Issue Pages  
  Keywords  
  Abstract  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Москва Editor  
  Language russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN (down) Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 347 Approved no  
  Call Number RPLAB @ s @ thzimaging_vnksf10_2004_rus Serial 348  
Permanent link to this record
 

 
Author Масленников, С. Н.; Вахтомин, Ю. Б.; Антипов, С. В.; Смирнов, К. В.; Каурова, Н. С.; Гришина, Е. В.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. openurl 
  Title Смесители на основе электронного разогрева в тонких пленках NbN для частот 2.5 и 3.8 ТГц Type Conference Article
  Year 2004 Publication Десятая всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-10) Abbreviated Journal  
  Volume Issue Pages  
  Keywords  
  Abstract  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Москва Editor  
  Language russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN (down) Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 349 Approved no  
  Call Number RPLAB @ s @ qoheb_vnksf10_2004_rus Serial 350  
Permanent link to this record
 

 
Author Каурова, Н. С.; Финкель, М. И.; Масленников, С. Н.; Вахтомин, Ю. Б.; Антипов, С. В.; Смирнов, К. В.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н.; Ильин, К. С. openurl 
  Title Смеситель субмиллиметрового диапазона длин волн на основе тонкой пленки YBa2Cu3O7-x Type Conference Article
  Year 2004 Publication 1-я международная конференция Фундаментальные проблемы высокотемпературной сверхпроводимости Abbreviated Journal  
  Volume Issue Pages 291  
  Keywords  
  Abstract  
  Address Москва-Звенигород  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Москва-Звенигород Editor  
  Language russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN (down) Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number RPLAB @ s @ htsmix_zvenigorod_2004_rus Serial 356  
Permanent link to this record
 

 
Author Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. url  openurl
  Title Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов Type Journal Article
  Year 2010 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal  
  Volume 44 Issue 11 Pages 1475-1478  
  Keywords 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures mixers  
  Abstract Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN (down) Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 1216 Approved no  
  Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 702  
Permanent link to this record
 

 
Author Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. openurl 
  Title Концентрационная зависимость полосы преобразования смесителей субмиллиметрового диапазона на основе наноструктур AlGaAs/GaAs Type Journal Article
  Year 2010 Publication Изв. РАН Сер. Физ. Abbreviated Journal Изв. РАН Сер. Физ.  
  Volume 74 Issue 1 Pages 110-112  
  Keywords 2DEG AlGaAs/GaAs heterostructures, THz heterodyne detectors, IF bandwidth  
  Abstract Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением при Т = 4.2 К измерена концентрационная зависимость полосы преобразования гетеродинного детектирования гетероструктур AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом. С увеличением концентрации двумерных электронов ns = (1.6–6.6) · 1011см-2 ширина полосы преобразования f3dB уменьшается от 245 до 145 МГц. В исследованной области концентраций наблюдается зависимость f3dB , обусловленная рассеянием электронов на деформационном потенциале акустических фононов и пьезоэлектрическим рассеянием.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN (down) Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 1217 Approved no  
  Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 642  
Permanent link to this record
Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print

Save Citations:
Export Records: