Home | << 1 2 >> |
Records | |||||
---|---|---|---|---|---|
Author | Смирнов, Константин Владимирович | ||||
Title | Энергетическая релаксация электронов в 2D-канале гетеропереходов GAAS/ALGAAS и транспортные процессы в структурах полупроводник-сверхпроводник на их основе | Type | Manuscript | ||
Year | 2000 | Publication | М. МПГУ | Abbreviated Journal | |
Volume | Issue | Pages | |||
Keywords | 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures, NbN films | ||||
Abstract | Диссертация посвящена изучению электрон-фононного взаимодействия в двумерном электронном газе, образующемся на границе раздела полупроводников AlGaAs и GaAs, а также созданию на основе гетероперехода GaAs/AlGaAs и сверхпроводника NbN гибридных структур сверхпроводник-полупроводник-сверхпроводник и изучению их электрофизических свойств. | ||||
Address | Москва, МПГУ | ||||
Corporate Author | Thesis | Ph.D. thesis | |||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | Medium | |||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | Approved | no | |||
Call Number | Serial | 1830 | |||
Permanent link to this record | |||||
Author | Смирнов, Константин Владимирович; Чулкова, Галина Меркурьевна; Вахтомин, Юрий Борисович; Корнеев, Александр Александрович; Окунев, Олег Валерьевич; Дивочий, Александр Валерьевич; Семенов, Александр Владимирович; Гольцман, Григорий Наумович | ||||
Title | Особенности разогрева и релаксации горячих электронов О-754 в тонкопленочных cверхпроводниковых наноструктурах и 2D полупроводниковых гетероструктурах при поглощении излучения инфракрасного и терагерцового диапазонов | Type | Book Whole | ||
Year | 2014 | Publication | Abbreviated Journal | ||
Volume | Issue | Pages | |||
Keywords | 2DEG | ||||
Abstract | В монографии рассмотрены основные особенности эффекта электронного разогрева в тонких сверхпроводниковых пленках и полупроводниковых гетеропереходах, возникающего при поглощении носителями заряда излучений терагерцового и инфракрасного диапазонов. Значительная часть монографии посвящена представлению современных достижений при использовании указанного эффекта для создания приемных устройств с рекордными характеристиками: терагерцовых гетеродинных и болометрических приемников на основе сверхпроводниковых и полупроводниковых структур; сверхпроводниковых приемников одиночных ИК фотонов. В работе также подробно рассмотрены основы современной сверхпроводниковой тонкопленочной технологии. Монография может быть полезна студентам старших курсов, аспирантам и начинающим исследователям, работающим в области физики твердого тела, оптики, радиофизики. |
||||
Address | Москва | ||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | МПГУ | Place of Publication | Editor | ||
Language | Russian | Summary Language | Original Title | ||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | 978-5-4263-0145-0 | Medium | ||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | 240 страниц | Approved | no | ||
Call Number | Serial | 1814 | |||
Permanent link to this record |