|
|
Ryabchun, S. A., Tretyakov, I. V., Finkel, M. I., Maslennikov, S. N., Kaurova, N. S., Seleznev, V. A., et al. (2009). NbN phonon-cooled hot-electron bolometer mixer with additional diffusion cooling. In Proc. 20th Int. Symp. Space Terahertz Technol. (pp. 151–154). Charlottesville, USA.
|
|
|
|
Tretyakov, I. V., Ryabchun, S. A., Maslennikov, S. N., Finkel, M. I., Kaurova, N. S., Seleznev, V. A., et al. (2008). NbN HEB mixer: fabrication, noise temperature reduction and characterization. In Proc. Basic problems of superconductivity. Moscow-Zvenigorod.
Abstract: We demonstrate that in the terahertz region superconducting hot-electron mixers offer the lowest noise temperature, opening the possibility of using HTS's in the future to fabricate these devices. Specifically, a noise temperature of 950 K was measured for the receiver operating at 2.5 THz with a NbN HEB mixer, and a gain bandwidth of 6 GHz was measured at 300 GHz near Tc for the same mixer.
|
|
|
|
Финкель, М. И. (2006). Терагерцовые смесители на эффекте электронного разогрева в ультратонких плёнках NbN и NbTiN. Ph.D. thesis, , .
|
|
|
|
Рябчун, С. А. (2009). Широкополосные высокостабильные терагерцовые смесители на горячих электронах из тонких сверхпроводниковых пленок NbN. Ph.D. thesis, , .
|
|
|
|
Шангина, Е. Л., Смирнов, К. В., Морозов, Д. В., Ковалюк, В. В., Гольцман, Г. Н., Веревкин, А. А., et al. (2010). Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов. Физика и техника полупроводников, 44(11), 1475–1478.
Abstract: Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K.
|
|
