Home [11–20] << 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 >> [31–32]
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   web
Author Title Year Publication DOI
Goltsman, G. Simple method for stabilizing power of submillimetric spectrometer 1972 Pribory i Tekhnika Eksperimenta
Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N.; Mel'nikov, A. P. Binding energy of a carrier with a neutral impurity atom in germanium and in silicon 1971 JETP Lett.
Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N. Transitions of electrons between excited states of donors in germanium 1971 JETP Lett.
Gershenzon, E. M.; Goltsman, G.; Orlova, S.; Ptitsina, N.; Gurvich, Y. Germanium hot-electron narrow-band detector 1971 Sov. Radio Engineering And Electronic Physics
Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N.; Emtsev, V. V.; Mashovets, T. V.; Ptitsyna, N. G.; Ryvkin, S. M. Role of impurities of groups III and V in the formation of defects following γ irradiation of germanium 1971 JETP Lett.
Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе 1991 Физика и техника полупроводников
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б. Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла 1990 Физика и техника полупроводников
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge 1990 Физика и техника полупроводников
Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах 1990 Физика и техника полупроводников
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках 1989 Физика и техника полупроводников
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ 1986 Физика и техника полупроводников
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. Спин-решеточная релаксация доноров фосфора в кремнии при одноосной деформации образца 1985 Физика и техника полупроводников
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии 1984 Физика и техника полупроводников
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии 1983 Физика и техника полупроводников
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И. Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда 1983 Физика и техника полупроводников