Home | << 1 2 >> |
Records | |||||
---|---|---|---|---|---|
Author | An, Zhenghua; Chen, Jeng-Chung; Ueda, T.; Komiyama, S.; Hirakawa, K. | ||||
Title | Infrared phototransistor using capacitively coupled two-dimensional electron gas layers | Type | Journal Article | ||
Year | 2005 | Publication | Applied Physics Letters | Abbreviated Journal | Appl. Phys. Lett. |
Volume | 86 | Issue | Pages | 172106 - 172106-3 | |
Keywords | 2DEG | ||||
Abstract | |||||
Address | |||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | Medium | |||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | Approved | no | |||
Call Number | RPLAB @ akorneev @ | Serial | 603 | ||
Permanent link to this record | |||||
Author | Shah, Jagdeep; Pinczuk, A.; Gossard, A. C.; Wiegmann, W. | ||||
Title | Energy-loss rates for hot electrons and holes in GaAs quantum wells | Type | Journal Article | ||
Year | 1985 | Publication | Phys. Rev. Lett. | Abbreviated Journal | Phys. Rev. Lett. |
Volume | 54 | Issue | Pages | 2045-2048 | |
Keywords | 2DEG, GaAs/AlGaAs, heat flow, electron-phonon, hole-phonon, carrier-phonon, interactions | ||||
Abstract | We report the first direct determination of carrier-energy-loss rates in a semiconductor. These measurements provide fundamental insight into carrier-phonon interactions in semiconductors. Unexpectedly large differences are found in the energy-loss rates for electrons and holes in GaAs/AlGaAs quantum wells. This large difference results from an anomalously low electron-energy-loss rate, which we attribute to the presence of nonequilibrium optical phonons rather than the effects of reduced dimensionality or dynamic screening. | ||||
Address | |||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | Medium | |||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | Approved | no | |||
Call Number | Serial | 633 | |||
Permanent link to this record | |||||
Author | Verevkin, A.; Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N.; Ptitsina, N. G.; Chulkova, G. M.; Smirnov, K. S.; Sobolewski, R. | ||||
Title | Direct measurements of energy relaxation times in two-dimensional structures under quasi-equilibrium conditions | Type | Conference Article | ||
Year | 2002 | Publication | Mater. Sci. Forum | Abbreviated Journal | Mater. Sci. Forum |
Volume | 384-3 | Issue | Pages | 107-116 | |
Keywords | 2DEG, AlGaAs/GaAs | ||||
Abstract | A new microwave technique was successfully applied for direct studies of energy relaxation times in two-dimensional AlGaAs/GaAs structures under quasi-equilibrium conditions in the nanosecond and picosecond time scale. We report our results of energy relaxation time measurements in the temperature range 1.6-50 K, in quantum Hall effect regime in magnetic fields up to 4 T. | ||||
Address | |||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | Medium | |||
Area | Expedition | Conference | Materials Science Forum | ||
Notes | Approved | no | |||
Call Number | Serial | 1536 | |||
Permanent link to this record | |||||
Author | Verevkin, A. A.; Ptitsina, N. G.; Smirnov, K. V.; Goltsman, G. N.; Gershenson, E. M.; Yngvesson, K. S. | ||||
Title | Direct measurements of electron energy relaxation times at an AlGaAs/GaAs heterointerface in the optical phonon scattering range | Type | Conference Article | ||
Year | 1997 | Publication | Proc. 4-th Int. Semicond. Device Research Symp. | Abbreviated Journal | Proc. 4-th Int. Semicond. Device Research Symp. |
Volume | Issue | Pages | 55-58 | ||
Keywords | 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures | ||||
Abstract | |||||
Address | |||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | Medium | |||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | Approved | no | |||
Call Number | Serial | 1602 | |||
Permanent link to this record | |||||
Author | Verevkin, A. A.; Ptitsina, N. G.; Smirnov, K. V.; Gol'tsman, G. N.; Voronov, B. M.; Gershenzon, E. M.; Yngvesson, K. S. | ||||
Title | Hot electron bolometer detectors and mixers based on a superconducting-two-dimensional electron gas-superconductor structure | Type | Conference Article | ||
Year | 1997 | Publication | Proc. 4-th Int. Semicond. Device Research Symp. | Abbreviated Journal | Proc. 4-th Int. Semicond. Device Research Symp. |
Volume | Issue | Pages | 163-166 | ||
Keywords | S-2DEG-S HEB mixers, detectors, AlGaAs/GaAs heterostructures, NbN | ||||
Abstract | |||||
Address | |||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | Medium | |||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | Approved | no | |||
Call Number | Serial | 1603 | |||
Permanent link to this record | |||||
Author | Verevkin, A. A.; Ptitsina, N. G.; Chulcova, G. M.; Gol'tsman, G. N.; Gershenzon, E. M.; Yngvesson, K. S. | ||||
Title | Direct measurements of energy relaxation time of electrons in AlGaAs/GaAs heterostructures under quasi-equilibrium conditions | Type | Journal Article | ||
Year | 1996 | Publication | Surface Science | Abbreviated Journal | Surface Science |
Volume | 361-362 | Issue | Pages | 569-573 | |
Keywords | 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures | ||||
Abstract | For the first time, results are presented of a direct measurement of the energy relaxation time τε of 2D electrons in an AlGaAs/GaAs heterojunction at T = 1 and 5–20 K. A weak temperature dependence of τε for the T > 4K range and a linear temperature dependence of the reciprocal of τε for T < 4K have been observed. The linear dependence τε−1 ≈ T in the Bloch-Gruneisen regime is direct evidence of the predominance of the piezo-electric mechanism of electron-phonon interaction in non-elastic electron scattering processes. The values of τε in this regime are in very good agreement with the results of the Karpus theory. At higher temperatures, where the deformation-potential scattering becomes noticeable, a substantial disagreement between the experimental data and the theoretical results is observed. | ||||
Address | |||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | 0039-6028 | ISBN | Medium | ||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | Approved | no | |||
Call Number | Serial | 1609 | |||
Permanent link to this record | |||||
Author | Смирнов, Константин Владимирович; Чулкова, Галина Меркурьевна; Вахтомин, Юрий Борисович; Корнеев, Александр Александрович; Окунев, Олег Валерьевич; Дивочий, Александр Валерьевич; Семенов, Александр Владимирович; Гольцман, Григорий Наумович | ||||
Title | Особенности разогрева и релаксации горячих электронов О-754 в тонкопленочных cверхпроводниковых наноструктурах и 2D полупроводниковых гетероструктурах при поглощении излучения инфракрасного и терагерцового диапазонов | Type | Book Whole | ||
Year | 2014 | Publication | Abbreviated Journal | ||
Volume | Issue | Pages | |||
Keywords | 2DEG | ||||
Abstract | В монографии рассмотрены основные особенности эффекта электронного разогрева в тонких сверхпроводниковых пленках и полупроводниковых гетеропереходах, возникающего при поглощении носителями заряда излучений терагерцового и инфракрасного диапазонов. Значительная часть монографии посвящена представлению современных достижений при использовании указанного эффекта для создания приемных устройств с рекордными характеристиками: терагерцовых гетеродинных и болометрических приемников на основе сверхпроводниковых и полупроводниковых структур; сверхпроводниковых приемников одиночных ИК фотонов. В работе также подробно рассмотрены основы современной сверхпроводниковой тонкопленочной технологии. Монография может быть полезна студентам старших курсов, аспирантам и начинающим исследователям, работающим в области физики твердого тела, оптики, радиофизики. |
||||
Address | Москва | ||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | МПГУ | Place of Publication | Editor | ||
Language | Russian | Summary Language | Original Title | ||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | 978-5-4263-0145-0 | Medium | ||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | 240 страниц | Approved | no | ||
Call Number | Serial | 1814 | |||
Permanent link to this record | |||||
Author | Чулкова, Г. М.; Корнеев, А. А.; Смирнов, К. В.; Окунев, О. В. | ||||
Title | Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ик излучения на их основе | Type | Book Whole | ||
Year | 2012 | Publication | Abbreviated Journal | ||
Volume | Issue | Pages | |||
Keywords | 2DEG, AlGaAs/GaAs, NbN detectors | ||||
Abstract | Монография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электронное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интенсивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фонолами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники. | ||||
Address | Москва | ||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Прометей, МПГУ | Place of Publication | Editor | ||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | 978-5-4263-0118-4 | Medium | ||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | УДК: 537.311 | Approved | no | ||
Call Number | Serial | 1818 | |||
Permanent link to this record | |||||
Author | Смирнов, Константин Владимирович | ||||
Title | Энергетическая релаксация электронов в 2D-канале гетеропереходов GAAS/ALGAAS и транспортные процессы в структурах полупроводник-сверхпроводник на их основе | Type | Manuscript | ||
Year | 2000 | Publication | М. МПГУ | Abbreviated Journal | |
Volume | Issue | Pages | |||
Keywords | 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures, NbN films | ||||
Abstract | Диссертация посвящена изучению электрон-фононного взаимодействия в двумерном электронном газе, образующемся на границе раздела полупроводников AlGaAs и GaAs, а также созданию на основе гетероперехода GaAs/AlGaAs и сверхпроводника NbN гибридных структур сверхпроводник-полупроводник-сверхпроводник и изучению их электрофизических свойств. | ||||
Address | Москва, МПГУ | ||||
Corporate Author | Thesis | Ph.D. thesis | |||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | Medium | |||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | Approved | no | |||
Call Number | Serial | 1830 | |||
Permanent link to this record | |||||
Author | Смирнов, К. В. | ||||
Title | AlGaAs/GaAs смеситель на эффекте разогрева двумерных электронов для тепловизора субмиллиметрового диапазона | Type | Abstract | ||
Year | 2003 | Publication | Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников | Abbreviated Journal | |
Volume | Issue | Pages | 181 | ||
Keywords | 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures, mixer | ||||
Abstract | |||||
Address | ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санк-Петербург | ||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | Medium | |||
Area | Expedition | Conference | VI Российской конференции по физике полупроводников (27-31 октября) | ||
Notes | Unconfirmed; Сама конференция, однако, была -- её упоминают: [http://www.nsc.ru/HBC/article.phtml?nid=271&id=17], [https://www.isp.nsc.ru/institut/nauchnye-podrazdeleniya/lab-20/publikatsii/2003], [http://www.ioffe.ru/sem_tech/sem%5Fteh%5Fmovpe%5Fpublications%5Fru.htm#R2003], [https://istina.ips.ac.ru/collections/828771/] | Approved | no | ||
Call Number | Serial | 1837 | |||
Permanent link to this record |