| |
Author |
Title |
Year |
Publication |
Volume |
Pages |
Links |
|
|
Елезов, М. С.; Щербатенко, М. Л.; Сыч, Д. В.; Гольцман, Г. Н. |
Практические особенности работы оптоволоконного квантового приемника Кеннеди |
2019 |
Proc. IWQO |
|
303-305 |
|
|
|
Проходцов, А. И.; Голиков, А. Д.; Ан, П. П.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н. |
Влияние покрытия из оксида кремния на эффективность фокусирующего решеточного элемента связи из нитрида кремния |
2019 |
Proc. IWQO |
|
201-203 |
|
|
|
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
24 |
1881-1883 |
|
|
|
Рябчун, С. А.; Третьяков, И. В.; Пентин, И. В; Каурова, Н. С.; Селезнев, В. А; Воронов, Б. М.; Финкель, М. И.; Масленников, С. Н.; Гольцман, Г. Н. |
Малошумящий широкополосный терагерцовый смеситель на эффекте электронного разогрева в плёнке NbN |
2009 |
Известия высших учебных заведений. Радиофизика |
52 |
641-648 |
|
|
|
Масленникова, А. В.; Рябчун, С. А.; Финкель, М. И.; Каурова, Н. С.; Исупова, А. А.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. |
Широкополосные смесители на горячих электронах на основе NbN наноструктур |
2011 |
Труды Московского физико-технического института |
3 |
31-34 |
|
