toggle visibility Search & Display Options

Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print
  Records Links
Author Trifonov, A.; Tong, C.-Y. E.; Grimes, P.; Lobanov, Y.; Kaurova, N.; Blundell, R.; Goltsman, G. url  doi
openurl 
  Title Development of a silicon membrane-based multipixel hot electron bolometer receiver Type Journal Article
  Year 2017 Publication IEEE Trans. Appl. Supercond. Abbreviated Journal IEEE Trans. Appl. Supercond.  
  Volume 27 Issue 4 Pages 1-5  
  Keywords (up) Multi-pixel, NbN HEB, silicon-on-insulator, horn array  
  Abstract We report on the development of a multipixel hot electron bolometer (HEB) receiver fabricated using silicon membrane technology. The receiver comprises a 2 × 2 array of four HEB mixers, fabricated on a single chip. The HEB mixer chip is based on a superconducting NbN thin-film deposited on top of the silicon-on-insulator (SOI) substrate. The thicknesses of the device layer and handling layer of the SOI substrate are 20 and 300 μm, respectively. The thickness of the device layer is chosen such that it corresponds to a quarter-wave in silicon at 1.35 THz. The HEB mixer is integrated with a bow-tie antenna structure, in turn designed for coupling to a circular waveguide, fed by a monolithic drilled smooth-walled horn array.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN 1051-8223 ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1324  
Permanent link to this record
 

 
Author Gershenzon, E. M.; Orlova, S. L.; Orlov, L. A.; Ptitsina, N. G.; Rabinovich, R. I. url  openurl
  Title Intervalley cyclotron-impurity resonance of electrons in n-Ge Type Journal Article
  Year 1976 Publication JETP Lett. Abbreviated Journal JETP Lett.  
  Volume 24 Issue 3 Pages 125-128  
  Keywords (up) n-Ge, cyclotron-impurity resonance  
  Abstract  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1730  
Permanent link to this record
 

 
Author Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. url  openurl
  Title Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ Type Journal Article
  Year 1986 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 20 Issue 1 Pages 99-103  
  Keywords (up) n-Ge, Hubbard upper zone conductivity, negative magnetoresistance  
  Abstract В рамках теории квантовых поправок к проводимости объяснено отрицательное магнитосопротивление в n-Ge с концентрацией доноров Nd≃2.8⋅1016÷1.1⋅1017см−3, наблюдаемое в диапазоне температур 4.2−10 K, когда основной вклад в проводимость дают электроны верхней зоны Хаббарда. Показано, что время релаксации фазы волновой функции τφ определяется временем электрон-фононного взаимодействия τeph.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1759  
Permanent link to this record
 

 
Author Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. url  openurl
  Title Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе Type Journal Article
  Year 1991 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 25 Issue 11 Pages 1986-1998  
  Keywords (up) n-InSb mixer  
  Abstract Проведено комплексное исследование n-InSb смесителя на λ=2.6 мм, включающее в себя исследование вольт-амперных характеристик при E=0−2 В/см, температурной зависимости проводимости в диапазоне T=1.6−20 K, высокочастотной проводимости при f=0.5−10 МГц и магнитосопротивления при H=0−5 кЭ. Показано, что в оптимальном режиме механизм преобразования частоты связан с фотоионизационными процессами при прыжковой фотопроводимости (ПФП). На основе модели ПФП рассчитан коэффициент преобразования смесителя и произведено сопоставление его с экспериментом. Показана несостоятельность модели преобразования частоты в компенсированном n-InSb (K≥0.8), основанной на разогреве электронов. Обсуждены требования к параметрам материала и режимам n-InSb смесителя миллиметрового диапазона волн.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1753  
Permanent link to this record
 

 
Author Бурмистрова, А. В.; Девятов, И. А. url  openurl
  Title Расчет электронного транспорта в гетероструктурах, содержащих многозонные сверхпроводники Type Conference Article
  Year 2014 Publication Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» Abbreviated Journal  
  Volume 1 Issue Pages 21-22  
  Keywords (up) N/I/Sp junctions  
  Abstract В рамках приближения сильной связи теоретически рассчитаны проводимости контактов вида нормальный металл/изолятор/одноорбитальный сверхпроводник с p-типом сверхпроводящего спаривания (N/I/Sp). Объяснено наблюдаемое экспериментально как появление пика при нулевом напряжении, так и его расщепление в зависимости от толщины слоя изолятора. В рамках этой же микроскопической теории развит вариант техники решеточной функции Грина в мацубаровом представлении. Используя разработанный подход, рассчитаны фазовые и температурные зависимости тока Джозефсона для контакта сверхпроводника s-типа и многозонного железосодержащего сверхпроводника (ферропниктида) для различных ориентаций границы по отношению к кристаллографическим осям пниктида.  
  Address Нижний Новгород, Россия  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1834  
Permanent link to this record
Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print

Save Citations:
Export Records: