|
|
Trifonov, A., Tong, C. - Y. E., Grimes, P., Lobanov, Y., Kaurova, N., Blundell, R., et al. (2017). Development of a silicon membrane-based multipixel hot electron bolometer receiver. IEEE Trans. Appl. Supercond., 27(4), 1–5.
Abstract: We report on the development of a multipixel hot electron bolometer (HEB) receiver fabricated using silicon membrane technology. The receiver comprises a 2 × 2 array of four HEB mixers, fabricated on a single chip. The HEB mixer chip is based on a superconducting NbN thin-film deposited on top of the silicon-on-insulator (SOI) substrate. The thicknesses of the device layer and handling layer of the SOI substrate are 20 and 300 μm, respectively. The thickness of the device layer is chosen such that it corresponds to a quarter-wave in silicon at 1.35 THz. The HEB mixer is integrated with a bow-tie antenna structure, in turn designed for coupling to a circular waveguide, fed by a monolithic drilled smooth-walled horn array.
|
|
|
|
Gershenzon, E. M., Orlova, S. L., Orlov, L. A., Ptitsina, N. G., & Rabinovich, R. I. (1976). Intervalley cyclotron-impurity resonance of electrons in n-Ge. JETP Lett., 24(3), 125–128.
|
|
|
|
Гершензон, Е. М., Литвак-Горская, Л. Б., Луговая, Г. Я., & Шапиро, Е. З. (1986). Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩. Физика и техника полупроводников, 20(1), 99–103.
Abstract: В рамках теории квантовых поправок к проводимости объяснено отрицательное магнитосопротивление в n-Ge с концентрацией доноров Nd≃2.8⋅1016÷1.1⋅1017см−3, наблюдаемое в диапазоне температур 4.2−10 K, когда основной вклад в проводимость дают электроны верхней зоны Хаббарда. Показано, что время релаксации фазы волновой функции τφ определяется временем электрон-фононного взаимодействия τeph.
|
|
|
|
Гершензон, Е. М., Грачев, С. А., & Литвак-Горская, Л. Б. (1991). Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе. Физика и техника полупроводников, 25(11), 1986–1998.
Abstract: Проведено комплексное исследование n-InSb смесителя на λ=2.6 мм, включающее в себя исследование вольт-амперных характеристик при E=0−2 В/см, температурной зависимости проводимости в диапазоне T=1.6−20 K, высокочастотной проводимости при f=0.5−10 МГц и магнитосопротивления при H=0−5 кЭ. Показано, что в оптимальном режиме механизм преобразования частоты связан с фотоионизационными процессами при прыжковой фотопроводимости (ПФП). На основе модели ПФП рассчитан коэффициент преобразования смесителя и произведено сопоставление его с экспериментом. Показана несостоятельность модели преобразования частоты в компенсированном n-InSb (K≥0.8), основанной на разогреве электронов. Обсуждены требования к параметрам материала и режимам n-InSb смесителя миллиметрового диапазона волн.
|
|
|
|
Бурмистрова, А. В., & Девятов, И. А. (2014). Расчет электронного транспорта в гетероструктурах, содержащих многозонные сверхпроводники. In Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (Vol. 1, pp. 21–22).
Abstract: В рамках приближения сильной связи теоретически рассчитаны проводимости контактов вида нормальный металл/изолятор/одноорбитальный сверхпроводник с p-типом сверхпроводящего спаривания (N/I/Sp). Объяснено наблюдаемое экспериментально как появление пика при нулевом напряжении, так и его расщепление в зависимости от толщины слоя изолятора. В рамках этой же микроскопической теории развит вариант техники решеточной функции Грина в мацубаровом представлении. Используя разработанный подход, рассчитаны фазовые и температурные зависимости тока Джозефсона для контакта сверхпроводника s-типа и многозонного железосодержащего сверхпроводника (ферропниктида) для различных ориентаций границы по отношению к кристаллографическим осям пниктида.
|
|
