|
Records |
Links |
|
Author |
Verevkin, A. I.; Ptitsina, N. G.; Chulkova, G. M.; Gol'tsman, G. N.; Gershenzon, E. M.; Yngvesson, K. S. |
![find record details (via OpenURL) openurl](img/xref.gif)
|
|
Title |
Electron energy relaxation in a 2D channel in AlGaAs-GaAs heterostructures under quasiequilibrium conditions at low temperatures |
Type |
Journal Article |
|
Year |
1995 |
Publication |
JETP Lett. |
Abbreviated Journal |
JETP Lett. |
|
|
Volume |
61 |
Issue |
7 |
Pages |
591-595 |
|
|
Keywords ![sorted by Keywords field, ascending order (up)](img/sort_asc.gif) |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures |
|
|
Abstract |
The energy relaxation time of 2D electrons, Te, has been measured under quasiequilibrium conditions in AlGaAs—GaAs heterojunctions over the temperature range T= 1.5—20 K. At T> 4 K, Te depends only weakly on the temperature, while at T< 4 K 7;'(T) there is a dependence fr; lNT. A linear dependence 7: 1 (T) in the Bloch—-Grfineisen temperature region (T< 5 K) is unambiguous evidence that a piezoacoustic mechanism of an electron—phonon interaction is predominant in the inelastic scattering of electrons. The values of T6 in this temperature range agree very accurately with theoretical results reported by Karpus [Sov. Phys. Semicond. 22 (1988)]. At higher temperatures, where scat—tering by deformation acoustic phonons becomes substantial, there is a significant discrepancy between the experimental and theoretical re-sults. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
|
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1624 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Гольцман, Г. Н.; Смирнов, К. В. |
![find record details (via OpenURL) openurl](img/xref.gif)
|
|
Title |
По итогам проектов российского фонда фундаментальных исследований. Проект РФФИ # 98-02-16897 Электрон-фононное взаимодействие в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах |
Type |
Journal Article |
|
Year |
2001 |
Publication |
Письма в ЖЭТФ |
Abbreviated Journal |
Письма в ЖЭТФ |
|
|
Volume |
74 |
Issue |
9 |
Pages |
532-538 |
|
|
Keywords ![sorted by Keywords field, ascending order (up)](img/sort_asc.gif) |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures |
|
|
Abstract |
Рассмотрены теоретические и экспериментальные работы, посвященные изучению электрон-фононного взаимодействия в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах в случае сильного разогрева в электрическом поле, в квазиравновесных условиях и в квантующем магнитном поле, перпендикулярном 2D слою. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
Duplicated as 1541: “Electron-phonon interaction in a two-dimensional electron gas of semiconductor heterostructures at low temperatures” |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1832 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Смирнов, К. В. |
![find record details (via OpenURL) openurl](img/xref.gif)
|
|
Title |
AlGaAs/GaAs смеситель на эффекте разогрева двумерных электронов для тепловизора субмиллиметрового диапазона |
Type |
Abstract |
|
Year |
2003 |
Publication |
Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников |
Abbreviated Journal |
|
|
|
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
181 |
|
|
Keywords ![sorted by Keywords field, ascending order (up)](img/sort_asc.gif) |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures, mixer |
|
|
Abstract |
|
|
|
Address |
ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санк-Петербург |
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
VI Российской конференции по физике полупроводников (27-31 октября) |
|
|
Notes |
Unconfirmed; Сама конференция, однако, была -- её упоминают: [http://www.nsc.ru/HBC/article.phtml?nid=271&id=17], [https://www.isp.nsc.ru/institut/nauchnye-podrazdeleniya/lab-20/publikatsii/2003], [http://www.ioffe.ru/sem_tech/sem%5Fteh%5Fmovpe%5Fpublications%5Fru.htm#R2003], [https://istina.ips.ac.ru/collections/828771/] |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1837 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Смирнов, Константин Владимирович |
![find record details (via OpenURL) openurl](img/xref.gif)
|
|
Title |
Энергетическая релаксация электронов в 2D-канале гетеропереходов GAAS/ALGAAS и транспортные процессы в структурах полупроводник-сверхпроводник на их основе |
Type |
Manuscript |
|
Year |
2000 |
Publication |
М. МПГУ |
Abbreviated Journal |
|
|
|
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
|
|
Keywords ![sorted by Keywords field, ascending order (up)](img/sort_asc.gif) |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures, NbN films |
|
|
Abstract |
Диссертация посвящена изучению электрон-фононного взаимодействия в двумерном электронном газе, образующемся на границе раздела полупроводников AlGaAs и GaAs, а также созданию на основе гетероперехода GaAs/AlGaAs и сверхпроводника NbN гибридных структур сверхпроводник-полупроводник-сверхпроводник и изучению их электрофизических свойств. |
|
|
Address |
Москва, МПГУ |
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
Ph.D. thesis |
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
|
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1830 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Чулкова, Г. М.; Корнеев, А. А.; Смирнов, К. В.; Окунев, О. В. |
![find book details (via ISBN) isbn](img/isbn.gif)
|
|
Title |
Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ик излучения на их основе |
Type |
Book Whole |
|
Year |
2012 |
Publication |
|
Abbreviated Journal |
|
|
|
Volume |
|
Issue |
|
Pages |
|
|
|
Keywords ![sorted by Keywords field, ascending order (up)](img/sort_asc.gif) |
2DEG, AlGaAs/GaAs, NbN detectors |
|
|
Abstract |
Монография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электронное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интенсивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фонолами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники. |
|
|
Address |
Москва |
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
Прометей, МПГУ |
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
978-5-4263-0118-4 |
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
УДК: 537.311 |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1818 |
|
Permanent link to this record |