| Author |
Title |
Year |
Publication |
Volume |
Pages |
| Gershenzon, E. M.; Orlova, S. L.; Orlov, L. A.; Ptitsina, N. G.; Rabinovich, R. I. |
Intervalley cyclotron-impurity resonance of electrons in n-Ge |
1976 |
JETP Lett. |
24 |
125-128 |
| Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. |
Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ |
1986 |
Физика и техника полупроводников |
20 |
99-103 |
| Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе |
1991 |
Физика и техника полупроводников |
25 |
1986-1998 |
| Бурмистрова, А. В.; Девятов, И. А. |
Расчет электронного транспорта в гетероструктурах, содержащих многозонные сверхпроводники |
2014 |
Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» |
1 |
21-22 |
| Komrakova, S.; Javadzade, J.; Vorobyov, V.; Bolshedvorskii, S.; Soshenko, V.; Akimov, A.; Kovalyuk, V.; Korneev, A.; Goltsman, G. |
On-chip controlled placement of nanodiamonds with a nitrogen-vacancy color centers (NV) |
2018 |
J. Phys.: Conf. Ser. |
1124 |
051046 (1 to 4) |
