| Author |
Title |
Year |
Publication |
Volume |
Pages |
| Smirnov, K. V.; Ptitsina, N. G.; Vakhtomin, Y. B.; Verevkin, A. A.; Gol’tsman, G. N.; Gershenzon, E. M. |
Energy relaxation of two-dimensional electrons in the quantum Hall effect regime |
2000 |
JETP Lett. |
71 |
31-34 |
| Chulcova, G. M.; Ptitsina, N. G.; Gershenzon, E. M.; Gershenzon, M. E.; Sergeev, A. V. |
Effect of the interference between electron-phonon and electron-impurity (boundary) scattering on resistivity Nb, Al, Be films |
1996 |
Czech J. Phys. |
46 |
2489-2490 |
| Maslennikov, S. N.; Morozov, D. V.; Ozhegov, R. V.; Smirnov, K. V.; Okunev, O. V.; Gol’tsman, G. N. |
Imaging system for submillimeter wave range based on AlGaAs/GaAs hot electron bolometer mixers |
2004 |
Proc. 5-th MSMW |
2 |
558-560 |
| Schwaab, G. W.; Hübers, H.-W.; Schubert, J.; Erichsen, Patrik; Gol'tsman, G.; Semenov, A.; Verevkin, A.; Cherednichenko, S.; Gershenzon, E. |
A high resolution spectrometer for the investigation of molecular structures in the THZ range |
1999 |
Proc. 10th Int. Symp. Space Terahertz Technol. |
|
530-538 |
| Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Кагане, М. Л.; Мултановский, В. В.; Птицина, Н. Г. |
Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
17 |
1430-1437 |
