toggle visibility Search & Display Options

Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print
  Records Links
Author Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. url  openurl
  Title Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе Type Journal Article
  Year 1991 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 25 Issue 11 Pages 1986-1998  
  Keywords n-InSb mixer  
  Abstract Проведено комплексное исследование n-InSb смесителя на λ=2.6 мм, включающее в себя исследование вольт-амперных характеристик при E=0−2 В/см, температурной зависимости проводимости в диапазоне T=1.6−20 K, высокочастотной проводимости при f=0.5−10 МГц и магнитосопротивления при H=0−5 кЭ. Показано, что в оптимальном режиме механизм преобразования частоты связан с фотоионизационными процессами при прыжковой фотопроводимости (ПФП). На основе модели ПФП рассчитан коэффициент преобразования смесителя и произведено сопоставление его с экспериментом. Показана несостоятельность модели преобразования частоты в компенсированном n-InSb (K≥0.8), основанной на разогреве электронов. Обсуждены требования к параметрам материала и режимам n-InSb смесителя миллиметрового диапазона волн.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language (down) Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1753  
Permanent link to this record
 

 
Author Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б. url  openurl
  Title Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла Type Journal Article
  Year 1990 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 24 Issue 12 Pages 2145-2150  
  Keywords Hall constant, concentration of impurities, p-Si  
  Abstract На примере p-Si⟨B,\,Ga⟩ с различной степенью компенсации проведена сравнительная оценка точности определения раздельной концентрации примесей по температурной зависимости концентрации дырок p(T) в случае одной и двух легирующих примесей с энергиями ионизации, различающимися менее чем в 2 раза. Исследована функция среднеквадратичного отклонения в пространстве параметров D(Nк, N2) (Nк, N1 и N2 — концентрации компенсирующих примесей бора и галлия соответственно, N2≫N1) в предположении, что N2, энергии B и Ga известны. Показано, что в случае двух легирующих примесей D(Nк, N1) в окрестностях минимума имеет «овражный» рельеф и при некоторых соотношениях между Nк и N1 разброс искомых величин превышает порядок, причем увеличение точности измерений p(T) существенного улучшения в вычислении параметров не дает. При одной легирующей примеси точность вычисления параметров высокая.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language (down) Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1754  
Permanent link to this record
 

 
Author Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. url  openurl
  Title Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах Type Journal Article
  Year 1990 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников  
  Volume 24 Issue 1 Pages 3-24  
  Keywords compensated n-InSb, impurities  
  Abstract Представлен обзор результатов цикла исследований природы электропроводности предельно очищенных образцов антимонида индия n-типа. Рассмотрены способы определения концентрации доноров и степени компенсации в этом материале, обсуждается роль свободных и локализованных на донорах электронов в электропроводности при гелиевых температурах. Обсуждение основано на анализе результатов исследования гальваномагнитных явлений, поглощения СВЧ излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов и ультразвука. Рассмотрены способы определения характеристик материала на основе комплекса результатов, полученных с помощью указанных методов. Обсуждается также фотопроводимость по примесям в n-InSb.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language (down) Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1756  
Permanent link to this record
 

 
Author Arutyunov, K. Y.; Ramos-Alvarez, A.; Semenov, A. V.; Korneeva, Y. P.; An, P. P.; Korneev, A. A.; Murphy, A.; Bezryadin, A.; Gol'tsman, G. N. url  doi
openurl 
  Title Superconductivity in highly disordered NbN nanowires Type Journal Article
  Year 2016 Publication Nanotechnol. Abbreviated Journal Nanotechnol.  
  Volume 27 Issue 47 Pages 47lt02 (1 to 8)  
  Keywords NbN nanowires  
  Abstract The topic of superconductivity in strongly disordered materials has attracted significant attention. These materials appear to be rather promising for fabrication of various nanoscale devices such as bolometers and transition edge sensors of electromagnetic radiation. The vividly debated subject of intrinsic spatial inhomogeneity responsible for the non-Bardeen-Cooper-Schrieffer relation between the superconducting gap and the pairing potential is crucial both for understanding the fundamental issues of superconductivity in highly disordered superconductors, and for the operation of corresponding nanoelectronic devices. Here we report an experimental study of the electron transport properties of narrow NbN nanowires with effective cross sections of the order of the debated inhomogeneity scales. The temperature dependence of the critical current follows the textbook Ginzburg-Landau prediction for the quasi-one-dimensional superconducting channel I c approximately (1-T/T c)(3/2). We find that conventional models based on the the phase slip mechanism provide reasonable fits for the shape of R(T) transitions. Better agreement with R(T) data can be achieved assuming the existence of short 'weak links' with slightly reduced local critical temperature T c. Hence, one may conclude that an 'exotic' intrinsic electronic inhomogeneity either does not exist in our structures, or, if it does exist, it does not affect their resistive state properties, or does not provide any specific impact distinguishable from conventional weak links.  
  Address National Research University Higher School of Economics, Moscow Institute of Electronics and Mathematics,109028, Moscow, Russia. P L Kapitza Institute for Physical Problems RAS, Moscow, 119334, Russia  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language (down) English Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN 0957-4484 ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes PMID:27782000 Approved no  
  Call Number Serial 1332  
Permanent link to this record
 

 
Author Thijs de Graauw; Nick Whyborn; Frank Helmich; Pieter Dieleman; Peter Roelfsema; Emmanuel Caux; Tom Phillips; Jürgen Stutzki; Douwe Beintema; Arnold Benz; Nicolas Biver; Adwin Boogert; Francois Boulanger; Sergey Cherednichenko; Odile Coeur-Joly; Claudia Comito; Emmanuel Dartois; Albrecht de Jonge; Gert de Lange; Ian Delorme; Anna DiGiorgio; Luc Dubbeldam; Kevin Edwards; Michael Fich; Rolf Güsten; Fabrice Herpin; Netty Honingh; Robert Huisman; Herman Jacobs; Willem Jellema; Jon Kawamura; Do Kester; Teun Klapwijk; Thomas Klein; Jacob Kooi; Jean-Michel Krieg; Carsten Kramer; Bob Kruizenga; Wouter Laauwen; Bengt Larsson; Christian Leinz; Rene Liseau; Steve Lord; Willem Luinge; Anthony Marston; Harald Merkel; Rafael Moreno; Patrick Morris; Anthony Murphy; Albert Naber; Pere Planesas; Jesus Martin-Pintado; Micheal Olberg; Piotr Orleanski; Volker Ossenkopf; John Pearson; Michel Perault; Sabine Phillip; Mirek Rataj; Laurent Ravera; Paolo Saraceno; Rudolf Schieder; Frank Schmuelling; Ryszard Szczerba; Russell Shipman; David Teyssier; Charlotte Vastel; Huib Visser; Klaas Wildeman; Kees Wafelbakker; John Ward; Roonan Higgins; Henri Aarts; Xander Tielens; Peer Zaal openurl 
  Title The Herschel-heterodyne instrument for the far-infrared (HIFI): instrument and pre-launch testing Type Conference Article
  Year 2008 Publication Proc. SPIE Abbreviated Journal  
  Volume 7010 Issue Pages 701004  
  Keywords  
  Abstract  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language (down) Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 422  
Permanent link to this record
Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print

Save Citations:
Export Records: