Records |
Author |
Бурмистрова, А. В.; Девятов, И. А. |
Title |
Расчет электронного транспорта в гетероструктурах, содержащих многозонные сверхпроводники |
Type |
Conference Article |
Year |
2014 |
Publication |
Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» |
Abbreviated Journal |
|
Volume |
1 |
Issue |
|
Pages |
21-22 |
Keywords |
N/I/Sp junctions |
Abstract |
В рамках приближения сильной связи теоретически рассчитаны проводимости контактов вида нормальный металл/изолятор/одноорбитальный сверхпроводник с p-типом сверхпроводящего спаривания (N/I/Sp). Объяснено наблюдаемое экспериментально как появление пика при нулевом напряжении, так и его расщепление в зависимости от толщины слоя изолятора. В рамках этой же микроскопической теории развит вариант техники решеточной функции Грина в мацубаровом представлении. Используя разработанный подход, рассчитаны фазовые и температурные зависимости тока Джозефсона для контакта сверхпроводника s-типа и многозонного железосодержащего сверхпроводника (ферропниктида) для различных ориентаций границы по отношению к кристаллографическим осям пниктида. |
Address |
Нижний Новгород, Россия |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language ![sorted by Language field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1834 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Кардакова, А. И.; Финкель, М. И.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Ан, П. П.; Гольцман, Г. Н. |
Title |
Время электрон-фононного взаимодействия в сверхпроводниковых пленках нитрида титана |
Type |
Conference Article |
Year |
2014 |
Publication |
Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» |
Abbreviated Journal |
|
Volume |
1 |
Issue |
|
Pages |
47-48 |
Keywords |
TiN films |
Abstract |
Определены времена электрон-фононного взаимодействия в тонких сверхпроводниковых пленках нитрида титана. Измеренные значения τ_eph находятся в диапазоне от 5.5 нс до 88 нс при температурах 4,2 К и 1,7 К, соответственно, и соответствуют температурной зависимости Т^-3. |
Address |
Нижний Новгород, Россия |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language ![sorted by Language field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1835 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Корнеева, Ю. П.; Михайлов, М. М.; Манова, Н. Н.; Дивочий, А. А.; Корнеев, А. А.; Вахтомин, Ю. Б.; Першин, Ю. П.; Гольцман, Г. Н. |
Title |
Сверхпроводниковый однофотонный детектор на основе аморфных пленок MoSi |
Type |
Conference Article |
Year |
2014 |
Publication |
Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» |
Abbreviated Journal |
|
Volume |
1 |
Issue |
|
Pages |
53-54 |
Keywords |
MoSi SSPD |
Abstract |
Нами были изготовлены и исследованы однофотонные детекторы на основе сверхпроводящих пленок Mo x Si 1-x двух различных стехиометрий: Mo 3 Si и Mo 4 Si. При температуре 1.7 К лучшие детекторы площадью 7 мкм*7 мкм на основе этих пленок продемонстрировали системную квантовую эффективность 18% при скорости темнового счета 10 с -1 на длине волны 1.2 мкм с использованием неполяризованного источника, длительность импульса – 6 нс, джиттер – 120 пс. |
Address |
Нижний Новгород, Россия |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language ![sorted by Language field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1836 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Słysz, W.; Węgrzecki, M.; Bar, J.; Grabiec, P.; Gol'tsman, G. N.; Verevkin, A.; Sobolewski, R. |
Title |
NbN superconducting single-photon detector coupled with a communication fiber |
Type |
Journal Article |
Year |
2005 |
Publication |
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania |
Abbreviated Journal |
|
Volume |
46 |
Issue |
6 |
Pages |
51-52 |
Keywords |
NbN SSPD, SNSPD |
Abstract |
We present novel superconducting single-photon detectors (SSPDs), based on ultrathin NbN films, designed for fiber-based quantum communications (lambda = 1.3 žm and 1.55 žm). For fiber-based operation, our SSPDs contain a special micromechanical construction integrated with the NbN structure, which enables efficient and mechanically very stabile fiber coupling. The detectors combine GHz counting rate, high quantum efficiency and very low level of dark counts. At 1.3 – 1.55 žm wavelength range our detector exhibits a quantum efficiency up to 10%. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language ![sorted by Language field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
Polish |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1481 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Tretyakov, I.; Svyatodukh, S.; Perepelitsa, A.; Ryabchun, S.; Kaurova, N.; Shurakov, A.; Smirnov, M.; Ovchinnikov, O.; Goltsman, G. |
Title |
Ag2S QDs/Si heterostructure-based ultrasensitive SWIR range detector |
Type |
Journal Article |
Year |
2020 |
Publication |
Nanomaterials (Basel) |
Abbreviated Journal |
Nanomaterials (Basel) |
Volume |
10 |
Issue |
5 |
Pages |
1-12 |
Keywords |
detector; quantum dots; short-wave infrared range; silicon |
Abstract |
In the 20(th) century, microelectronics was revolutionized by silicon-its semiconducting properties finally made it possible to reduce the size of electronic components to a few nanometers. The ability to control the semiconducting properties of Si on the nanometer scale promises a breakthrough in the development of Si-based technologies. In this paper, we present the results of our experimental studies of the photovoltaic effect in Ag2S QD/Si heterostructures in the short-wave infrared range. At room temperature, the Ag2S/Si heterostructures offer a noise-equivalent power of 1.1 x 10(-10) W/ radicalHz. The spectral analysis of the photoresponse of the Ag2S/Si heterostructures has made it possible to identify two main mechanisms behind it: the absorption of IR radiation by defects in the crystalline structure of the Ag2S QDs or by quantum QD-induced surface states in Si. This study has demonstrated an effective and low-cost way to create a sensitive room temperature SWIR photodetector which would be compatible with the Si complementary metal oxide semiconductor technology. |
Address |
Laboratory of nonlinear optics, Zavoisky Physical-Technical Institute of the Russian Academy of Sciences, Kazan 420029, Russia |
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language ![sorted by Language field, descending order (down)](img/sort_desc.gif) |
English |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
2079-4991 |
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
PMID:32365694; PMCID:PMC7712218 |
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1151 |
Permanent link to this record |