Гершензон, Е. М., Литвак-Горская, Л. Б., & Рабинович, Р. И. (1983). Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда. Физика и техника полупроводников, 17(10), 1873–1876.
|
Гершензон, Е. М., Мельников, А. П., Рабинович, Р. И., & Смирнова, В. Б. (1983). О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси. Физика и техника полупроводников, 17(3), 499–501.
|
Gershenzon, E. M., Gurvich, Y. A., Orlova, S. L., & Ptitsina, N. G. (1976). Scattering of electrons by charged impurities in Ge under cyclotron resonance conditions. Presumably: Sov. Phys. Semicond. | Физика и техника полупроводников, 10, 1379–1383.
|
Bondarenko, O. I., Gershenzon, E. M., Gurvich, Y. A., Orlova, S. L., & Ptitsina, N. G. (1972). Measurement of the width of the cyclotron resonance line of n-type Ge in quantizing magnetic fields. Presumably: Sov. Phys. Semicond. | Физика и техника полупроводников, 6, 362–363.
|
Воеводин, Е. И., Гершензон, Е. М., Гольцман, Г. Н., & Птицина, Н. Г. (1989). Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge. Физика и техника полупроводников, 23(8), 1356–1361.
Abstract: Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1.
|