|
Records |
Links |
|
Author |
Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N.; Elantiev, A. I.; Karasik, B. S.; Potoskuev, S. E. |
|
|
Title |
Intense electromagnetic radiation heating of electrons of a superconductor in the resistive state |
Type |
Journal Article |
|
Year |
1988 |
Publication |
Sov. J. Low Temp. Phys. |
Abbreviated Journal |
Sov. J. Low Temp. Phys. |
|
|
Volume |
14 |
Issue |
7 |
Pages |
414-420 |
|
|
Keywords |
HEB |
|
|
Abstract |
|
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
Duplicated as 1697 |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
236 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Карасик, Б. С.; Потоскуев, С. Э. |
|
|
Title |
Разогрев электронов в резистивном состоянии сверхпроводника электромагнитным излучением значительной интенсивности |
Type |
Journal Article |
|
Year |
1988 |
Publication |
Физика низких температур |
Abbreviated Journal |
Физика низких температур |
|
|
Volume |
14 |
Issue |
7 |
Pages |
753-763 |
|
|
Keywords |
HEB |
|
|
Abstract |
|
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
Duplicated as 1697 |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
883 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
|
|
Title |
Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge |
Type |
Journal Article |
|
Year |
1989 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
|
|
Volume |
23 |
Issue |
8 |
Pages |
1356-1361 |
|
|
Keywords |
Ge, crystallography |
|
|
Abstract |
Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
Duplicated as 1692 |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1691 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Гольцман, Г. Н.; Смирнов, К. В. |
|
|
Title |
По итогам проектов российского фонда фундаментальных исследований. Проект РФФИ # 98-02-16897 Электрон-фононное взаимодействие в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах |
Type |
Journal Article |
|
Year |
2001 |
Publication |
Письма в ЖЭТФ |
Abbreviated Journal |
Письма в ЖЭТФ |
|
|
Volume |
74 |
Issue |
9 |
Pages |
532-538 |
|
|
Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures |
|
|
Abstract |
Рассмотрены теоретические и экспериментальные работы, посвященные изучению электрон-фононного взаимодействия в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах в случае сильного разогрева в электрическом поле, в квазиравновесных условиях и в квантующем магнитном поле, перпендикулярном 2D слою. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
Duplicated as 1541: “Electron-phonon interaction in a two-dimensional electron gas of semiconductor heterostructures at low temperatures” |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
|
Serial |
1832 |
|
Permanent link to this record |
|
|
|
|
Author |
Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. |
|
|
Title |
Концентрационная зависимость полосы преобразования смесителей субмиллиметрового диапазона на основе наноструктур AlGaAs/GaAs |
Type |
Journal Article |
|
Year |
2010 |
Publication |
Изв. РАН Сер. Физ. |
Abbreviated Journal |
Изв. РАН Сер. Физ. |
|
|
Volume |
74 |
Issue |
1 |
Pages |
110-112 |
|
|
Keywords |
2DEG AlGaAs/GaAs heterostructures, THz heterodyne detectors, IF bandwidth |
|
|
Abstract |
Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением при Т = 4.2 К измерена концентрационная зависимость полосы преобразования гетеродинного детектирования гетероструктур AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом. С увеличением концентрации двумерных электронов ns = (1.6–6.6) · 1011см-2 ширина полосы преобразования f3dB уменьшается от 245 до 145 МГц. В исследованной области концентраций наблюдается зависимость f3dB , обусловленная рассеянием электронов на деформационном потенциале акустических фононов и пьезоэлектрическим рассеянием. |
|
|
Address |
|
|
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
|
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
|
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
|
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
|
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
|
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
|
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
|
|
Notes |
Duplicated as 1217 |
Approved |
no |
|
|
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
642 |
|
Permanent link to this record |