|   | 
Details
   web
Records
Author Gol’tsman, G. N.; Smirnov, K. V.
Title Electron-phonon interaction in a two-dimensional electron gas of semiconductor heterostructures at low temperatures Type Journal Article
Year 2001 Publication Jetp Lett. Abbreviated Journal Jetp Lett.
Volume 74 Issue 9 Pages 474-479
Keywords 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures
Abstract Theoretical and experimental works devoted to studying electron-phonon interaction in the two-dimensional electron gas of semiconductor heterostructures at low temperatures in the case of strong heating in an electric field under quasi-equilibrium conditions and in a quantizing magnetic field perpendicular to the 2D layer are considered.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN 0021-3640 ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes (up) По итогам проектов российского фонда фундаментальных исследований. Проект РФФИ # 98-02-16897 Электрон-фононное взаимодействие в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах Approved no
Call Number Serial 1541
Permanent link to this record
 

 
Author Shangina, E. L.; Smirnov, K. V.; Morozov, D. V.; Kovalyuk, V. V.; Gol’tsman, G. N.; Verevkin, A. A.; Toropov, A. I.
Title Frequency bandwidth and conversion loss of a semiconductor heterodyne receiver with phonon cooling of two-dimensional electrons Type Journal Article
Year 2010 Publication Semicond. Abbreviated Journal Semicond.
Volume 44 Issue 11 Pages 1427-1429
Keywords 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures mixers
Abstract The temperature and concentration dependences of the frequency bandwidth of terahertz heterodyne AlGaAs/GaAs detectors based on hot electron phenomena with phonon cooling of two-dimensional electrons have been measured by submillimeter spectroscopy with a high time resolution. At a temperature of 4.2 K, the frequency bandwidth at a level of 3 dB (f 3 dB) is varied from 150 to 250 MHz with a change in the concentration n s according to the power law f 3dB ∝ n −0.5 s due to the dominant contribution of piezoelectric phonon scattering. The minimum conversion loss of the semiconductor heterodyne detector is obtained in structures with a high carrier mobility (μ > 3 × 105 cm2 V−1 s−1 at 4.2 K).
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN 1063-7826 ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes (up) Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов Approved no
Call Number Serial 1216
Permanent link to this record
 

 
Author Korneev, A.; Minaeva, O.; Rubtsova, I.; Milostnaya, I.; Chulkova, G.; Voronov, B.; Smirnov, K.; Seleznev, V.; Gol'tsman, G.; Pearlman, A.; Slysz, W.; Cross, A.; Alvarez, P.; Verevkin, A.; Sobolewski, R.
Title Superconducting single-photon ultrathin NbN film detector Type Journal Article
Year 2005 Publication Quantum Electronics Abbreviated Journal
Volume 35 Issue 8 Pages 698-700
Keywords NbN SSPD, SNSPD
Abstract Superconducting single-photon ultrathin NbN film detectors are studied. The development of manufacturing technology of detectors and the reduction of their operating temperature down to 2 K resulted in a considerable increase in their quantum efficiency, which reached in the visible region (at 0.56 μm) 30%—40%, i.e., achieved the limit determined by the absorption coefficient of the film. The quantum efficiency exponentially decreases with increasing wavelength, being equal to ~20% at 1.55 μm and ~0.02% at 5 μm. For the dark count rate of ~10-4s-1, the experimental equivalent noise power was 1.5×10-20 W Hz-1/2; it can be decreased in the future down to the record low value of 5×10-21 W Hz-1/2. The time resolution of the detector is 30 ps.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes (up) Сверхпроводящий однофотонный детектор на основе ультратонкой пленки NbN Approved no
Call Number Serial 383
Permanent link to this record
 

 
Author Смирнов, Константин Владимирович; Вахтомин, Юрий Борисович; Смирнов, Андрей Владимирович; Ожегов, Роман Викторович; Пентин, Иван Викторович; Дивочий, Александр Валерьевич; Сливинская, Елизавета Вячеславовна; Гольцман, Григорий Наумович
Title Приемники терагерцового и инфракрасного диапазонов, основанные на тонкопленочных сверхпроводниковых наноструктурах Type Journal Article
Year 2010 Publication Вестник НГУ. Серия: Физика Abbreviated Journal Вестник НГУ. Серия: Физика
Volume 5 Issue 4 Pages
Keywords HEB, SSPD, SNSPD
Abstract В работе представлены результаты разработки и создания чувствительных и ультрабыстрых приемников, основанных на тонкопленочных сверхпроводниковых наноструктурах: болометрах на эффекте электронного разогрева (HEB – hot-electron bolometer) и детекторах одиночных фотонов видимого и инфракрасного диапазонов волн (SSPD – superconducting singe-photon detector). Представлены основные принципы работы сверхпроводниковых устройств, технология создания и конструкционные особенности приемников, их основные типы и характеристики. Достигнутые рекордные значения параметров приемных систем позволяют использовать созданные приборы при решении различных научно-исследовательских задач в ближнем, среднем и дальнем ИК диапазонах волн.

This work presents the results of the development and fabrication of sensitive and ultrafast detectorsbased on thin film superconducting nanostructures: hot-electron bolometers (HEBs) and visible and infrared superconducting singe photon detectors (SSPDs). The main operational principles of the superconducting devices are presentedas well as the technology of fabrication of the detectors and their main types and parameters. The achieved record parameters of the detectors allow application of the fabricated devices to solution of various research problems in the near, middle and far IR ranges.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Новосибирский государственный университет Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Физика Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN 1818-7994 ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes (up) УДК 538.9 Approved no
Call Number RPLAB @ sasha @ смирнов2010приемники Serial 1033
Permanent link to this record
 

 
Author Корнеев, А. А.; Окунев, О. В.; Чулкова, Г. М.; Смирнов, К. В.; Милостная, И. И.; Минаева, О. В.; Корнеева, Ю. П.; Каурова, Н. С.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н.
Title Спонтанные и фотоиндуцированные резистивные состояния в узких сверхпроводящих NbN полосках Type Book Whole
Year 2015 Publication Abbreviated Journal
Volume Issue Pages
Keywords NbN films
Abstract Монография посвящена актуальной проблеме современной фотоники: разработке высокочувствительных и быстродействующих сверхпроводниковых однофотонных детекторов на основе тонкой пленки NbN. В работе исследуются неравновесные процессы, протекающие в тонкой сверхпроводящей пленке после поглощения инфракрасного фотона и приводящие к возникновению резистивного состояния. На этих процессах основан механизм фотоотклика исследуемого в работе однофотонного детектора. В частности, исследуются зависимости квантовой эффективности и скорости темнового счета от геометрических параметров детектора: толщины пленки, ширины полоски, а также от величины транспортного тока детектора. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих исследователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники и радиофизики.
Address Москва
Corporate Author Thesis
Publisher МПГУ Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN 978-5-4263-0269-3 Medium
Area Expedition Conference
Notes (up) УДК: 535; Число страниц: 108 Approved no
Call Number Serial 1812
Permanent link to this record