Home | << 1 >> |
Record | |||||
---|---|---|---|---|---|
Author | Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. | ||||
Title | Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах | Type | Journal Article | ||
Year | 1990 | Publication | Физика и техника полупроводников | Abbreviated Journal | Физика и техника полупроводников |
Volume | 24 | Issue | 1 | Pages | 3-24 |
Keywords | compensated n-InSb, impurities | ||||
Abstract | Представлен обзор результатов цикла исследований природы электропроводности предельно очищенных образцов антимонида индия n-типа. Рассмотрены способы определения концентрации доноров и степени компенсации в этом материале, обсуждается роль свободных и локализованных на донорах электронов в электропроводности при гелиевых температурах. Обсуждение основано на анализе результатов исследования гальваномагнитных явлений, поглощения СВЧ излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов и ультразвука. Рассмотрены способы определения характеристик материала на основе комплекса результатов, полученных с помощью указанных методов. Обсуждается также фотопроводимость по примесям в n-InSb. | ||||
Address | |||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Russian | Summary Language | Original Title | ||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | Medium | |||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | Approved | no | |||
Call Number | Serial | 1756 | |||
Permanent link to this record |