Bibliography database of Radiophysics Laboratory (RpLab) -- Query Results

List View

Author	Title	Year	Publication
Флоря, И.Н.; Корнеева, Ю.П.; Корнеев, А.А.; Гольцман, Г.Н.	Сверхпроводниковый однофотонный детектор для среднего инфракрасного диапазона на основе узких параллельных полосок	2011	Труды Московского физико-технического института
Пентин, И. В.; Смирнов, К. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, А. В.; Ожегов, Р. В.; Дивочий, А. В.; Гольцман, Г. Н.	Быстродействующий терагерцевый приемник и инфракрасный счетчик одиночных фотонов на эффекте разогрева электронов в сверхпроводниковых тонкопленочных наноструктурах	2011	Труды МФТИ
Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И.	Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов	2010	Физика и техника полупроводников
Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.; Ригер, Е. Р.	Оже-рекомбинация свободных носителей на мелких донорах в германии	1984	Физика и техника полупроводников
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.	Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge	1989	Физика и техника полупроводников
Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Кагане, М. Л.; Мултановский, В. В.; Птицина, Н. Г.	Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках	1983	Физика и техника полупроводников
Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б.	Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе	1991	Физика и техника полупроводников
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б.	Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла	1990	Физика и техника полупроводников
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.	Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge	1990	Физика и техника полупроводников
Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б.	Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах	1990	Физика и техника полупроводников
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.	Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках	1989	Физика и техника полупроводников
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З.	Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩	1986	Физика и техника полупроводников
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С.	Спин-решеточная релаксация доноров фосфора в кремнии при одноосной деформации образца	1985	Физика и техника полупроводников
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С.	О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии	1984	Физика и техника полупроводников
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.	Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии	1983	Физика и техника полупроводников