|   | 
Details
   web
Records
Author Чулкова, Г. М.; Корнеев, А. А.; Смирнов, К. В.; Окунев, О. В.
Title Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ик излучения на их основе Type Book Whole
Year 2012 Publication Abbreviated Journal
Volume Issue Pages
Keywords 2DEG, AlGaAs/GaAs, NbN detectors
Abstract Монография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электронное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интенсивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фонолами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники.
Address Москва
Corporate Author Thesis
Publisher (down) Прометей, МПГУ Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN 978-5-4263-0118-4 Medium
Area Expedition Conference
Notes УДК: 537.311 Approved no
Call Number Serial 1818
Permanent link to this record
 

 
Author Смирнов, Константин Владимирович; Чулкова, Галина Меркурьевна; Вахтомин, Юрий Борисович; Корнеев, Александр Александрович; Окунев, Олег Валерьевич; Дивочий, Александр Валерьевич; Семенов, Александр Владимирович; Гольцман, Григорий Наумович
Title Особенности разогрева и релаксации горячих электронов О-754 в тонкопленочных cверхпроводниковых наноструктурах и 2D полупроводниковых гетероструктурах при поглощении излучения инфракрасного и терагерцового диапазонов Type Book Whole
Year 2014 Publication Abbreviated Journal
Volume Issue Pages
Keywords 2DEG
Abstract В монографии рассмотрены основные особенности эффекта электронного разогрева в тонких сверхпроводниковых пленках и полупроводниковых гетеропереходах, возникающего при поглощении носителями заряда излучений терагерцового и инфракрасного диапазонов.

Значительная часть монографии посвящена представлению современных достижений при использовании указанного эффекта для создания приемных устройств с рекордными характеристиками: терагерцовых гетеродинных и болометрических приемников на основе сверхпроводниковых и полупроводниковых структур; сверхпроводниковых приемников одиночных ИК фотонов. В работе также подробно рассмотрены основы современной сверхпроводниковой тонкопленочной технологии.

Монография может быть полезна студентам старших курсов, аспирантам и начинающим исследователям, работающим в области физики твердого тела, оптики, радиофизики.
Address Москва
Corporate Author Thesis
Publisher (down) МПГУ Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN 978-5-4263-0145-0 Medium
Area Expedition Conference
Notes 240 страниц Approved no
Call Number Serial 1814
Permanent link to this record
 

 
Author Kawano, Yukio; Ishibashi, Koji
Title An on-chip near-field terahertz probe and detector Type Journal Article
Year 2008 Publication Nature Photonics Abbreviated Journal Nature Photon
Volume 2 Issue 10 Pages 618-621
Keywords single molecule, terahertz, THz, near-field, microscopy, imaging, 2DEG, GaAs/AlGaAs, detector, applications
Abstract The advantageous properties of terahertz waves, such as their transmission through objects opaque to visible light, are attracting attention for imaging applications. A promising approach for achieving high spatial resolution is the use of near-field imaging. Although this method has been well established in the visible and microwave regions, it is challenging to perform in the terahertz region. In the terahertz techniques investigated to date, detectors have been located remotely from the probe, which degrades sensitivity, and the influence of far-field waves is unavoidable. Here we present a new integrated detection device for terahertz near-field imaging in which all the necessary detection components — an aperture, a probe and a terahertz detector — are integrated on one semiconductor chip, which is cryogenically cooled. This scheme allows highly sensitive, high-resolution detection of the evanescent field alone and promises new capabilities for high-resolution terahertz imaging.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher (down) Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN 1749-4885 ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 570
Permanent link to this record
 

 
Author Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И.
Title Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов Type Journal Article
Year 2010 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal
Volume 44 Issue 11 Pages 1475-1478
Keywords 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures mixers
Abstract Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher (down) Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1216 Approved no
Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 702
Permanent link to this record
 

 
Author An, Zhenghua; Chen, Jeng-Chung; Ueda, T.; Komiyama, S.; Hirakawa, K.
Title Infrared phototransistor using capacitively coupled two-dimensional electron gas layers Type Journal Article
Year 2005 Publication Applied Physics Letters Abbreviated Journal Appl. Phys. Lett.
Volume 86 Issue Pages 172106 - 172106-3
Keywords 2DEG
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher (down) Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number RPLAB @ akorneev @ Serial 603
Permanent link to this record