Home << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> [11–20]
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   web
Records
Author Kuzin, Aleksei; Elmanov, Ilia; Kovalyuk, Vadim; An, Pavel; Goltsman, Gregory
Title Silicon nitride focusing grating coupler for input and output light of NV-centers Type Conference Article
Year 2020 Publication Proc. 32-nd EMSS Abbreviated Journal Proc. 32-nd EMSS
Volume Issue Pages 349-353
Keywords NV-centers, focusing grating coupler
Abstract Here we presented the numerical results for the calculation of focusing grating coupler efficiency in the visible wavelength range. Using the finite element method, the optimal geometric parameters, including filling factor and grating period for a central wavelength of 637 nm, were found. Obtained results allow to input/output single-photon radiation from NV-centers, and can be used for research and development of a scalable on-chip quantum optical computing.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN 2724-0029 ISBN 978-88-85741-44-7 Medium
Area Expedition Conference 32nd European Modeling & Simulation Symposium
Notes Approved no
Call Number Serial (down) 1841
Permanent link to this record
 
 
Author Elmanov, Ilia; Elmanova, Anna; Kovalyuk, Vadim; An, Pavel; Goltsman, Gregory
Title Silicon nitride photonic crystal cavity coupled with NV-centers in nanodiamonds Type Conference Article
Year 2020 Publication Proc. 32-nd EMSS Abbreviated Journal Proc. 32-nd EMSS
Volume Issue Pages 344-348
Keywords
Abstract The development of integrated quantum photonics requires a high efficient excitation and coupling of a single photon source with on-chip devices. In this paper, we show our results of modelling for high-Q photonic crystal cavity, optimized for zero phonon line emission of NV-centers in nanodiamonds. Modelling was performed for the silicon nitride platform and obtained a quality factor equals to 6136 at 637 nm wavelength.
Address NV-centers, nanodiamonds
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN 2724-0029 ISBN 978-88-85741-44-7 Medium
Area Expedition Conference 32nd European Modeling & Simulation Symposium
Notes Approved no
Call Number Serial (down) 1840
Permanent link to this record
 
 
Author Elmanov, Ilia; Elmanova, Anna; Kovalyuk, Vadim; An, Pavel; Goltsman, Gregory
Title Integrated contra-directional coupler for NV-centers photon filtering Type Conference Article
Year 2020 Publication Proc. 32-nd EMSS Abbreviated Journal Proc. 32-nd EMSS
Volume Issue Pages 354-360
Keywords NV-centers, nanodiamonds, quantum photonic integrated circuits, contra-direction coupler, Bragg gratings
Abstract We modelled an integrated optical contra-directional coupler on silicon nitride platform. Performance of the filter was studied depending on different parameters, including the grating period and the height of teeth of the Bragg grating near 637 nm operation wavelength. The obtained results can be used for a design and fabrication of quantum photonic integrated circuits with on-chip single-photon NV-centers in nanodiamonds.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN 2724-0029 ISBN 978-88-85741-44-7 Medium
Area Expedition Conference 32nd European Modeling & Simulation Symposium
Notes Approved no
Call Number Serial (down) 1839
Permanent link to this record
 
 
Author Смирнов, К. В.
Title AlGaAs/GaAs смеситель на эффекте разогрева двумерных электронов для тепловизора субмиллиметрового диапазона Type Abstract
Year 2003 Publication Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников Abbreviated Journal
Volume Issue Pages 181
Keywords 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures, mixer
Abstract
Address ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санк-Петербург
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference VI Российской конференции по физике полупроводников (27-31 октября)
Notes Unconfirmed; Сама конференция, однако, была -- её упоминают: [http://www.nsc.ru/HBC/article.phtml?nid=271&id=17], [https://www.isp.nsc.ru/institut/nauchnye-podrazdeleniya/lab-20/publikatsii/2003], [http://www.ioffe.ru/sem_tech/sem%5Fteh%5Fmovpe%5Fpublications%5Fru.htm#R2003], [https://istina.ips.ac.ru/collections/828771/] Approved no
Call Number Serial (down) 1837
Permanent link to this record
 
 
Author Корнеева, Ю. П.; Михайлов, М. М.; Манова, Н. Н.; Дивочий, А. А.; Корнеев, А. А.; Вахтомин, Ю. Б.; Першин, Ю. П.; Гольцман, Г. Н.
Title Сверхпроводниковый однофотонный детектор на основе аморфных пленок MoSi Type Conference Article
Year 2014 Publication Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» Abbreviated Journal
Volume 1 Issue Pages 53-54
Keywords MoSi SSPD
Abstract Нами были изготовлены и исследованы однофотонные детекторы на основе сверхпроводящих пленок Mo x Si 1-x двух различных стехиометрий: Mo 3 Si и Mo 4 Si. При температуре 1.7 К лучшие детекторы площадью 7 мкм*7 мкм на основе этих пленок продемонстрировали системную квантовую эффективность 18% при скорости темнового счета 10 с -1 на длине волны 1.2 мкм с использованием неполяризованного источника, длительность импульса – 6 нс, джиттер – 120 пс.
Address Нижний Новгород, Россия
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial (down) 1836
Permanent link to this record
 
 
Author Кардакова, А. И.; Финкель, М. И.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Ан, П. П.; Гольцман, Г. Н.
Title Время электрон-фононного взаимодействия в сверхпроводниковых пленках нитрида титана Type Conference Article
Year 2014 Publication Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» Abbreviated Journal
Volume 1 Issue Pages 47-48
Keywords TiN films
Abstract Определены времена электрон-фононного взаимодействия в тонких сверхпроводниковых пленках нитрида титана. Измеренные значения τ_eph находятся в диапазоне от 5.5 нс до 88 нс при температурах 4,2 К и 1,7 К, соответственно, и соответствуют температурной зависимости Т^-3.
Address Нижний Новгород, Россия
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial (down) 1835
Permanent link to this record
 
 
Author Бурмистрова, А. В.; Девятов, И. А.
Title Расчет электронного транспорта в гетероструктурах, содержащих многозонные сверхпроводники Type Conference Article
Year 2014 Publication Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» Abbreviated Journal
Volume 1 Issue Pages 21-22
Keywords N/I/Sp junctions
Abstract В рамках приближения сильной связи теоретически рассчитаны проводимости контактов вида нормальный металл/изолятор/одноорбитальный сверхпроводник с p-типом сверхпроводящего спаривания (N/I/Sp). Объяснено наблюдаемое экспериментально как появление пика при нулевом напряжении, так и его расщепление в зависимости от толщины слоя изолятора. В рамках этой же микроскопической теории развит вариант техники решеточной функции Грина в мацубаровом представлении. Используя разработанный подход, рассчитаны фазовые и температурные зависимости тока Джозефсона для контакта сверхпроводника s-типа и многозонного железосодержащего сверхпроводника (ферропниктида) для различных ориентаций границы по отношению к кристаллографическим осям пниктида.
Address Нижний Новгород, Россия
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial (down) 1834
Permanent link to this record
 
 
Author Селиверстов, С. В.; Финкель, М. И.; Рябчун, С. А.; Воронов, Б. М.; Каурова, Н. С.; Селезнев, В. А.; Смирнов, К. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Пентин, И. В.; Гольцман, Г. Н.
Title Терагерцевый сверхпроводниковый детектор с аттоджоулевым энергетическим разрешением и постоянной времени 25 пс Type Conference Article
Year 2014 Publication Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» Abbreviated Journal
Volume 1 Issue Pages 91-92
Keywords NbN HEB
Abstract Представлены результаты измерения энергетического разрешения терагерцевого сверхпроводникового NbN-детектора на эффектеэлектронного разогрева, работающего при температуре около 10 К. Использование инновационной in situ технологии производства привело к существенному улучшению чувствительности детектора. Увеличение быстродействия детектора было достигнуто за счет реализации дополнительного диффузионного канала охла-ждения электронной подсистемы. Измеренное значение эквивалентной мощности шума на частоте 2.5 ТГц составило 2.0×10-13Вт•Гц-0.5, постоянной времени 25 пс. Соответствующее расчетное значение энергетического разрешения составило 2.5 аДж.
Address Нижний Новгород, Россия
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial (down) 1833
Permanent link to this record
 
 
Author Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Гершензон, Е. М.; Птицина, Н. Г.; Смирнов, К. В.; Чулкова, Г. М.
Title Исследования процессов неупругой релаксации и примесная спектроскопия-релаксометрия в двумерном электронном газе в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами Type Report
Year 1995 Publication Abbreviated Journal
Volume Issue Pages
Keywords
Abstract В гетероструктурах GaAs/AlGaAs впервые прямым методом измерена температурная зависимость вpемени энеpгетической pелаксации двумерного электронного газа te(T) в широком диапазоне температур Т=1,5 – 50 К в квазиравновесных условиях. Для измерений использовался высокочувствительный спектрометр миллиметрового диапазона волн с высоким временным разрешением, который позволял измерять релаксационные времена до 150 пс с погрешностью не более 20%. Верхний предел температуры определялся временным разрешением спектрометра. Исследования проводились на высококачественных образцах с поверхностной концентрацией носителей ns = 4,2 1011 см-2 и подвижностью m = 7 105 см2В-1с-1 (при Т = 4,2К). В квазиравновесных условиях из температурной зависимости tе определен предел подвижности при низких температурах (T<4.2 K), связанный с рассеянием на пьезоакустическом потенциале, получено время неупругой релаксации, связанное с рассеянием на деформационном потенциале (15 K25 K), получено характерное время испускания оптического фонона (tLO>4,5пс), которое существенно превышает время сронтанного излучения оптического фонона (примерно в 30 раз), что связано с большой ролью процессов перепоглащения фононов электронами.При низких температурах проведены измерения tе в условиях сильного разогрева. Полученные значения tе и зависимость tе от температуры электронов Те совпадают с tе(Т) в квазиравновесных условиях при Т=Те. Из полученных значений tе(Те) построена зависимость мощности энергетических потерь от Те, которая хорошо согласуется с литературными данными.Начаты измерения в магнитном поле, которые показывают переспективность использованного нами метода измерений как в области слабых магнитных полей при факторе заполнения >10, так и в области сильных магнитных полей при факторе заполнения >1-2.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Отчет о НИР/НИОКР; РФФИ: 95-02-06409-а; Approved no
Call Number Serial (down) 1831
Permanent link to this record
 
 
Author Смирнов, Константин Владимирович
Title Энергетическая релаксация электронов в 2D-канале гетеропереходов GAAS/ALGAAS и транспортные процессы в структурах полупроводник-сверхпроводник на их основе Type Manuscript
Year 2000 Publication М. МПГУ Abbreviated Journal
Volume Issue Pages
Keywords 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures, NbN films
Abstract Диссертация посвящена изучению электрон-фононного взаимодействия в двумерном электронном газе, образующемся на границе раздела полупроводников AlGaAs и GaAs, а также созданию на основе гетероперехода GaAs/AlGaAs и сверхпроводника NbN гибридных структур сверхпроводник-полупроводник-сверхпроводник и изучению их электрофизических свойств.
Address Москва, МПГУ
Corporate Author Thesis Ph.D. thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial (down) 1830
Permanent link to this record