List View
 |   | 
   web
Author Title Year Publication Volume Pages
Dube, I.; Jiménez, D.; Fedorov, G.; Boyd, A.; Gayduchenko, I.; Paranjape, M.; Barbara, P. Understanding the electrical response and sensing mechanism of carbon-nanotube-based gas sensors 2015 Carbon 87 330-337
Ryzhii, V.; Otsuji, T.; Ryzhii, M.; Leiman, V. G.; Fedorov, G.; Goltzman, G. N.; Gayduchenko, I. A.; Titova, N.; Coquillat, D.; But, D.; Knap, W.; Mitin, V.; Shur, M. S. Two-dimensional plasmons in lateral carbon nanotube network structures and their effect on the terahertz radiation detection 2016 J. Appl. Phys. 120 044501 (1 to 13)
Fedorov, G. E.; Stepanova, T. S.; Gazaliev, A. S.; Gaiduchenko, I. A.; Kaurova, N. S.; Voronov, B. M.; Goltzman, G. N. Asymmetric devices based on carbon nanotubes for terahertz-range radiation detection 2016 Semicond. 50 1600-1603
Eletskii, A. V.; Sarychev, A. K.; Boginskaya, I. A.; Bocharov, G. S.; Gaiduchenko, I. A.; Egin, M. S.; Ivanov, A. V.; Kurochkin, I. N.; Ryzhikov, I. A.; Fedorov, G. E. Amplification of a Raman scattering signal by carbon nanotubes 2018 Dokl. Phys. 63 496-498
Bondarenko, O. I.; Gershenzon, E. M.; Gurvich, Y. A.; Orlova, S. L.; Ptitsina, N. G. Measurement of the width of the cyclotron resonance line of n-type Ge in quantizing magnetic fields 1972 Presumably: Sov. Phys. Semicond. | Физика и техника полупроводников 6 362-363
Gershenzon, E. M.; Orlov, L. A.; Ptitsina, N. G. Absorption spectra in electron transitions between excited states of impurities in germanium 1975 JETP Lett. 22 95-97
Gershenzon, E. M.; Gurvich, Y. A.; Orlova, S. L.; Ptitsina, N. G. Scattering of electrons by charged impurities in Ge under cyclotron resonance conditions 1976 Presumably: Sov. Phys. Semicond. | Физика и техника полупроводников 10 1379-1383
Shcherbatenko, M.; Elezov, M.; Manova, N.; Sedykh, K.; Korneev, A.; Korneeva, Y.; Dryazgov, M.; Simonov, N.; Feimov, A.; Goltsman, G.; Sych, D. Single-pixel camera with a large-area microstrip superconducting single photon detector on a multimode fiber 2021 Appl. Phys. Lett. 118 181103
Baeva, E. M.; Titova, N. A.; Veyrat, L.; Sacépé, B.; Semenov, A. V.; Goltsman, G. N.; Kardakova, A. I.; Khrapai, V. S. Thermal relaxation in metal films limited by diffuson lattice excitations of amorphous substrates 2021 Phys. Rev. Applied 15 054014
Gershenzon, E. M.; Gurvich, Yu. A.; Orlova, S. L.; Ptitsina, N. G. Cyclotron resonance of electrons in Ge in a quantizing magnetic field in the case of inelastic scattering by acoustic phonons 1975 Sov. Phys. JETP 40 311-315
Ptitsina, N. G.; Chulkova, G. M.; Il’in, K. S.; Sergeev, A. V.; Pochinkov, F. S.; Gershenzon, E. M.; Gershenson, M. E. Electron-phonon interaction in disordered metal films: The resistivity and electron dephasing rate 1997 Phys. Rev. B 56 10089-10096
Sergeev, A.; Karasik, B. S.; Ptitsina, N. G.; Chulkova, G. M.; Il'in, K. S.; Gershenzon, E. M. Electron–phonon interaction in disordered conductors 1999 Phys. Rev. B Condens. Matter 263-264 190-192
Гершензон, Е. М.; Мельников, А. П.; Рабинович, Р. И.; Смирнова, В. Б. О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси 1983 Физика и техника полупроводников 17 499-501
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И. Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда 1983 Физика и техника полупроводников 17 1873-1876
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии 1983 Физика и техника полупроводников 17 1896-1898