|
Komrakova, S., Javadzade, J., Vorobyov, V., Bolshedvorskii, S., Soshenko, V., Akimov, A., et al. (2018). On-chip controlled placement of nanodiamonds with a nitrogen-vacancy color centers (NV). In J. Phys.: Conf. Ser. (Vol. 1124, 051046 (1 to 4)).
Abstract: Here we studied the fabrication technique of a kilopixel array of nanodiamonds with a nitrogen-vacancy color centers (NV) on top of the chip and measured the second-order correlation function deep, clearly demonstrated the presence of single-photon sources. The controlled position of nanodiamonds, determined from the measurement of second-order correlation fiction, was realize, as well as the yield of optimized technique equals 12.5% is shown.
|
|
|
Nikoghosyan, A. S., Martirosyan, R. M., Hakhoumian, A. A., Makaryan, A. H., Tadevosyan, V. R., Goltsman, G. N., et al. (2018). Effect of absorption on the efficiency of THz radiation generation in a nonlinear crystal placed into a waveguide. Armenian J. Phys., 11(4), 257–262.
Abstract: The effect of THz radiation absorption on the efficiency of generation of coherent THz radiation in a nonlinear optical crystal placed into a metal rectangular waveguide is studied. The efficiency of the nonlinear conversion of optical laser radiation to the THz band is also a function of the phase-matching (PM) condition inside the nonlinear crystal. The method of partial filling of a metal waveguide with a nonlinear optical crystal is used to ensure phase matching. Phase matching was obtained by the proper choice of the thickness of the nonlinear crystal, namely the degree of partial filling of the waveguide. We have studied the THz radiation attenuation caused by the losses in both the metal walls of the waveguide and in the crystal, taking into account the dimension of the cross section of the waveguide, the degree of partial filling and its dielectric constant.
|
|
|
Золотов, Ф. И., Дивочий, А. В., Вахтомин, Ю. Б., Пентин, И. В., Морозов, П. В., Селезнев, В. А., et al. (2018). Применение тонких сверхпроводниковых пленок нитрида ванадия для изготовления счетчиков одиночных ИК-фотонов. In Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт. (pp. 60–61).
Abstract: Получены первые результаты по применению сверхпроводниковых пленок нитрида ванадия (VN) для детекторов одиночных фотонов ИК-диапазона. Изучение сверхпроводниковых однофотонных детекторов (SSPD), изготовленных на основе ультратонких (~5 нм) пленок VN, показало возможность создания устройств с близкой к насыщению зависимостью квантовой эффективности от тока смещения детекторов в телекоммуникационном диапазоне длин волн. Также нами были исследованы кинетическая индуктивность изготовленных структур с различной длиной сверхпроводниковой полоски и времена релаксации электронов в тонких сверхпроводниковых пленках VN.
|
|
|
Симонов, Н. О., Флоря, И. Н., Корнеева, Ю. П., Корнеев, А. А., & Гольцман, Г. Н. (2018). Однофотонный отклик в тонких сверхпроводящих MoNx пленках. In Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт. (pp. 408–409).
Abstract: Продемонстрирован однофотонный отклик, при токе близком к критическому, в MoNx сверхпроводящих полосках шириной 70-104 нм. MoNx детекторы, имеющие коэффициент диффузии D≈0.32 см2/с и время электрон-фононного взаимодействия ηe-ph≈300 пс, достигают квантовой эффективности QE≈20% на длине волны λ=1550 нм. Возможность реализации однофотонного детектора в данном материале, подтверждает существующую теорию вихревого механизма возникновения фотоотклика в узких сверхпроводящих полосках.
|
|
|
Мошкова, М. А., Дивочий, А. В., Морозов, П. В., Золотов, Ф. И., Вахтомин, Ю. Б., & Смирнов, К. В. (2018). Высокоэффективные NBN однофотонные детекторы с разрешением числа фотонов. In Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт. (pp. 400–401).
Abstract: Разработаны и исследованы сверхпроводниковые однофотонные детекторы, способные к разрешению до 3-х фотонов в коротком импульсе излучения и имеющие квантовую эффективность детектирования одиночных фотонов ~60% на длине волны lambda=1.55 мкм. Проведенная модернизация технологии изготовления детекторов, позволила получить приемные устройства с мультифотонной квантовой эффективностью, приближающейся к расчетным значениям.
|
|