Home << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> [11–20]
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   web
Author Title Year Publication Volume Pages
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии 1984 Физика и техника полупроводников 18 421-425
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. Спин-решеточная релаксация доноров фосфора в кремнии при одноосной деформации образца 1985 Физика и техника полупроводников 19 1696-1698
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ 1986 Физика и техника полупроводников 20 99-103
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках 1989 Физика и техника полупроводников 23 338-345
Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах 1990 Физика и техника полупроводников 24 3-24
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge 1990 Физика и техника полупроводников 24 1881-1883
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б. Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла 1990 Физика и техника полупроводников 24 2145-2150
Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе 1991 Физика и техника полупроводников 25 1986-1998
Mel’nikov, A. P.; Gurvich, Y. A.; Shestakov, L. N.; Gershenzon, E. M. Magnetic field effects on the nonohmic impurity conduction of uncompensated crystalline silicon 2001 Jetp Lett. 73 44-47
Pentin, Ivan; Finkel, Matvey; Maslennikov, Sergey; Vakhtomin, Yuri; Smirnov, Konstantin; Kaurova, Nataliya; Goltsman, Gregory Superconducting hot-electron-bolometer mixers for the mid-IR 2017 Rus. J. Radio Electron.
Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N.; Emtsev, V. V.; Mashovets, T. V.; Ptitsyna, N. G.; Ryvkin, S. M. Role of impurities of groups III and V in the formation of defects following γ irradiation of germanium 1971 JETP Lett. 14 241
Gershenzon, E. M.; Goltsman, G.; Orlova, S.; Ptitsina, N.; Gurvich, Y. Germanium hot-electron narrow-band detector 1971 Sov. Radio Engineering And Electronic Physics 16 1346
Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N. Transitions of electrons between excited states of donors in germanium 1971 JETP Lett. 14 63-65
Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N.; Mel'nikov, A. P. Binding energy of a carrier with a neutral impurity atom in germanium and in silicon 1971 JETP Lett. 14 185-186
Goltsman, G. Simple method for stabilizing power of submillimetric spectrometer 1972 Pribory i Tekhnika Eksperimenta 136