toggle visibility Search & Display Options

Select All    Deselect All
List View
 |   | 
   print
  Author Title Year Publication DOI Links
Moskotin, M. V.; Gayduchenko, I. A.; Goltsman, G. N.; Titova, N.; Voronov, B. M.; Fedorov, G. F.; Pyatkov, F.; Hennrich, F. Bolometric effect for detection of sub-THz radiation with devices based on carbon nanotubes 2018 J. Phys.: Conf. Ser. 10.1088/1742-6596/1124/5/051050 details   doi
Gayduchenko, I.; Fedorov, G.; Titova, N.; Moskotin, M.; Obraztsova, E.; Rybin, M.; Goltsman, G. Towards to the development of THz detectors based on carbon nanostructures 2018 J. Phys.: Conf. Ser. 10.1088/1742-6596/1092/1/012039 details   doi
Bandurin, D. A.; Gayduchenko, I.; Cao, Y.; Moskotin, M.; Principi, A.; Grigorieva, I. V.; Goltsman, G.; Fedorov, G.; Svintsov, D. Dual origin of room temperature sub-terahertz photoresponse in graphene field effect transistors 2018 Appl. Phys. Lett. 10.1063/1.5018151 details   doi
Gayduchenko, I. A.; Moskotin, M. V.; Matyushkin, Y. E.; Rybin, M. G.; Obraztsova, E. D.; Ryzhii, V. I.; Goltsman, G. N.; Fedorov, G. E. The detection of sub-terahertz radiation using graphene-layer and graphene-nanoribbon FETs with asymmetric contacts 2018 Materials Today: Proc. 10.1016/j.matpr.2018.08.155 details   doi
Belosevich, V. V.; Gayduchenko, I. A.; Titova, N. A.; Zhukova, E. S.; Goltsman, G. N.; Fedorov, G. E.; Silaev, A. A. Response of carbon nanotube film transistor to the THz radiation 2018 EPJ Web Conf. 10.1051/epjconf/201819505012 details   doi
Fedorov, G. E.; Gaiduchenko, I. A.; Golikov, A. D.; Rybin, M. G.; Obraztsova, E. D.; Voronov, B. M.; Coquillat, D.; Diakonova, N.; Knap, W.; Goltsman, G. N.; Samartsev, V. V.; Vinogradov, E. A.; Naumov, A. V.; Karimullin, K. R. Response of graphene based gated nanodevices exposed to THz radiation 2015 EPJ Web of Conferences 10.1051/epjconf/201510310003 details   doi
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ 1986 Физика и техника полупроводников details   url
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И. Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда 1983 Физика и техника полупроводников details   url
Ptitsina, N. G.; Chulkova, G. M.; Il’in, K. S.; Sergeev, A. V.; Pochinkov, F. S.; Gershenzon, E. M.; Gershenson, M. E. Electron-phonon interaction in disordered metal films: The resistivity and electron dephasing rate 1997 Phys. Rev. B 10.1103/PhysRevB.56.10089 details   doi
Dube, I.; Jiménez, D.; Fedorov, G.; Boyd, A.; Gayduchenko, I.; Paranjape, M.; Barbara, P. Understanding the electrical response and sensing mechanism of carbon-nanotube-based gas sensors 2015 Carbon 10.1016/j.carbon.2015.01.060 details   doi
Select All    Deselect All
List View
 |   | 
   print

Save Citations:
Export Records: