Home | << 1 >> |
Record | |||||
---|---|---|---|---|---|
Author | Voevodin, E. I.; Gershenzon, E. M.; Goltsman, G. N.; Ptitsina, N. G. | ||||
Title | Energy-spectrum of shallow acceptors in Ge deformed strongly by a uniaxial pressure | Type | Journal Article | ||
Year | 1989 | Publication | Sov. Phys. and Technics of Semiconductors | Abbreviated Journal | Sov. Phys. and Technics of Semiconductors |
Volume | 23 | Issue | 8 | Pages | 843-846 |
Keywords | Ge, crystallography | ||||
Abstract | Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1. | ||||
Address | |||||
Corporate Author | Thesis | ||||
Publisher | Place of Publication | Editor | |||
Language | Summary Language | Original Title | |||
Series Editor | Series Title | Abbreviated Series Title | |||
Series Volume | Series Issue | Edition | |||
ISSN | ISBN | Medium | |||
Area | Expedition | Conference | |||
Notes | Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge | Approved | no | ||
Call Number | Serial | 1692 | |||
Permanent link to this record |