List View
 |   | 
   web
Author Title Year Publication Volume Pages
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. Спин-решеточная релаксация доноров фосфора в кремнии при одноосной деформации образца 1985 Физика и техника полупроводников 19 1696-1698
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии 1984 Физика и техника полупроводников 18 421-425
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии 1983 Физика и техника полупроводников 17 1896-1898
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И. Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда 1983 Физика и техника полупроводников 17 1873-1876
Гершензон, Е. М.; Мельников, А. П.; Рабинович, Р. И.; Смирнова, В. Б. О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси 1983 Физика и техника полупроводников 17 499-501
Sergeev, A.; Karasik, B. S.; Ptitsina, N. G.; Chulkova, G. M.; Il'in, K. S.; Gershenzon, E. M. Electron–phonon interaction in disordered conductors 1999 Phys. Rev. B Condens. Matter 263-264 190-192
Ptitsina, N. G.; Chulkova, G. M.; Il’in, K. S.; Sergeev, A. V.; Pochinkov, F. S.; Gershenzon, E. M.; Gershenson, M. E. Electron-phonon interaction in disordered metal films: The resistivity and electron dephasing rate 1997 Phys. Rev. B 56 10089-10096
Chulcova, G. M.; Ptitsina, N. G.; Gershenzon, E. M.; Gershenzon, M. E.; Sergeev, A. V. Effect of the interference between electron-phonon and electron-impurity (boundary) scattering on resistivity Nb, Al, Be films 1996 Czech J. Phys. 46 2489-2490
Gershenzon, E. M.; Gurvich, Yu. A.; Orlova, S. L.; Ptitsina, N. G. Cyclotron resonance of electrons in Ge in a quantizing magnetic field in the case of inelastic scattering by acoustic phonons 1975 Sov. Phys. JETP 40 311-315
Gershenzon, E. M.; Gurvich, Y. A.; Orlova, S. L.; Ptitsina, N. G. Scattering of electrons by charged impurities in Ge under cyclotron resonance conditions 1976 Presumably: Sov. Phys. Semicond. | Физика и техника полупроводников 10 1379-1383