toggle visibility Search & Display Options

Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print
  Records Links
Author Чулкова, Г. М.; Корнеев, А. А.; Смирнов, К. В.; Окунев, О. В. url  isbn
openurl 
  Title (down) Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ик излучения на их основе Type Book Whole
  Year 2012 Publication Abbreviated Journal  
  Volume Issue Pages  
  Keywords 2DEG, AlGaAs/GaAs, NbN detectors  
  Abstract Монография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электронное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интенсивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фонолами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники.  
  Address Москва  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Прометей, МПГУ Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN 978-5-4263-0118-4 Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes УДК: 537.311 Approved no  
  Call Number Serial 1818  
Permanent link to this record
 

 
Author Семенов, А. В.; Девятов, И. А.; Рябчун, С. А.; Масленников, С. Н.; Масленникова, А. С.; Ларионов, П. А.; Воронов, Б. М.; Чулкова, Г. М. openurl 
  Title (down) Поглощение терагерцового электромагнитного излучения в “грязной” сверхпроводниковой пленке при произвольном виде спектральных функций Type Journal Article
  Year 2011 Publication Ж. Радиоэлектрон. Abbreviated Journal  
  Volume 10 Issue Pages 7  
  Keywords terahertz electromagnetic radiation; superconductors; detectors of terahertz range  
  Abstract A problem of absorption of high-frequency electromagnetic field in dirty superconductor is treated within Keldysh technic. Expression for the source term in the kinetic equation for quasiparticle distribution function is derived. The result is significant for deriving a consistent microscopic theory of superconducting detectors for terahertz frequency range, perspective detectors on kinetic inductance of current-biased superconducting strip and on Josephson inductance of tunnel.

В технике Келдыша рассмотрена задача о поглощении мощности высокочастотного электромагнитного поля в сверхпроводнике, удовлетворяющем условию грязного предела. Получено выражение для члена источника в кинетическом уравнении для функции распределения квазичастиц, справедливое при произвольном виде спектральных функций. Этот результат имеет значение для развития последовательной микроскопической теории сверхпроводниковых детекторов излучения терагерцового диапазона, в частности, перспективных детекторов на кинетической индуктивности смещённой током сверхпроводниковой полоски и джозефсоновской индуктивности туннельного контакта.
 
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 1117 Approved no  
  Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 713  
Permanent link to this record
 

 
Author Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. openurl 
  Title (down) Концентрационная зависимость полосы преобразования смесителей субмиллиметрового диапазона на основе наноструктур AlGaAs/GaAs Type Journal Article
  Year 2010 Publication Изв. РАН Сер. Физ. Abbreviated Journal Изв. РАН Сер. Физ.  
  Volume 74 Issue 1 Pages 110-112  
  Keywords 2DEG AlGaAs/GaAs heterostructures, THz heterodyne detectors, IF bandwidth  
  Abstract Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением при Т = 4.2 К измерена концентрационная зависимость полосы преобразования гетеродинного детектирования гетероструктур AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом. С увеличением концентрации двумерных электронов ns = (1.6–6.6) · 1011см-2 ширина полосы преобразования f3dB уменьшается от 245 до 145 МГц. В исследованной области концентраций наблюдается зависимость f3dB , обусловленная рассеянием электронов на деформационном потенциале акустических фононов и пьезоэлектрическим рассеянием.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 1217 Approved no  
  Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 642  
Permanent link to this record
 

 
Author Gershenzon, E. M.; Gershenzon, M. E.; Goltsman, G. N.; Semenov, A. D.; Sergeev, A. V. url  doi
openurl 
  Title (down) Wide-band highspeed Nb and YBaCuO detectors Type Journal Article
  Year 1991 Publication IEEE Trans. Magn. Abbreviated Journal IEEE Trans. Magn.  
  Volume 27 Issue 2 Pages 2836-2839  
  Keywords YBCO, HTS, Nb detectors  
  Abstract The physical limitations on the response time and the nature of nonequilibrium detection of radiation were investigated for Nb and YBCO film in a wide spectral range from millimeter to near-infrared wavelengths. In the case of ideal heat removal from the film, the detection mechanism is connected with an electron heating effect which is not selective over a wide spectral interval. For Nb, the dependence of the response time on the electron mean free path l and temperature T is tau varies as T/sup -2/l/sup -1/. The values of detectivity D* and tau are 3*10/sup 11/ W/sup -1/ Hz/sup 1/2/ cm and 5*10/sup -9/ s at T=1.6 K, respectively. For YBCO film the tau value of 1-2 ps at T=77 K was obtained; the NEP value of 3*10/sup -11/ W-Hz/sup -1/2/ can be obtained at T=77 K in the case of the optimal film matching to the radiation.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN 0018-9464 ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 239  
Permanent link to this record
 

 
Author Dube, I.; Jiménez, D.; Fedorov, G.; Boyd, A.; Gayduchenko, I.; Paranjape, M.; Barbara, P. url  doi
openurl 
  Title (down) Understanding the electrical response and sensing mechanism of carbon-nanotube-based gas sensors Type Journal Article
  Year 2015 Publication Carbon Abbreviated Journal Carbon  
  Volume 87 Issue Pages 330-337  
  Keywords carbon nanotubes, CNT detectors, field effect transistors, FET  
  Abstract Gas sensors based on carbon nanotube field effect transistors (CNFETs) have outstanding sensitivity compared to existing technologies. However, the lack of understanding of the sensing mechanism has greatly hindered progress on calibration standards and customization of these nano-sensors. Calibration requires identifying fundamental transistor parameters and establishing how they vary in the presence of a gas. This work focuses on modeling the electrical response of CNTFETs in the presence of oxidizing (NO2) and reducing (NH3) gases and determining how the transistor characteristics are affected by gas-induced changes of contact properties, such as the Schottky barrier height and width, and by the doping level of the nanotube. From the theoretical fits of the experimental transfer characteristics at different concentrations of NO2 and NH3, we find that the CNTFET response can be modeled by introducing changes in the Schottky barrier height. These changes are directly related to the changes in the metal work function of the electrodes that we determine experimentally, independently, with a Kelvin probe. Our analysis yields a direct correlation between the ON – current and the changes in the electrode metal work function. Doping due to molecules adsorbed at the carbon-nanotube/metal interface also affects the transfer characteristics.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN 0008-6223 ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1778  
Permanent link to this record
Select All    Deselect All
 |   | 
Details
   print

Save Citations:
Export Records: