|   | 
Details
   web
Records
Author Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И.
Title (down) Концентрационная зависимость полосы преобразования смесителей субмиллиметрового диапазона на основе наноструктур AlGaAs/GaAs Type Journal Article
Year 2010 Publication Изв. РАН Сер. Физ. Abbreviated Journal Изв. РАН Сер. Физ.
Volume 74 Issue 1 Pages 110-112
Keywords 2DEG AlGaAs/GaAs heterostructures, THz heterodyne detectors, IF bandwidth
Abstract Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением при Т = 4.2 К измерена концентрационная зависимость полосы преобразования гетеродинного детектирования гетероструктур AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом. С увеличением концентрации двумерных электронов ns = (1.6–6.6) · 1011см-2 ширина полосы преобразования f3dB уменьшается от 245 до 145 МГц. В исследованной области концентраций наблюдается зависимость f3dB , обусловленная рассеянием электронов на деформационном потенциале акустических фононов и пьезоэлектрическим рассеянием.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1217 Approved no
Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 642
Permanent link to this record
 

 
Author Вахтомин, Ю. Б.; Антипов, С. В.; Масленников, С. Н.; Смирнов, К. В.; Поляков, С. Л.; Чжан, В.; Свечников, С. И.; Каурова, Н. С.; Гришина, Е. В.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н.
Title (down) Квазиоптические смесители терагерцового диапазона на основе эффекта разогрева электронов в тонких пленках NbN Type Conference Article
Year 2006 Publication Proc. 16th Int. Crimean Microwave and Telecommunication Technology Abbreviated Journal
Volume 2 Issue Pages 688-689
Keywords NbN HEB mixers
Abstract Представлены результаты измерения рактеристик смесителей на эффекте разогрева электронов в тонких сверхпроводниковых пленках NbN. Смесители были изготовлены на основе пленок NbN толщиной 2-3.5 нм осажденных на кремниевую подложку с буферным подсло- ем MgO. Смесительный элемент согласовывался с планар- ной логопериодической спиральной антенной. Лучшее зна- чение шумовой температуры приемника на основе NbN смесителя составило 1300 К и 3100 К на частотах гетеро- дина 2.5 TГц и 3.8 ТГц, соответственно. Максимальное зна- чение полосы преобразования, измеренной на частоте 900 |Ц, достигло значения 5.2 ГГц для смесителя изготовлен- ного из NbN пленки толщиной 2 нм. Оптимальная мощность Представлены результаты измерения ха- гетеродинного источника составила 1-3 мкВт для смесите- лей с различным объемом смесительного элемента.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1445 Approved no
Call Number Serial 1446
Permanent link to this record
 

 
Author Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Гершензон, Е. М.; Птицина, Н. Г.; Смирнов, К. В.; Чулкова, Г. М.
Title (down) Исследования процессов неупругой релаксации и примесная спектроскопия-релаксометрия в двумерном электронном газе в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами Type Report
Year 1995 Publication Abbreviated Journal
Volume Issue Pages
Keywords
Abstract В гетероструктурах GaAs/AlGaAs впервые прямым методом измерена температурная зависимость вpемени энеpгетической pелаксации двумерного электронного газа te(T) в широком диапазоне температур Т=1,5 – 50 К в квазиравновесных условиях. Для измерений использовался высокочувствительный спектрометр миллиметрового диапазона волн с высоким временным разрешением, который позволял измерять релаксационные времена до 150 пс с погрешностью не более 20%. Верхний предел температуры определялся временным разрешением спектрометра. Исследования проводились на высококачественных образцах с поверхностной концентрацией носителей ns = 4,2 1011 см-2 и подвижностью m = 7 105 см2В-1с-1 (при Т = 4,2К). В квазиравновесных условиях из температурной зависимости tе определен предел подвижности при низких температурах (T<4.2 K), связанный с рассеянием на пьезоакустическом потенциале, получено время неупругой релаксации, связанное с рассеянием на деформационном потенциале (15 K25 K), получено характерное время испускания оптического фонона (tLO>4,5пс), которое существенно превышает время сронтанного излучения оптического фонона (примерно в 30 раз), что связано с большой ролью процессов перепоглащения фононов электронами.При низких температурах проведены измерения tе в условиях сильного разогрева. Полученные значения tе и зависимость tе от температуры электронов Те совпадают с tе(Т) в квазиравновесных условиях при Т=Те. Из полученных значений tе(Те) построена зависимость мощности энергетических потерь от Те, которая хорошо согласуется с литературными данными.Начаты измерения в магнитном поле, которые показывают переспективность использованного нами метода измерений как в области слабых магнитных полей при факторе заполнения >10, так и в области сильных магнитных полей при факторе заполнения >1-2.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Отчет о НИР/НИОКР; РФФИ: 95-02-06409-а; Approved no
Call Number Serial 1831
Permanent link to this record
 

 
Author Кардакова, А. И.; Финкель, М. И.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Ан, П. П.; Гольцман, Г. Н.
Title (down) Время электрон-фононного взаимодействия в сверхпроводниковых пленках нитрида титана Type Conference Article
Year 2014 Publication Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» Abbreviated Journal
Volume 1 Issue Pages 47-48
Keywords TiN films
Abstract Определены времена электрон-фононного взаимодействия в тонких сверхпроводниковых пленках нитрида титана. Измеренные значения τ_eph находятся в диапазоне от 5.5 нс до 88 нс при температурах 4,2 К и 1,7 К, соответственно, и соответствуют температурной зависимости Т^-3.
Address Нижний Новгород, Россия
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1835
Permanent link to this record
 

 
Author Проходцов, А. И.; Голиков, А. Д.; Ан, П. П.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.
Title (down) Влияние покрытия из оксида кремния на эффективность фокусирующего решеточного элемента связи из нитрида кремния Type Conference Article
Year 2019 Publication Proc. IWQO Abbreviated Journal Proc. IWQO
Volume Issue Pages 201-203
Keywords integrated optics, silicon nitride, focusing grating coupler
Abstract В работе экспериментально изучена зависимость эффективности фокусирующего решеточного элемента связи от периода и фактора заполнения до и после напыления верхнего слоя из оксида кремния. Полученные данные имеют практическое значение при создании перестраиваемых интегрально-оптических устройств на нитриде кремния.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Duplicated as 1188 Approved no
Call Number Serial 1282
Permanent link to this record
 

 
Author Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.
Title (down) Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge Type Journal Article
Year 1990 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal Физика и техника полупроводников
Volume 24 Issue 10 Pages 1881-1883
Keywords impurities, photoconductivity, Ge, capture of free carriers, magnetic field
Abstract Цель настоящей работы — измерение кинетики примесной фотопроводи­мости в квантующих магнитных полях.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Russian Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number Serial 1755
Permanent link to this record
 

 
Author Пентин, И. В.; Смирнов, К. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, А. В.; Ожегов, Р. В.; Дивочий, А. В.; Гольцман, Г. Н.
Title (down) Быстродействующий терагерцевый приемник и инфракрасный счетчик одиночных фотонов на эффекте разогрева электронов в сверхпроводниковых тонкопленочных наноструктурах Type Journal Article
Year 2011 Publication Труды МФТИ Abbreviated Journal Труды МФТИ
Volume 3 Issue 2 Pages 38-42
Keywords SSPD, SNSPD, HEB
Abstract Представлены результаты создания приемных систем терагерцевого диапазона (0.3-70 ТГц), обладающих рекордным быстродействием (50 пс) и высокой чувствительностью (до 5x 10^(-14) Вт/Гц^(1/2)), а также однофотонных приемных систем ближнего инфракрасного диапазона с квантовой эффективностью 25 %, уровнем темнового счета 10-1c., максимальной скоростью счета ~ 100 МГц и временным разрешением до 50 пс.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN Medium
Area Expedition Conference
Notes Approved no
Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 707
Permanent link to this record
 

 
Author Манова, Н.Н.; Корнеева, Ю. П.; Корнеев, А. А., Гольцман, Г. Н.
Title (down) Cверхпроводящий однофотонный детектор, интегрированный с оптическим резонатором Type Conference Article
Year 2010 Publication Науч. сессия НИЯУ МИФИ Abbreviated Journal Науч. сессия НИЯУ МИФИ
Volume Issue Pages 92-93
Keywords SSPD
Abstract
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN 978-5-7262-1227-2 Medium
Area Expedition Conference
Notes УДК 533.14(06)+004.056(06) Фотоника и информационная оптика Approved no
Call Number Serial 1143
Permanent link to this record
 

 
Author Корнеева, Ю. П.; Флоря, И. Н.; Корнеев, А. А.; Гольцман, Г. Н.
Title (down) Cверхпроводящий однофотонный детектор для дальнего ИК диапазона длин волн Type Conference Article
Year 2010 Publication Науч. сессия НИЯУ МИФИ Abbreviated Journal Науч. сессия НИЯУ МИФИ
Volume Issue Pages 46-47
Keywords SSPD
Abstract Мы представляем быстродействующий сверхпроводниковый однофотонный детектор (SSPD) для дальнего инфракрасного диапазона на основе ультратонкой монокристаллической пленки NbN толщиной 3 нм, состоящий из параллельных полосок. QE на длине волны 1,5.μм и 1,3 μм для предложенного SSPD практически одинаковы. SSPD показывает отклик длительностью 200 пс, что открывает путь к детекторам, обладающим скоростью счета свыше 1 ГГц.
Address
Corporate Author Thesis
Publisher Place of Publication Editor
Language Summary Language Original Title
Series Editor Series Title Abbreviated Series Title
Series Volume Series Issue Edition
ISSN ISBN 978-5-7262-1227-2 Medium
Area Expedition Conference
Notes УДК 533.14(06)+004.056(06) Фотоника и информационная оптика Approved no
Call Number Serial 1144
Permanent link to this record