Home << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> [11–20]
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   web
Author Title (down) Year Publication Volume Pages
Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.; Ригер, Е. Р. Оже-рекомбинация свободных носителей на мелких донорах в германии 1984 Физика и техника полупроводников 18 1684-1686
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии 1983 Физика и техника полупроводников 17 1896-1898
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ 1986 Физика и техника полупроводников 20 99-103
Гершензон, Е. М.; Гершензон, М. Е.; Гольцман, Г. Н.; Люлькин, А. М.; Семенов, А. Д.; Сергеев, А. В. О предельных характеристиках быстродействующих серхпроводниковых болометров 1989 Журнал технической физики 59 111-120
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии 1984 Физика и техника полупроводников 18 421-425
Гершензон, Е. М.; Мельников, А. П.; Рабинович, Р. И.; Смирнова, В. Б. О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси 1983 Физика и техника полупроводников 17 499-501
Чулкова, Галина Меркурьевна; Семёнов, Александр Владимирович; Тархов, Михаил Александрович; Гольцман, Григорий Наумович; Корнеев, Александр Александрович; Смирнов, Константин Владимирович О возможности использования PNR-SNPD в системах телекоммуникационной связи 2012 Преподаватель ХХI век 244-246
Гершензон, Е. М.; Гершензон, М. Е.; Гольцман, Г. Н.; Семенов, А. Д.; Сергеев, А. В. Неселективное воздействие электромагнитного излучения на сверхпроводящую пленку в резистивном состоянии 1982 Письма в ЖЭТФ 36 241-244
Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе 1991 Физика и техника полупроводников 25 1986-1998
Рябчун, С. А.; Третьяков, И. В.; Пентин, И. В; Каурова, Н. С.; Селезнев, В. А; Воронов, Б. М.; Финкель, М. И.; Масленников, С. Н.; Гольцман, Г. Н. Малошумящий широкополосный терагерцовый смеситель на эффекте электронного разогрева в плёнке NbN 2009 Известия высших учебных заведений. Радиофизика 52 641-648
Семенов, А. В.; Корнеев, А. А.; Смирнов, А. В.; Смирнов, К. В.; Ожегов, Р. В.; Окунев, О. В.; Гольцман, Г. Н.; Девятов, И. А. Линейные по мощности поглощаемого излучения поправки к спектральным функциям «грязного» сверхпроводника и отклик сверхпроводниковых детекторов 2012 Преподаватель ХХI век 216-220
Финкель, М. И.; Масленников, С. Н.; Гольцман, Г. Н. Концепция приёмного комплекса космического радиотелескопа «Миллиметрон» 2007 Известия высших учебных заведений. Радиофизика 50 924-934
Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. Концентрационная зависимость полосы преобразования смесителей субмиллиметрового диапазона на основе наноструктур AlGaAs/GaAs 2010 Изв. РАН Сер. Физ. 74 110-112
Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах 1990 Физика и техника полупроводников 24 3-24
Семенов, А. В.; Девятов, И. А.; Третьяков, И. В.; Лобанов, Ю. В.; Ожегов, Р. В.; Петренко, Д. В.; Селиверстов, С. В.; Финкель, М. И. Вывод уравнения типа уравнения гинзбурга-ландау для нанопроволоки вблизи критического магнитного поля 2011 Журнал радиоэлектроники 11 4